광 트랜지스터. 참조 데이터

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광 트랜지스터 - 바이폴라 pn-p 또는 n-p-n 트랜지스터와 구조가 유사한 감광성 반도체 방사선 수신기. 포토다이오드와는 달리, 이는 빛 복사를 전기 신호로 변환할 뿐만 아니라 증폭도 제공합니다. 컬렉터 접합이 닫히고 이미터 접합이 열리도록 공급 전압이 장치에 공급됩니다. 데이터베이스는 대부분 비활성화된 채로 남아 있습니다.

구조적으로 포토 트랜지스터는 입력 창을 통해 들어오는 전체 광속이 베이스에 흡수되어 그 안에 광 생성된 전류 캐리어 쌍을 형성하는 방식으로 설계되었습니다. 결과적으로 포토 트랜지스터에 전압이 가해지면 콜렉터 전류가 흐르기 시작합니다.

장치의 작동은 캐리어 확산을 기반으로 하기 때문에 광트랜지스터의 작동 주파수는 일반적으로 수십 킬로헤르츠를 초과하지 않습니다.

현재는 실리콘 포토트랜지스터를 중심으로 양산되고 있다. 그러나 게르마늄을 기반으로 만들어진 여러 유형의 장치가 있습니다.

포토 트랜지스터의 높은 감도와 상대적으로 저렴한 비용으로 인해 최대 속도가 필요하지 않은 제어 및 자동화 시스템, 다양한 광 센서, 화재, 보안 등의 포토 릴레이에서 이러한 장치를 널리 사용할 수 있습니다. 액체와 기체의 광학적 특성을 분석하는 장비. 팩리스 포토트랜지스터는 광커플러 및 하이브리드 마이크로 회로에 갈바닉 절연 요소로 사용됩니다.

아래 제시된 모든 광트랜지스터는 적외선(IR) 복사 영역에서 작동합니다.

KTF102A, KTF102A1

감광 요소 면적이 102mm102인 실리콘 전체 npn 포토 트랜지스터 KTF1A 및 KTF0,64A2은 단단한 주석 도금 리드가 있는 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(각각 그림 1 및 2).

KTF102A의 무게 - 0,2g 이하; KTF102A1 - 0,1g KTF102A1 장치의 경우 이미터 출력은 컬러 점으로 표시됩니다.

포토트랜지스터는 VCR 및 기타 가정용 전자 장비에서 작동하도록 설계되었습니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• 수집기 광전류. mA, 컬렉터-이미터 전압 5V 및 파장 0,85μm의 조명 값 0,5mW/cm2......0,95
• 0,1mW/cm2.......0,2
• 콜렉터-이미터 전압 5 8 및 주변 온도 +25°C에서 다크 콜렉터 전류, µA 이하......1
• 전형적인 값......0,1
• +55°C......10
• 포화 전압. V. 더 이상 0,85 µm 파장의 조명 값에서 0,5 mA의 컬렉터 광전류에서 2 mW/cm0,25......0,15
• 0,06mW/cm2(0,2mA)......0,5
• 조사가 적용될 때 광응답 펄스의 상승 시간은 0,06μm의 파장, 2mW/cm0,85의 조명, 5V의 콜렉터-이미터 전압 및 15kOhm의 부하 저항에서 μs 이하입니다.... ..0,5
• 전형적인 값......0,2
• 스펙트럼 감광성 영역, µm.....0,73...1,05
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......0,87

작동 한계

• 컬렉터의 가장 높은 광전류. mA, 주변 온도 -19...+35°С......40
• +36...+55°С.......5
• 주변 온도 -10...+35°C에서 가장 높은 컬렉터-이미터 전압 V......10
• +36...+55°С.......6
• 전력 손실이 가장 높습니다. 밀리와트 주변 온도 -10...+35°С......30
• +36...+55°С.......10
• 주변 온도의 작동 범위, °C......-10...+55

다양한 조명 조건에서 포토트랜지스터의 전류-전압 특성이 그림 3에 나와 있습니다. 그림 4에 일반적인 조명이 나와 있습니다. 5. 장치의 상대적 스펙트럼 감도는 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX - 최대 감도 파장의 광전류에 대한 방사선 파장의 전류 값에서의 컬렉터 광전류의 비율).

