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오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2. 참조 데이터

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EKR1436UN1 및 KR1064UN2 마이크로 회로는 Motorola의 MC34119 마이크로 회로와 유사합니다. EKR1436UN1 장치는 인치 핀 피치가 2101.8mm인 소위 수출 버전의 하우징 2,54-A에서 Integral(Minsk)에 의해 생산됩니다(이름에 문자 E로 표시됨). KR1064UN2 마이크로 회로는 미터법 리드 피치가 2101.8mm인 패키지 1-2,5로 Svetlana JSC(St.Petersburg)에서 생산됩니다(그림 1, a). 장치의 무게는 1g을 넘지 않습니다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

통합 소프트웨어는 또한 소형 플라스틱 케이스 1436-1(그림 4309.8, b)에 EKR1UN1 마이크로 회로 버전을 생성합니다. 이 장치의 무게는 0,2g 이하입니다.

MC34119 칩은 스피커폰 또는 핸즈프리(HF로 약칭)라고도 불리는 확성기 전화기의 3H 신호 증폭기로 사용하도록 설계되었습니다.

전화기 작동에 대한 매우 엄격한 요구 사항을 완벽하게 충족하는 이 마이크로 회로는 아마추어 설계, 주로 자체 전원 장치에 사용하기에 유망한 것으로 입증되었습니다. 여러 측면에서 실제로 스테레오 및 모노포닉 플레이어의 사운드 강화에 특화된 KF3UN174, KF23UN174 및 KF23UN174 시리즈의 2301Ch 마이크로 회로 증폭기보다 우수합니다.

EKR1436UN1 및 KR1064UN2 마이크로 회로의 주요 장점 중에는 넓은 공급 전압 제한(2...16V), 역위상 출력이 있어 출력 전압 범위를 거의 두 배로 늘릴 수 있습니다(단일 연산 증폭기에 비해). 다이내믹 헤드를 출력에 직접 연결합니다(커플링 커패시터 없이). 또한 입력 신호가 없을 때 전류 소비가 적고 연결 장치 수가 적은 것이 특징입니다.

그림에서. 그림 2는 3Ch EKR1436UN1 증폭기 자체의 블록 다이어그램과 연결에 대한 일반적인 회로 다이어그램을 보여줍니다. 증폭기에는 메인 반전 연산 증폭기 1-DA1과 출력에 연결된 추가 반전 연산 증폭기 1-DA2가 포함되어 있으며 전송 계수는 1에 가깝습니다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

이 장치에는 저전력 소비 모드로 전환하는 기능이 있습니다. 이를 위해 블로킹 입력에는 조건부로 하이 레벨에 해당하는 전압이 인가되고, 증폭기 출력(핀 5, 8)은 하이 임피던스 상태가 되어 전류 소모가 급격히 줄어든다. 차단 입력의 하이 레벨이 로우로 변경되자마자 증폭기는 부스트 모드로 돌아갑니다. 이 두 가지 모드는 그림 3에 표시된 그래프로 설명됩니다. XNUMX. 곡선은 입력 신호가 없고 부하가 꺼진 상태에서 작성되었습니다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

공통 와이어에 대한 차단 입력의 저항은 약 90kOhm입니다. 차단 모드를 사용하지 않는 경우 핀 1을 비워 둘 수 있지만 공통 와이어에 연결하는 것이 좋습니다.

커패시터 C2 및 C3은 연산 증폭기 1-DA1 및 1-DA2의 비반전 입력에서 리플을 억제하는 역할을 합니다. C2는 고주파 성분을 더 많이 억제하고, C3은 저주파 성분을 억제합니다. 전압 안정기에서 3Ch 증폭기에 전원을 공급할 때 커패시터 C3의 커패시턴스가 감소되거나 완전히 포기될 수 있습니다.

증폭기의 전송 계수 Kp는 피드백 회로를 형성하는 저항 R1과 R2의 저항 값 비율에 따라 달라집니다. Kp = 2R2/R1. 이 공식의 요소 2는 연산 증폭기 1-DA2의 존재 때문입니다.

마이크로 회로의 핀 6은 양극 전원 와이어에 연결되고 핀 7은 공통 와이어에 연결됩니다.

