강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A. 참조 데이터

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강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A. 참조 데이터

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보호 다이오드가 내장된 절연 게이트 및 채널 강화 기능을 갖춘 실리콘 p-채널 트랜지스터 KP784A는 에피택셜 평면 기술을 사용하여 제조됩니다. 이 장치는 무변압기 입력이 있는 보조 전원 공급 장치, 연속 및 펄스 제어 기능이 있는 조정기, 안정기 및 전압 변환기, 컴퓨터 전원 장치, 전기 모터 구동 장치 및 기타 광범위한 응용 장비에서 작동하도록 설계되었습니다.

트랜지스터는 견고한 스탬프 주석 도금 단자가 있는 플라스틱 케이스 KT-28-2(TO-220AV)에 들어 있습니다(그림 1).

강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A

장치의 무게 - 2,5g 이하.

트랜지스터 KP784A - IRF9Z34의 외국 아날로그.

주요 기술 특성

임계 전압, V, 드레인 전류 0,25mA 및 연결된 게이트 및 소스.....2...4
개방형 채널 저항(Ω), 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 50, 드레인 전류가 11A이고 게이트-소스 전압이 10V.....0,14인 경우 옴 없음
드레인-소스 전압이 60V이고 게이트-드레인 전압이 100일 때 잔류 드레인 전류, µA, 더 이상.....XNUMX
게이트-소스 전압 ±20V 및 제로 드레인-소스 전압.....±0,1에서 게이트 누설 전류, µA, 더 이상 없음
전류-전압 특성의 기울기 A/V, 펄스 지속 시간이 300ms 이하이고 듀티 사이클이 50 이상, 드레인-소스 전압이 25V, 드레인 전류가 11A인 경우 .....5,9
보호 다이오드의 일정한 순방향 전압 V는 300ms 미만의 펄스 지속 시간과 50 이상의 듀티 사이클, 제로 게이트-소스 전압 및 드레인 전류 18A를 갖는 것입니다....6,3
최대 작동 주파수, MHz.....1
열 저항 전이 하우징, °С/W, 최대.....1,7
30V의 드레인-소스 전압, 18A의 드레인 전류 및 12Ω의 신호 소스 출력 저항에서 턴온 지연 시간이 더 이상 없습니다.....40
전형적인 값.....20
25V의 드레인-소스 전압, 1의 게이트-소스 전압 및 1540MHz의 주파수, 입력에서 트랜지스터 용량, pF, 더 이상.....XNUMX
쉬는 날.....660
검문소.....140
30V의 드레인-소스 전압, 18A의 드레인 전류 및 12Ω의 신호 소스 출력 저항에서 고통 없이 드레인 전류의 상승 시간.....240
전형적인 값.....120
드레인 전류 감쇠 시간은 30V의 드레인-소스 전압, 18A의 드레인 전류 및 12Ω의 신호 소스 출력 저항에서 더 이상 발생하지 않습니다....116
전형적인 값.....58

* 케이스 온도 25 °C에서.

한계값

최고 드레인-소스 전압, V ..... 60
최대 게이트-소스 전압, V.....+20
최고 직류 * 드레인, A ..... 18
최고 펄스 전류 * 드레인, A ..... 72
케이스 온도 25°C에서 가장 높은 연속 전력 손실, W ** ..... 88
최고 전이 온도, ° С..... 175
주변 온도 작동 범위, °С.....-55...+150

* 전력 손실 및 접합 온도의 최대 값을 초과하지 않는 경우.

** 하우징 온도 Tcorp +25...+150 °C 범위에서는 공식에 따라 최대 출력을 줄여야 합니다.

Pmax = (Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k 여기서 Tnepmax는 허용 가능한 최고 전이 온도입니다. Rt.n-k - 접합 케이스의 열 저항입니다.

허용되는 정전위 값은 200V입니다(OST 11073.062에 따른 III 강성도). 장비에 트랜지스터를 설치하기 위한 작동 모드 및 조건은 OST 11336.907.0을 준수해야 합니다(V. Kiselev "기사 참조).KP737 시리즈의 전계 효과 트랜지스터"Radio", 2002, No. 5, pp. 47, 48). 설치 및 조립 작업 중에 트랜지스터 단자를 XNUMX회 이상 재납땜할 수 없습니다.

KP784A 트랜지스터 매개변수의 주요 일반적인 그래픽 종속성은 그림 2에 나와 있습니다. 5-XNUMX.

강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A

그림에서. 그림 2,a 및 b는 하우징 온도 Tcorp(25±10 및 150°C)의 두 값에서 드레인-소스 전압 Usi에 대한 드레인 전류 Ic의 의존성을 보여줍니다. 3 - 게이트-소스 전압 Uzi에서.

강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A

접합 온도의 작동 범위에서 개방형 트랜지스터의 채널 저항 RK 변화가 그림 4에 나와 있습니다. 25(RK - 채널 저항의 현재 값, Rк25 - Tper = XNUMX°C에서의 채널 저항).

강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A

드레인-소스 전압에 대한 입력, 출력 및 통과 커패시턴스의 의존성은 그림 5에 나와 있습니다. XNUMX.

강력한 전계 효과 트랜지스터 KP784A

저자: V. Kisilei, 민스크, 벨로루시

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