|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 단접합 트랜지스터. 참조 데이터
이 기사에서는 장치, 작동 원리 및 단접합 트랜지스터의 사용에 대해 설명합니다. 단일접합 트랜지스터 또는 1베이스 다이오드라고도 불리는 것은 하나의 pn 접합이 있는 1전극 반도체 장치입니다. 그 구조는 일반적으로 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX, a, 다이어그램의 기존 그래픽 지정 - 그림. XNUMXb.
단접합 트랜지스터의 기본은 베이스라고 하는 반도체 결정(예: n형 전도성)입니다. 결정의 끝에 옴 접촉 B1과 BZ가 있으며 그 사이에는 이미 터 역할을하는 p 형 반도체와 정류 접촉하는 영역이 있습니다. 가장 간단한 등가 회로 (그림 1, c)를 사용하여 단일 패스 트랜지스터의 작동 원리를 고려하는 것이 편리합니다. 여기서 RB1 그리고 RB2 -베이스와 이미 터의 해당 단자 사이의 저항, D1은 이미 터 p-p 접합입니다. 저항 R을 통해 흐르는 전류B1 그리고 RB2, 그 중 첫 번째에 전압 강하를 생성하여 다이오드 D1을 반대 방향으로 바이어스합니다. 이미터의 전압 Ue가 저항 R의 전압 강하보다 작은 경우B1, 다이오드 D1이 닫히고 누설 전류만 흐릅니다. 전압 U는 언제입니까?Э 저항 R 양단의 전압보다 높아집니다.B1, 다이오드는 순방향으로 전류를 흐르기 시작합니다. 이 경우 저항 RB1 감소하여 회로 D1 R의 전류가 증가합니다.B1, 그리고 이것은 차례로 저항 R을 추가로 감소시킵니다.B1. 이 과정은 눈사태처럼 진행됩니다. 저항 RB1 pn 접합을 통한 전류가 증가하는 것보다 빠르게 감소하고 결과적으로 단접합 트랜지스터의 전류-전압 특성에 음의 저항 영역이 나타납니다(그림 2)(곡선 1). 전류가 더 증가함에 따라 저항 R의 의존성B1 전류에서 pn 접합을 통해 감소하고 특정 값( Ioff)보다 큰 값의 경우 전류(포화 영역)에 의존하지 않습니다.
바이어스 전압 Ucm이 감소하면 전류-전압 특성이 왼쪽(곡선 2)으로 이동하고, 없으면 개방형 pn 접합(곡선 3)의 특성으로 변합니다.
회로 요소로 특성화하는 단접합 트랜지스터의 주요 매개변수는 다음과 같습니다.
단접합 트랜지스터의 등가물은 그림 3과 같이 전도 유형이 다른 두 개의 일반 트랜지스터로 만들 수 있습니다. 삼.
여기서 저항 R1과 R2로 구성된 분배기를 통해 흐르는 전류는 두 번째 저항에 전압 강하를 생성하여 트랜지스터 T1의 이미터 접합을 닫습니다. 이미 터의 전압이 증가하면 트랜지스터 T1은 트랜지스터 T2의베이스로 전류를 전달하기 시작하여 결과적으로 트랜지스터 T1도 열립니다. 이로 인해 트랜지스터 TXNUMX의 베이스에서 전압이 감소하고 결과적으로 트랜지스터가 더 많이 열리게 됩니다. 즉, 이러한 장치에서 트랜지스터를 여는 과정도 눈사태처럼 진행되며 전류는 다음과 같습니다. 소자의 전압 특성은 단일접합 트랜지스터와 유사한 형태를 갖는다. 단접합 트랜지스터의 장치 단일접합 트랜지스터(XNUMX 베이스 다이오드)는 다양한 자동화 장치, 펄스 및 측정 장비(발생기, 임계값 장치, 주파수 분배기, 시간 계전기 등)에 널리 사용됩니다. 단 접합 트랜지스터를 기반으로하는 주요 유형의 장치 중 하나는 이완 발진기이며 그 회로는 그림 1에 나와 있습니다. 하나.
전원이 켜지면 커패시터 C1이 저항 R1을 통해 충전됩니다. 커패시터 양단의 전압이 단접합 트랜지스터 T1의 턴온 전압과 같아지자 마자 이미터 접합이 열리고 커패시터가 빠르게 방전됩니다. 커패시터가 방전됨에 따라 이미 터 전류가 감소하고 턴오프 전류와 동일한 값에 도달하면 트랜지스터가 닫히고 프로세스가 다시 반복됩니다. 결과적으로 짧은 바이폴라 펄스가 발생기의 출력 신호인 베이스 B1 및 B2에 나타납니다. 발전기의 발진 주파수 f는 대략적인 공식을 사용하여 계산할 수 있습니다.