UZCH의 주요 기술적 특성

  • 부하 저항, 옴 ....8...100
  • 100Hz 이하의 주파수에서 개방형 피드백 루프가 있는 전송 계수, dB......80
  • 신호 및 부하가 없고 공급 전압이 3V일 때 작동 모드에서 전류 소비(mA)......4
  • 전류 소비, μA, 더 이상, 전력 감소 모드에서.......100
  • 이득과 대역폭(이득 영역)의 곱, MHz, .....1,5 이상
  • 출력 핀 5 및 8의 바이어스 전압, mV, 신호가 없는 경우 공급 전압 6V 및 부하 저항 32Ω......-30...+30
  • 전형적인 값......0
  • 공급 전압 3V, 부하 저항 8Ω, 출력 전력 20W(일반 값)에서 고조파 왜곡 %.......... 0,5
  • 공급 전압 6 V, 부하 저항 32 Ohm 및 출력 전력 125 mW......≤1
  • 전형적인 값......0,5
  • 공급 전압 12V, 부하 저항 32Ω 및 출력 전력 200mW(일반 값).......0,6

성능 제한

  • 공급 전압, V.......2...16
  • 출력 부하 전류, mA.......75
  • 차단 입력(핀 1)의 높은 전압, V......2...Up
  • 차단 입력의 낮은 레벨 전압, V .....0...0,8
  • 고조파 왜곡이 10% 이하이고 공급 전압이 3V이고 부하 저항이 16Ω인 출력 전력(mW)......55
  • 공급 전압 6 V, 부하 저항 32 0m......250
  • 공급 전압 12 V, 부하 저항 100 Ohm......400
  • 작동 온도 범위, °С......-20...+70

그림의 다이어그램에 표시된 것과 함께. 최대 2kHz의 주파수 범위에서 OS 회로 요소의 5등급, 최소 46dB(Kp - 200)의 이득. OS 회로의 매개변수를 변경하면 기존 연산 증폭기와 마찬가지로 전송 계수와 대역폭을 변경할 수 있습니다.

미세 회로에 의해 소비되는 전력은 다음 공식에 의해 결정됩니다.

Ppac = Upit · lpot + Upit · ln.d. - Rн · Iн.д, 여기서 lpot은 그림 3에 표시된 그래프에 따라 결정됩니다. 삼; ln.d. - 부하 전류의 유효 값; Rн - 부하 저항. 마이크로 회로에 의해 소산되는 최대 허용 전력은 Pras max = = (140°C - Tamb.cp)/RT.K_c 비율로 표현됩니다. 여기서 RTk.c는 케이스 환경의 열 저항입니다. 플라스틱 직사각형 하우징 Rt.kc = 100°C/W의 경우 표면 실장용으로 설계된 장치의 하우징은 Rt.kc = 180°C/W입니다.

그림에서. 그림 4, a-c는 부하 저항의 세 가지 값에 대해 부하에 할당된 유용한 전력에 대한 마이크로 회로에 의해 소비되는 전력의 의존성을 보여줍니다. 5 - 공급 전압에 대한 최대 허용 부하 전력의 의존성.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

공급 전압, 부하 저항, 입력 신호 주파수 및 이득의 다양한 값에 대한 출력 전력에 대한 고조파 계수 Kg-의 의존성은 그림 6에 나와 있습니다. 6,a - c. 쌀. 도 1a는 34kHz의 주파수와 6,6dB의 이득에 해당한다. 3 - 34kHz, 6dB, 그림. 1.v - 3 및 12kHz, XNUMXdB.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2
쌀. 도 7은 공급 전압이 인가될 때 증폭기의 턴온 시간이 커패시터 C1 및 C2의 커패시턴스에 어떻게 의존하는지를 보여준다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

그림에서. 그림 8은 피드백 회로의 다양한 매개변수에 대한 증폭기의 주파수 특성을 보여줍니다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

이미 언급한 바와 같이 차단 입력에 높은 수준의 전압이 가해지면 증폭기는 마이크로 전력 모드로 전환되어 출력 저항이 급격히 증가합니다. 낮은 임피던스 부하(예: 직접 방사의 동적 헤드)를 사용하면 이 모드에서 미세 회로가 실제로 꺼지고 신호가 출력으로 전달되지 않습니다.

부하의 저항이 높은 경우(예: 다른 증폭기의 입력) 신호 경로의 차이가 눈에 띄지 않을 수 있습니다. 신호 전달을 제어하기 위해 차단 모드를 사용하려는 경우 이러한 상황을 염두에 두어야 합니다.

그림에서. 그림 9는 3Ch 마이크로 회로 증폭기를 켜서 더 높은 입력 임피던스(Rin = 125kOhm)를 제공하는 또 다른 옵션을 보여줍니다. 다이어그램에 표시된 요소 정격을 사용하면 공급 전압 리플 억제가 -50dB에 도달합니다.