그림에서. 그림 6은 온도에 따른 다크 콜렉터 전류의 의존성을 보여줍니다.

KTF104A - KTF104V

실리콘 평면 npn 포토트랜지스터 KTF104A, KTF104B. 감광소자 면적이 104mm0,64인 KTF2V는 KTF102A와 마찬가지로 플라스틱 케이스에 생산된다(그림 1 참조). 리드도 경질 주석 도금 처리되어 있지만 장착 부분의 길이는 2,9mm입니다. 10,1mm가 아닙니다. 무게 - 0,2g 이하.

포토트랜지스터는 가정용 전자 장비에 사용하도록 고안되었습니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• KTF8,5A의 경우 컬렉터-에미터 전압 5V 및 조명 104lux에서 컬렉터 광전류, mA......0,15
• KTF104B.......0.1
• KTF104V.......0,05
• KTF8.5A의 경우 104V의 콜렉터-이미터 전압에서 다크 콜렉터 전류, µA, 더 이상......1
• 전형적인 값......0,1
• KTF104B, KTF104V.......5
• 전형적인 값......0,5
• KTF8,5A의 콜렉터-이미터 전압 55V 및 주변 온도 +104°C에서 다크 콜렉터 전류, µA 이상......10
• 최대 스펙트럼 감광도 영역, µm......0,67..0,77
• 고장 간 최소 보증 시간, h......15
• 유통 기한, 년 ....... 8

광 트랜지스터의 주요 매개변수(정의):

• 적분 전류 감도 - 출력 전류의 변화를 야기한 방사 플럭스의 변화에 ​​대한 포토 트랜지스터 출력의 전류 변화의 비율입니다.
• 단색 전류 감도 - 주어진 파장의 복사속 변화에 대한 포토 트랜지스터 출력의 전류 변화 비율.
• 컬렉터 광전류 - 방사 플럭스의 영향으로 인해 지정된 컬렉터 전압에서 포토 트랜지스터를 통해 흐르는 전류.
• 다크 콜렉터 전류 - 방사 플럭스가 없을 때 지정된 콜렉터 전압에서 포토 트랜지스터를 통해 흐르는 전류.
• 광응답 펄스의 상승 또는 하강 시간 - 광전류가 정상 상태 값에서 각각 0,1에서 0,9 또는 0,9에서 0,1로 변경되는 시간 간격입니다.

작동 한계

• 가장 높은 컬렉터-이미터 전압. 12시에
• 주변 온도 작동 범위 °C......-10...+55

포토트랜지스터 KTF104A-KTF104B의 상대적 스펙트럼 감광성은 그림 7에 나와 있습니다. XNUMX.

KTF108A

선택적 감광성을 갖춘 실리콘 전체 npn 포토트랜지스터 KTF108A는 단단한 주석 도금 리드가 있는 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(그림 8). 장치의 무게는 1g을 넘지 않습니다.

포토트랜지스터는 가정용 비디오 카메라 및 기타 전자 장비의 히치하이킹 시스템에서 작동하도록 설계되었습니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• 수집기 광전류. 0,4V 콜렉터의 포화 전압 및 20μm 파장에서 0.85mW/cmg의 조명에서 mA 이상......0,4
• 전형적인 값......5
• 콜렉터-이미터 전압 10V 및 주변 온도 +25°C에서 콜렉터 암전류, µA 이상......0,025
• 전형적인 값......0,01
• +70°C......1
• 콜렉터 포화 전압. V는 더 이상 20 µm 파장에서 2 mW/cm0,85의 조명을 사용하는 경우......0,4입니다.
• 최대 스펙트럼 감광도 영역, µm.....0,76...0.96
• 고장 간 최소 보증 시간, h......25
• 유통 기한, 년 ....... 10
• 작동 한계
• 가장 높은 일정한 컬렉터-이미터 전압, V ...... 15
• 주변 온도 +35°С......60에서 최대 전력 손실, mW
• +70°C......25
• 주변 온도의 작동 범위, °C......-10...+70