여기서 R은 저항 R1, Ohm의 저항입니다. 커패시터 C1, F의 C-커패시턴스; η는 단접합 트랜지스터의 전달 계수입니다. 주어진 발진 주파수에 대해 커패시터의 커패시턴스는 부하(R2 또는 R3)에서 원하는 진폭의 신호를 얻기 위해 가능한 한 크게 선택해야 합니다. 단접합 트랜지스터 생성기의 중요한 이점은 발진 주파수가 공급 전압의 크기에 약간 의존한다는 것입니다. 실제로 전압이 10V에서 20V로 변경되면 주파수는 0,5%만 변경됩니다. 저항 R1 대신에 외부 요인(빛, 온도, 압력 등)의 영향으로 저항을 변경하는 광 다이오드, 포토 저항, 서미스터 또는 기타 요소가 충전 회로에 포함되면 발전기가 펄스 반복 속도로 해당 물리적 매개변수의 아날로그 변환기 . 그림과 같이 구성표를 약간 변경합니다. 2, 동일한 발전기를 전압 비교 장치로 바꿀 수 있습니다. 이 경우 트랜지스터의 기본 회로는 기준 전압 소스에 연결되고 충전 회로는 연구중인 소스에 연결됩니다. 후자의 전압이 켜짐 전압을 초과하면 장치는 양극성 펄스를 생성하기 시작합니다. 장치에서 그 다이어그램은 그림 3에 나와 있습니다. 도 4에서, 커패시터는 저항 R1와 바이폴라 트랜지스터 T2의 이미터-콜렉터 부분의 저항을 통해 충전된다. 그렇지 않은 경우 이 생성기의 작동은 앞에서 설명한 것과 다르지 않습니다. 충전 전류 및 결과적으로 이 경우 단일접합 트랜지스터 T1의 이미터에서 가져온 톱니파 전압의 주파수는 튜닝 저항 R2를 사용하여 트랜지스터 T1 베이스의 바이어스 전압을 변경하여 조절됩니다. 이러한 장치에 의해 생성된 진동 형태의 선형성 편차는 XNUMX%를 초과하지 않습니다.
단접합 트랜지스터를 켜는 순간은 이미터 회로에 양극성 펄스를 적용하거나 B2 베이스 회로에 음극성 펄스를 적용하여 제어할 수 있습니다. 대기 멀티 바이브레이터의 작동은이 원리를 기반으로하며 그 회로는 그림 4에 나와 있습니다. 1. 원하는 작동 모드를 얻으려면 분배기 R1R2의 저항 저항 비율에 따라 달라지는 커패시터 C2의 최대 전압이 트랜지스터의 턴온 전압보다 낮게 설정됩니다. 이러한 전압 간의 차이는 트리거 회로의 가능한 간섭을 고려하여 선택되며, 이는 장치의 잘못된 경보로 이어질 수 있습니다. BXNUMX 베이스 회로에 음의 극성 펄스를 인가하면 베이스간 전압 UB1B2 감소 (변조) 결과적으로 트랜지스터 T1이 열리고 B1베이스에 양극성 펄스가 나타납니다.
단접합 트랜지스터는 계단 모양의 전압 발생기에도 사용됩니다. 대칭(정현파, 직사각형 등) 신호가 이러한 장치의 입력에 공급됩니다(그림 5 참조). 신호의 양의 반파로 커패시터 C1은 저항 R2와 트랜지스터 T1의 이미 터-컬렉터 섹션의 저항을 통해 단일 접합 트랜지스터 T2의 턴온 전압보다 훨씬 낮은 특정 전압으로 충전됩니다. . 다음 양의 반파가 작용하는 동안 커패시터 양단의 전압은 트랜지스터 T2의 턴온 전압과 같아질 때까지 같은 양만큼 단계적으로 증가합니다. 이미터에서 단계적 전압이 제거됩니다. 주파수 분배기의 작동은 이 원리의 사용을 기반으로 합니다. 단접합 트랜지스터의 한 단계는 최대 5의 분할 계수를 제공할 수 있습니다. 이러한 여러 장치를 단일 전체로 결합하면 훨씬 더 큰 분할 계수를 가진 분할기를 얻을 수 있습니다. 그림의 예를 들어. 6은 주파수 분할기의 다이어그램을 100으로 나눈 것입니다. 장치의 첫 번째 단계는 입력에 도달하는 양극성 펄스의 주파수를 4로 나누고 나머지 5개는 XNUMX로 나눕니다.
