라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 TDA7294 칩의 UMZCH. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 트랜지스터 전력 증폭기 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS의 TDA7294 통합 회로는 사운드 재생 시스템에서 전력 증폭기로 작동하도록 설계되었습니다. 초소형 회로는 인쇄 회로 기판에 수직("멀티와트 15V") 및 수평("멀티와트 15H") 장착을 위한 성형 리드와 금속 기판을 갖춘 플라스틱 케이스로 생산됩니다. 각 패키지에는 15개의 하드 핀이 있습니다(그림 1). TDA7294의 단순화된 블록 다이어그램이 그림 2에 나와 있습니다. XNUMX. 이 마이크로 회로의 주요 특징 중 하나는 예비 및 출력 증폭 단계에서 전계 효과 트랜지스터를 사용한다는 것입니다. 장점으로는 높은 출력 전력(저항이 100Ω인 부하에서 최대 4W), 광범위한 공급 전압(7,5~50V)에서 작동할 수 있는 능력, 높은 기술적 특성(낮은 왜곡, 낮은 노이즈)이 있습니다. , 광범위한 작동 주파수 등), 필요한 최소 외부 구성 요소 및 저렴한 비용. 마이크로 회로는 출력 신호를 자동으로 신속하게 끄고(“음소거”) 대기 모드로 전환하는 기능(“대기”)을 구현합니다. 출력 트랜지스터의 부하 단락 및 과열에 대한 보호 장치도 내장되어 있습니다. TDA7294의 일반적인 연결 다이어그램과 핀아웃이 그림 3에 나와 있습니다. 5. 마이크로 회로의 메인 핀의 목적은 그림에서 분명합니다. 표시되지 않은 핀 11, 12, 6는 사용되지 않습니다. PIC 회로는 9번 핀에, 출력단 차단 제어 회로는 10번 핀에, 입력단 차단 제어 회로는 8번 핀에 연결되며, 후자의 경우 비반전 입력에 대해서만 제어가 이루어진다. . 핀 XNUMX은 미세 회로 본체의 금속 기판에 연결됩니다. 일반적인 TDA7294 연결 회로의 주요 외부 요소의 목적은 그림 3에서 볼 수 있습니다. 1. 저항 R2은 UMZCH의 입력 저항, 저항 R3, R3(또는 R2/R5 비율) - 이득을 결정합니다. R3C4 및 R4C1 요소는 입력 및 출력 단계의 자동 차단을 보장합니다. 커패시터 C2의 정격에서. C7는 낮은 오디오 주파수 범위에서 증폭기의 주파수 응답 경계를 결정합니다. C9, C6 - 전원 회로의 차단 커패시터; C8, C5 - 전원 공급 장치 필터 커패시터; CXNUMX는 PIC 회로에서 전압 부스터 기능을 수행합니다. 주요 기술 사양 UMZCH 당사에서 권장하는 연결회로를 사용하는 경우:
그림에서. 그림 4 - 11은 각 암의 공급 전압에 대한 UMZCH 출력 전력의 의존성(그림 4, 5), 출력 전력에 대한 고조파 왜곡(그림 6, 7), 주파수에 대한 고조파 왜곡(그림 8, 9)을 보여줍니다. ), 출력 전력에 대한 소비 전력 (그림 10, 11). 저자의 의견으로는 제조업체가 권장하는 TDA7294 연결 회로에는 여러 가지 단점이 있습니다. 여기에는 다음이 포함됩니다. 차단 주파수가 50~100kHz인 저역 통과 필터 칩의 입력이 없어 강력한 TV 및 라디오 방송국의 간섭과 출력에서 유도된 신호로부터 증폭기의 입력 회로를 보호할 수 있습니다. PIC로 인한 증폭기의 문제; 증폭기의 신뢰성을 감소시킬 수 있는 산화물 커패시터 C2 - C4의 사용; 고주파수 생성에 대한 저항의 필요한 마진을 유지하면서 증폭기의 입력 임피던스를 크게 증가시키는 것이 불가능합니다. 용량성 부품이 있는 부하에서 작동할 때 안정성 여유가 충분하지 않습니다. TDA7294의 권장 연결 회로를 변경하면 이러한 단점을 제거할 수 있었습니다(그림 12). 차단 주파수가 2...1kHz인 저역 통과 필터 R50C100이 미세 회로의 입력에 설치되고 산화물 커패시터 C2, C3 및 C4가 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 교체되고 입력 저항이 1MOhm(R3)으로 증가합니다. = 1M), 인덕터 L9의 출력 저항 R1, 커패시터 C6, C12 및 저항 R8에 션트된 것을 포함함으로써 증폭기의 안정성이 증가합니다. 증폭기는 저항 MLT-1.0(R8) 및 MLT-0,25(나머지), 커패시터 - K73-17(C2-C5)을 사용합니다. KT-1(C1, C6). KM-5(S7, S8.S12), K50-16(S9-S11). 수정된 증폭기 버전의 이득은 저항 R6/R1의 저항 비율에 따라 결정되며 저항 R1을 선택하면 넓은 범위 내에서 달라질 수 있습니다. 이 경우 필요한 안정성 마진을 확보하기 위해 커패시터 C6의 값을 명확히 할 필요가 있을 수 있습니다. 위 다이어그램에 따른 UMZCH의 실제 구현에서는 DC 전압 구성 요소의 부하 보호 장치, 전원 회로의 퓨즈 및 과부하 표시기로 보완하는 것이 좋습니다. 출력 전력(또는 출력 전압)을 높이려면 제조업체에서 권장하는 브리지 회로를 사용하여 TDA7294 마이크로 회로를 연결할 수 있습니다(그림 13). 브리지 증폭기의 주파수 응답은 그림 14에 나와 있습니다. 출력 전력에 대한 고조파 계수의 의존성은 그림 15에 나와 있습니다. 16, XNUMX. 수정된 회로를 사용하여 증폭기를 브리지할 때 동일한 특성이 보장됩니다(그림 17). 이 모드에서 최적의 작동을 위해서는 R6.1 = R6.2 = Radd 및 R1.1 = R1.2 등식을 충족해야 합니다. 여기서 R6.1. R6.2, R1.1. R1.2는 OOS 회로 UMZCH1 및 UMZCH2(그림 12 참조)의 저항 저항이고 Radd는 지점 C1과 B2 사이에 연결된 저항의 저항입니다(그림 17). 이러한 조건은 공칭 값에서 ± 1%의 저항 편차가 있는 저항기를 사용할 때 충족됩니다. 저자: A.Syritso, 모스크바 다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 세계 최고 높이 천문대 개관
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