그림에서. 그림 9는 컬렉터-에미터 전압에 대한 KTF108A 포토트랜지스터의 암전류의 일반적인 의존성을 보여줍니다. 10 - 온도(기술 분산 영역이 음영 처리됨)

포토 트랜지스터의 스펙트럼 특성은 그림 11에 나와 있습니다.

KTF109A

실리콘 평면 npn 포토트랜지스터 KTF109A는 단단한 주석 도금 리드가 있는 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(그림 12). 무게 - 0,15g 이하.

이 장치는 테이프 레코더 및 기타 가정용 장비용 히치하이킹 장치는 물론 보안 경보 시스템, 원격 제어 및 자동화, 회전 속도계에 사용하도록 고안되었습니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• 수집기 광전류. 엄마. 콜렉터-이미터 전압 5V 및 조사 전력 0,3mW에서......0,08
• 전형적인 값......0.4
• 최대값......1
• 콜렉터-이미터 전압 5V 및 파장 0.83μm 조사 시 단색 전류 감도 A/W......0,25
• 다크 컬렉터 전류. 5V의 콜렉터-이미터 전압 및 +25°C의 주변 온도에서 µA, 더 이상......0,5
• +55°C......2
• 조사 시 광응답 펄스의 상승 시간, μs 이하......15
• 조사 제거 시 광열 펄스의 감쇠 시간, µs, 이하......5
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......1,08
• 고장까지의 최소 보증 시간, h.......20 000

작동 한계

• 가장 높은 일정한 컬렉터-이미터 전압, V ...... 10
• 최대 전력 손실, mW......10
• 주변 온도의 작동 범위, °C......-60...+55

조사 전력에 대한 KTF109A 포토 트랜지스터 컬렉터의 광전류 의존성은 그림 13에 나와 있습니다. 암전류의 온도 의존성은 그림 14에 나와 있습니다. XNUMX(기술 분산 영역은 음영 처리됨).

COF224A, COF224B

실리콘 평면 npn 포토트랜지스터 KOF224A, KOF224B는 견고한 주석 도금 리드가 있는 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(그림 15). 무게 - 0,8g 이하.

이 장치는 다양한 목적으로 무선 전자 장비의 적외선 수신기로 사용됩니다.

• Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성
• 5V의 컬렉터-이미터 전압에서 적분 전류 감도, µA/lx, 그 이상......0.7
• 다크 컬렉터 전류. KOF224A의 경우 µA는 더 이상......1
• COF224B.......0,1
• KOF224A의 경우 조사가 적용되거나 제거될 때 광응답 출력 펄스의 상승 또는 하강 시간(μs 이상)......80
• COF224B.......20
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......0,95
• 고장 간 최소 보증 시간, h......10
• 유통 기한, 년 ....... 8

작동 한계

• 가장 높은 일정한 컬렉터-이미터 전압, V ...... 5
• 주변 온도의 작동 범위, °C......-60...+55

FT-1K, FT-1K-01, FT-L K-02, FT-2K

실리콘 전체 npn 광트랜지스터 FT-1K gr.1. FT-1K gr.2. FT-1K-01, FT-1K-02. FT-2K gr. A, 둥근 감광 요소(직경 2mm)가 있는 FT-1,8K gr.B는 유연한 주석 도금 리드가 있는 원통형 금속 유리 케이스에서 생산됩니다(그림 16). 입구 창문은 평평합니다. 무게 - 0,9g 이하.

수집기 콘센트가 확장되었거나 색상 표시가 있습니다.

