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진공 발광 표시기 IVLSHU1-11/2. 참조 데이터

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이중 신호 레벨 표시기는 고품질 가정용 사운드 증폭 장비에서 작동하도록 설계되었습니다. 표시기 보드는 각각 녹색(11) 및 빨간색(8) 발광의 3개 요소가 있는 두 개의 선으로 구성됩니다. 신호 레벨은 데시벨 단위로 디지털화되어 추가로 표시됩니다. 켜진 표시기의 디지털화는 지속적으로 빛나고 라인의 발광 요소 수는 제어되는 AF 신호의 레벨에 따라 다릅니다. 이 장치는 두 가지 수정으로 생산되며, 한 보드는 장치에 수평으로 배치해야 하고(그림 1) 다른 보드는 수직으로 배치해야 한다는 점만 다릅니다(그림 2).

표시기 하우징 - 유리, 평평한 직사각형 모양; 결론 - 단단한 라멜라 주석 도금. 표시기의 작동을 제어하기 위해 마이크로 회로가 내장되어 있습니다. 장치의 무게 - 40g 이하.

외국 아날로그 - FG28SB1.

표시기 핀아웃: 핀. 1 - 음극 글로우의 출력; 핀. 2 - 스코어보드의 디지털화; 핀. 3 - 일반; 핀. 4 - 채널 선택 신호 입력; 핀. 5 - 입력 1; 핀. 6 - 제어 입력 1; 핀. 7 - 제어 입력 2; 핀. 8 - 입력 2; 핀. 9 - 음의 전원 출력; 핀. 10 - 음극 및 음극 글로우의 출력; 실린더 내부의 전도성 차폐. 핀 번호는 장치가 사용자를 향하게 한 상태에서 왼쪽에서 오른쪽으로(그림 1) 또는 아래에서 위로(그림 2) 세어야 합니다.

진공 발광 표시등 IVLSHU1-11/2

진공 발광 표시등 IVLSHU1-11/2

Основные의 характеристики

광선 강도, cd/m2, 덜하지 않은, 양극 요소
녹색 광선
붉은 빛

250
70
광선 강도, cd/m2, 양극 요소에 대한 보장된 작동 시간이 끝날 때
녹색 광선
붉은 빛

125
35
대비, %, 이하 60
시야각, 도, 이하 40
정보 필드 치수, mm 54 X 17
제어된 양극 요소의 수 23
정격 음극 필라멘트 전압, V 2,4
양극 소자의 전압, V 27 ... 33
음극 글로우 전류, mA
한계값
명목 가치

140 ... 170
160
예열 플러그의 수 이상 104
전원을 켠 후 준비 시간, s, 더 이상 0,1
보장된 작동 시간, h, 그 이상 30 000
주변 온도의 작동 범위, °C -45 ... + 40

임베디드 마이크로 회로의 주요 특성

공급 전압, V -27...-33
음극과 공통선 사이의 전압, V (제어 칩의 공급 전압과 음극 전압의 차이 - 공통 출력은 3V 이상이어야 함) -24...-30
채널 선택 신호 전압(핀 4), V, 레벨용
높다, 그 이하도 아니다
낮은, 더 이상

-1
-9
제어 입력 1 및 2의 전압, V 0...-8
누설 전류, µA, 더 이상,
스위치 입력에서
아날로그 입력으로

5
10

매개변수 제한

음극 가열 전압, V 2 ... 2,65
내장 마이크로 회로의 가장 높은 음의 공급 전압 V -38
음극과 공통선 사이의 가장 큰 음의 전압 V -30
제어 입력 1 및 2, V에서 가장 높은 네거티브 전압 -14

IVLSHU1-11/2 표시등을 켜는 일반적인 기능 다이어그램이 그림에 나와 있습니다. 3. 저전압 소스 G1은 음극 글로우를 공급합니다. 표시기의 양극 그리드 회로는 전압 소스 G3에 의해 전원이 공급됩니다. 클록 생성기 G2는 전자 스위치 S1 및 S2의 작동과 표시기에 내장된 마이크로 회로의 논리 요소를 제어합니다.

진공 발광 표시등 IVLSHU1-11/2

AF 장치의 입력 지정: I수.sr.그리고 II할 수 있다. 수- 오른쪽 및 왼쪽 스테레오 채널의 평균값 신호 입력; 나캔.피크그리고 II캔.피크- 오른쪽 및 왼쪽 스테레오 채널의 피크 값 신호 입력.

Elastosil 접착제를 사용하여 디스플레이 치수에 맞추기 위해 가판넬의 컷아웃 가장자리에 실린더를 접착하여 장비의 표시기를 고정하는 것이 좋습니다. 보드에 납땜된 핀에 기계적 고정 또는 고정은 허용되지 않습니다. 작동 중 표시기의 모든 위치.

저자: L. Lomakin, 모스크바

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ReRAM의 작동 원리는 전압의 영향으로 재료의 저항을 변경하는 것입니다. 메모리는 비휘발성입니다. 즉, 전원이 공급되지 않아도 상태를 유지합니다. 현재 널리 사용되는 플래시 메모리에 비해 ReRAM의 장점은 고속, 더 높은 밀도, 더 큰 내구성 및 더 낮은 전력 소비에 추가로 포함됩니다.

ReRAM 생성 작업은 오랫동안 진행되어 왔습니다. 이 주제에 대한 최근 보고서에서 우리는 올해 초 Elpida Memory에서 만든 ReRAM의 프로토타입에 대한 뉴스를 기억할 수 있습니다.

UCL의 개발과 이전의 모든 개발의 차이점은 실리콘 산화물로 구성된 메모리 셀의 새로운 구조에 있습니다. 셀을 한 상태에서 다른 상태로 전환하는 효율이 더 높은 것이 특징입니다. 스위칭 전압의 작용하에 실리콘 "필라멘트"는 산화물에서 형성되거나 파괴되어 각각 전지 저항을 감소 또는 증가시킵니다. 칩이 실리콘 산화물을 사용하는 개발 중인 다른 설계와 같이 진공이 아닌 정상적인 조건에서 작동하는 것이 중요합니다.

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네일, 카잔
매우 유용한 기사. 모든 것이 요점에 있고 이해할 수 있습니다. 고맙습니다!


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