전자 키 K1233KT2. 참조 데이터

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전자 키 K1233KT2. 참조 데이터

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전자 코드 키 K1233KT2는 고유한 28비트 코드의 소형 비휘발성 캐리어입니다. 마이크로회로는 접촉식 출입 통제 및 관리 시스템(ACS)에서 작동하도록 설계되었습니다. 이를 바탕으로 개별 코드번호가 있는 플라스틱 카드, 전자열쇠, 팔찌, 전자 자물쇠용 열쇠 등을 생산할 수 있습니다.

마이크로회로는 자동화된 생산 공정 제어 시스템에서 도구, 미완성 제품 및 재고를 식별하는 데 사용할 수 있습니다.

기능 측면에서 K1233KT2 칩은 Dallas Semiconductor의 인기 있는 DS1990A 스위치에 대한 저렴한 대안으로 간주되어야 합니다 [1; 2]는 코드 생성 프로토콜과 코드 조합 수가 모두 다르지만 최신 인터콤 및 잠금 장치에 널리 사용됩니다. 키는 제조 과정에서 프로그래밍됩니다(개별 코드 입력).

마이크로 회로는 소형 플라스틱 케이스 KT-26 (TO-92) - 기존 설치용 - K1233KT2P (그림 1,a), HKT-47(SOT-89) - 표면 설치용 - K1233KT2T (그림 1,b) .

전자 키 K1233KT2

키 핀아웃: 1 - 입력; 2 - 본문(사용되지 않음) 3 - 공통 와이어. 일반적인 연결에서는 핀 2가 비어 있지만 핀 3에 연결할 수 있습니다. 핀 1과 2를 연결하면 키 오류가 발생할 수 있습니다.

주요 기술적 특성*

낮은 레벨 신호의 전류 소비, mA, .....0,6 이상
더 이상 ..... 2,2
낮은 레벨의 신호 및 25±10 °C의 온도에서 전류 소비, mA, 이상.....0,8
더 이상 ..... 2
높은 레벨과 낮은 레벨 신호의 전류 소비 차이(mA)는 .....0,5 이상입니다.
더 이상 ..... 3,3
높은 신호와 낮은 신호 및 25±10°C의 온도에서 전류 소비 차이(mA)는 .....0,8 이상입니다.
더 이상 ..... 3
1비트의 전송 주기, Tn50 µs, 이상.....XNUMX
더 이상 ..... 230
25±10°C의 온도에서 80비트의 전송 주기, µs.....XNUMX
더 이상 ..... 200
낮은 수준의 펄스 지속 시간, ..... 0,4Tp1 이하
높은 수준의 펄스 지속 시간, ..... 0,6Tp1 이상

* 특별히 명시하지 않는 한 공급 전압 1,4V 및 온도 -40...+85°C에서.

한계값

가장 높은 입력 DC 전압, V 3
가장 큰 입력 상수 음의 전압, V 0,8
최대 소비 전류 .... mA 15
주변 온도 작동 범위, °С -40...+85
정전기의 최고 전압, V 4000

그림에서. 그림 2는 일정한 입력 전압에 대한 높은 1 및 낮은 2 레벨의 신호에 대한 전류 소비의 의존성을 보여줍니다. 3 - 입력 특성의 음의 분기(일반적으로 첫 번째 사분면의 좌표로 표시됨).

전자 키 K1233KT2

K1233KT2 키의 블록 다이어그램은 그림 4에 나와 있습니다. XNUMX. 장치의 작동은 발전기 펄스에 의해 기록됩니다. 프로그래밍된 개별 코드는 멀티플렉서 인코더에 저장됩니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

타이밍 다이어그램 드라이버의 출력에서 직렬 코드의 정보는 저항 R1을 통해 핀 1과 1에 연결된 출력 트랜지스터 VT3에 공급됩니다. 전원 공급 장치와 정보 전송 회로가 결합되어 키를 연결할 수 있습니다 두 개의 와이어만 사용하여 외부 노드에 연결합니다.

마이크로 회로에 공급 전압이 가해지면 내부 발진기가 켜지고 영점 조정 장치가 타이밍 다이어그램 생성기를 초기 상태로 되돌리고 동기화 비트부터 시작하여 코드가 전송됩니다. 프로그래밍된 코드에 따라 미세 회로의 저항이 변경되어 전류 소비가 변경됩니다. 저항은 두 개의 이산 값을 취하면서 갑자기 변합니다.