다이어그램에서 볼 수 있듯이 주파수 분배기 단계는 커패시터 C1-C3의 충전 회로에 있는 저항의 저항에서만 서로 다릅니다. 커패시터 C1의 충전 시간 상수는 저항 R2, R4에 의해 결정됩니다. R6 및 R2; C3 - 저항 R4. R6 및 R3; C5-R6 및 R1. 전원이 켜지면 커패시터 C3-C1이 충전되기 시작합니다. 장치의 입력으로 들어가는 양극성 전압 펄스는 커패시터 C4의 전압에 추가되고 그 합이 턴온 전압과 동일한 값에 도달하자마자 단접합 트랜지스터가 열리고 커패시터는 이를 통해 방전됩니다. 이미 터 접합. 결과적으로, 저항 R6 및 R2 양단의 전압 강하가 급격히 증가하고, 이로 인해 트랜지스터 T2 및 T2의 베이스간 전압이 감소하게 됩니다. 그러나 트랜지스터 TXNUMX는 커패시터 CXNUMX 양단의 전압이 감소된 베이스 간 전압에서 턴온하기에 충분할 때만 열립니다. 구분선의 세 번째 단계도 비슷하게 작동합니다.
매우 높은 효율을 특징으로하는 시간 계전기의 방식이 그림 7에 나와 있습니다. 1. 초기 상태에서 DZ 사이리스터는 닫혀 있으므로 장치는 실제로 에너지를 소비하지 않습니다(누설 전류가 작고 무시할 수 있음). 양극의 트리거 펄스가 제어 전극에 적용되면 사이리스터가 열립니다. 결과적으로 릴레이 P1이 활성화되고 접점(다이어그램에 조건부로 표시되지 않음)이 액추에이터를 켭니다. 동시에 커패시터 C2 및 C1는 저항 R2 및 R2를 통해 충전을 시작합니다. 첫 번째 저항의 저항이 두 번째 저항보다 몇 배나 높기 때문에 커패시터 C1가 먼저 충전되고 커패시터 C1 양단의 전압이 턴온 전압에 도달하면 단접합 트랜지스터가 열리고 커패시터 C2이 저항을 통해 방전됩니다. 이미 터 접합. 저항 R2에서 동시에 발생한 양의 극성 펄스는 커패시터 C1의 전압과 합산되며, 그 결과 DZ 사이리스터는 다음 트리거 펄스가 도착할 때까지 릴레이 RXNUMX을 닫고 전원을 차단합니다. .
회로가 그림 8에 표시된 장치는 전압을 주파수로 아날로그 변환하도록 설계되었습니다. 여기서, 트랜지스터(T2)는 이완 발진기에 사용되고, T1은 저항(R1, R2)과 함께 커패시터(C1)의 충전 회로에 포함된다. 트랜지스터 T1의 베이스 전압이 변경되면 이미 터-컬렉터 섹션의 저항이 변경되므로 입력 전압에 따라 단접합 트랜지스터 T2가 더 크거나 작은 주파수로 열립니다. 베이스 회로 B3의 부하 저항 R1에서 가져온 펄스의 주파수에 따라 장치 입력의 전압을 판단할 수 있습니다. 간행물: cxem.net
정원의 꽃을 솎아내는 기계
02.05.2024 고급 적외선 현미경
02.05.2024 곤충용 에어트랩
01.05.2024
▪ AllSeen Alliance의 새로운 개념의 인터넷
▪ 기사 손가락이 다치지 않습니다. 홈 마스터를 위한 팁 ▪ 기사 대머리 비너스를 위한 사원은 어디에 세워졌습니까? 자세한 답변 ▪ 기사 구리색 주석 땜납에 게시합니다. 간단한 레시피와 팁 ▪ 기사 최대 1kV 전압의 가공 송전선. 일반적인 요구 사항. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
홈페이지 | 도서관 | 조항 | 사이트 맵 | 사이트 리뷰
www.diagram.com.ua |
다른 기사 보기 섹션 
과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품:
이 페이지의 모든 언어