이 장치는 산업 및 특수 목적의 전자 장비에서 적외선 방사 감지기로 작동하도록 설계되었습니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• FT-1K gr에 대한 적분 전류 감도, μA/lx 이상. 1. FT-2K gr.A......0,4
• FT-1K gr.2. FT-2K gr.B.......0,2
• FT-1K-01......0.5
• FT-Zh-02......2
• FT-5K gr.1.FT-1K gr.A......2의 경우 3V의 컬렉터-이미터 전압에서 컬렉터 암전류, µA 더 이상 발생하지 않음
• FT-1K gr.2. FT-2K gr.B.......1
• ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
• 조사가 적용되거나 제거될 때 광응답 펄스의 상승 또는 하강 시간, μs, 더 이상......80
• 스펙트럼 감광성 영역, µm ....0,5...1,1
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......0,85
• FT-1K gr.1, FT-1K gr.2에 대한 고장 간 최소 보장 시간, h. FT-1K-01, FT-1K-02......2000
• FT-2K gr.A, FT-2K gr.B.....3500
• FT-1K 등급 1, FT-1K 등급 2 FT-1K-01, FT-1K-02......11의 유효 기간(년)
• FT-2K gr.A, FT-2K gr.B.......6

작동 한계

• 가장 높은 DC 컬렉터-이미터 전압. 5시에
• 가장 높은 작동 조명(10시간 이내). 1500
• 주위 온도의 작동 범위. °C......-60...+75

그림에서. 그림 17은 FT-1K, FT-2K 시리즈 포토트랜지스터의 감광성의 스펙트럼 특성을 보여줍니다.

FT-7B, FT-7B-01

둥근 감광 요소(직경 1,1mm)가 있는 실리콘 평면 npn 포토트랜지스터는 렌즈가 있는 원통형 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(그림 18). 터미널은 견고한 주석 도금 와이어입니다. 무게 - 0,5g 이하.

포토트랜지스터는 광학 절연 장치, 빛의 흐름 제어 및 경보 시스템에 사용됩니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• FT-7B의 경우 적분 전류 감도, µA/lm, 그 이상......0,04
• FT-7B-01.......0.35
• 수집기 광전류. FT-1000B의 경우 7lux의 조도에서 mA......0,2
• FT-7B-01.......2
• 공칭 컬렉터-이미터 DC 전압. 20에서
• 컬렉터 암전류. UA. 더 이상, 20V의 컬렉터-이미터 전압에서 ...... 0,005
• 조사가 적용되거나 제거될 때 광응답 펄스의 상승 또는 하강 시간, μs, 더 이상......1,5
• 스펙트럼 감광성 영역, µm.....0,4...1,1
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......0,85
• 유통 기한, 년 ....... 10

작동 한계

• 허용 전압 컬렉터-이미터의 한계, V......2...30
• 허용 작업 조명의 한계, lux..... 1...100 000
• 주변 온도의 작동 범위, °C......-15...+45

FT-8

감광 요소 면적이 8mm0,5인 실리콘 전체 npn 포토트랜지스터 FT-2은 견고한 주석 도금 리드가 있는 플라스틱 케이스에서 생산됩니다(그림 19). 무게 - 0,9g 이하.

그들은 다양한 전자 장치의 적외선 수신기로 사용됩니다.

Tacr.av = 25°С의 주요 기술적 특성

• 적분 전류 감도, µA/lx, 그 이상......2
• 다크 컬렉터 전류. μA. 더 이상 5V의 콜렉터-이미터 전압 및 +25°C의 주변 온도에서......0,1
• +75°C......20
• 파장 0,9μm, 컬렉터-이미터 전압 5V 및 부하 저항 2kOhm, μs의 조사를 적용할 때 광응답 출력 펄스의 상승 시간이 더 이상 없습니다...20
• 스펙트럼 감광성 영역, µm.......0,5...1,1
• 최대 스펙트럼 감광도의 파장, µm......0,9..0.95
• 고장 사이의 최소 보증 시간, h......4000

저자: V. 유신. 모스크바시

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