마이크로 회로는 클록 생성기의 주기 Tt당 5비트의 속도로 코드를 주기적으로 재생합니다(그림 XNUMX). 사이클은 동기화 비트 SB, XNUMX비트 시작 워드 SS, 이진 코드의 XNUMX개의 XNUMX비트 코드 워드 KS로 구성되며, 각각은 패리티 검사 비트 BC를 포함합니다.

전자 키 K1233KT2

클럭 비트의 전송은 클럭 발생기의 전체 기간 Tt 동안 소비 전류를 하이 레벨로 유지하는 것을 나타내며, 시작 및 코드 워드의 각 비트는 소모 전류를 처음에는 시간 동안 로우 레벨로 순차적으로 유지합니다. Ti, 그리고 Tt-Ti 시간 동안 높은 수준. 이 경우, 높은 Ti1 수준의 지속 시간은 대략 Tt의 0/XNUMX와 같고, 낮은 TiXNUMX 수준의 지속 시간은 Tt의 XNUMX/XNUMX입니다. 즉, 레벨의 지속 시간이 절반으로 다릅니다.

210비트 시작 워드에는 패리티 없이 설계 시퀀스 번호(0102=7)가 포함됩니다. 각 코드 워드에는 XNUMX개의 코드 비트와 패리티 비트가 포함되어 있으며, 패리티 비트는 코드 워드를 워드의 짝수 개로 채웁니다.

따라서 36비트 볼륨(클럭 생성기의 주파수에 따라 기간 - 2,9...7,2ms)을 갖는 하나의 코드 소포에는 7x4=28 정보 비트가 포함되며 이는 228=268 코드 조합에 해당합니다. 일반적으로 코드는 최하위 비트로 시작한다고 가정합니다. 바이너리 코드를 패리티로 보완하면 칩에서 읽은 코드의 진위 여부를 쉽게 확인할 수 있습니다.

정보를 전송하기 위해 교류 레벨을 사용하면 판독 회로의 접촉 및 전이 저항에 대한 요구 사항을 줄일 수 있습니다. 키는 전원에 연결되어 있는 한 계속해서 코드 메시지를 생성합니다.

설명된 코드 메시지 전송 방법은 공급 전압을 안정화할 필요성을 야기합니다. 그렇지 않으면 예를 들어 전류 수집 저항을 통해 정전압 소스에서 전원을 공급받을 때 논리 XNUMX과 XNUMX의 전송 기간이 일치하지 않아 동기화 및 코드 판독이 복잡해질 수 있습니다.

전자 키 코드를 읽는 가장 간단한 단위의 체계가 그림에 나와 있습니다. 6.

전자 키 K1233KT2

코드 메시지는 트랜지스터 VT3의 컬렉터 회로의 부하 저항 R1에서 제거됩니다. 이 트랜지스터는 기준 소스 R1VD1R2를 사용하여 파라메트릭 전압 안정기를 조립하는 데 사용됩니다. 캡처된 코드 메시지는 비교기를 통해 디코딩 마이크로컨트롤러로 전송됩니다. 잠금 장치의 총 요소 수를 줄이려면 아날로그 비교기가 내장된 마이크로컨트롤러를 사용하는 것이 좋습니다.

컨트롤러는 키에 의해 생성된 코드 시퀀스에서 동기화 비트를 검색합니다. 이는 키의 내부 클럭 생성기 전체 기간 동안 높은 레벨에 해당한다는 점에서 다른 모든 비트와 다릅니다. 동기화를 용이하게 하기 위해 컨트롤러는 키에서 잠시 전원을 차단할 수 있습니다. 전원이 복원된 후 순환 코드 시퀀스의 형성은 동기화 비트로 시작됩니다.

문학

Sinyutkin A. 태블릿 키의 전자 잠금 장치 iButton - Radio, 2001, No. 2, p. 31-33; 3호, p. 30, 31.
Sinyutkin A. iButton 제품군의 장치 개요 - Radio, 2001, No. 6, S. 49, 50.

저자: A. Shestakov, V. Smirnov, Bryansk

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