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

소스의 최상의 상호 절연이 얻어지고 입력 회로가 증폭기 이득에 미치는 영향이 제거되는 경우 여러 소스의 출력 신호를 3H 증폭기의 입력에 적용해야 하는 경우가 있습니다. 이 경우에는 그림 2에 표시된 다이어그램을 사용하는 것이 편리합니다. 1436. 각 신호 소스의 출력은 커패시터와 저항의 자체 직렬 회로를 통해 EKR1UN2 증폭기의 입력에 연결됩니다(그림 XNUMX에는 이러한 회로가 하나만 표시됨). 저항의 저항을 변경함으로써 해당 소스에서 증폭기까지 필요한 신호 전송 계수를 얻을 수 있습니다. 따라서 소스 신호의 다양한 출력 레벨에서 동일한 볼륨 레벨을 제공합니다.

그림에서. 그림 10은 2x(1...8)V 전압의 양극 소스에서 설명된 미세 회로에 전원을 공급하는 변형을 보여줍니다. 양극 소스의 암이 전압이 비대칭인 경우 미세 회로의 핀 3을 커패시터를 통한 공통 와이어 (그림 2의 주요 일반 다이어그램 참조).

오디오 주파수 증폭기 EKR1436UN1 및 KR1064UN2

설명된 미세 회로는 뛰어난 "유연성"을 갖고 있어 특정 설계에 대한 최적의 작동 조건을 생성할 수 있기 때문에 제시된 회로는 증폭기 구성을 위한 가능한 옵션을 모두 소진하지 않습니다.

문학

  1. 전화 통신용 마이크로칩. 예배 규칙서. 문제. 1. - M.: Dodeka, 1994.
  2. Colombet E., Jurkovic K., Zodl J. 아날로그 마이크로회로 적용. - M.: 라디오와 통신, 1990

저자: D.Turchinsky

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화성 분화구 주변의 열수 틈새는 한때 미생물의 서식지였을 수 있습니다. 이번 주 Earth and Planetary Science Letters 저널에 게재된 Leicester 대학과 Open University의 새로운 공동 연구에 따르면 화성의 물은 생명체가 살 수 있을 만큼 따뜻했습니다. 연구에 따르면 지구의 수온 범위는 섭씨 50도에서 150도 사이였습니다. 지구상의 미생물은 예를 들어 옐로스톤 공원의 화산 온천과 같은 물에서 살 수 있습니다.

과학자들의 연구는 레스터 대학의 물리학 및 천문학과에서 강력한 현미경을 사용하여 화성의 운석에 대한 상세한 연구를 기반으로 했습니다. 그 다음은 Open University에서 수행된 컴퓨터 모델링 작업이 이어졌습니다.

수석 연구 저자인 John Bridges 박사는 다음과 같이 말했습니다: 지구에는 화성에서 온 운석이 있습니다. 그 중 가장 흥미로운 것은 나클라이트입니다. 이집트 도시 나클라 근처에서 발견된 화성 운석의 이름을 따서 명명되었습니다. 이 그룹의 운석은 광물로 채워진 작은 "정맥"을 관통합니다. .그리고 이 광물들은 화성 표면 근처의 물의 작용에 의해 형성되었습니다.

Bridges 박사와 그의 그룹은 Nakhlite를 자세히 연구했습니다. 그 중 2개만 알려져 있으며 모두 작지만 미네랄 구성에 상당한 차이가 있습니다. Lafayette 운석은 과학자들에게 가장 많은 정보를 제공했습니다. 가장 완전하고 유익한 미네랄 선택은 구멍에서 발견되었습니다. 주의 깊은 연구에 따르면 운석 "맥"의 벽을 따라 형성되는 가장 초기의 물질은 탄산철이었습니다. 그것은 약 150도의 온도에서 CO50가 풍부한 물에서 형성됩니다. 물이 XNUMX도까지 냉각되면 점토 광물이 형성되기 시작하여 결정질에서 비정질 상으로 이동하여 점토와 동일한 조성을 갖습니다.

연구원들은 두 대학의 데이터를 결합하여 화성의 물 속성을 결정했습니다. 처음에는 약 150도 정도였으며 이산화탄소를 함유하여 탄산염을 형성한 다음 50도까지 냉각하여 점토를 형성했습니다. 화성 표면의 궤도선에서도 점토가 발견되었음에도 불구하고 이미지의 공간 해상도는 명확한 결론을 내리기에는 불충분했습니다. 과학자들이 나클라이트를 자세히 연구할 때까지 탄산염이 먼저 형성되고 그 다음에 물이 냉각될 때 점토가 형성된다는 사실이 알려지지 않았습니다.

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