환경 보호가 결합된 클래스 B 모드의 UMZCH. 계획, 설명

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환경 보호 기능이 결합된 클래스 B 모드의 UMZCH. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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이 증폭기에서 출력 단계는 대기 전류가 XNUMX인 절약 모드에서 작동합니다. 고주파수 트랜지스터와 얕은 결합 OOS를 사용하여 낮은 수준의 비선형 왜곡과 넓은 오디오 주파수 대역을 제공합니다.

제안된 고음질 증폭기는 비교적 단순하다. [1]에서 설명한 프로토타입과 비교하여 전압 증폭 출력 스테이지를 사용하여 출력 전력이 더 높습니다. 이 단계는 낮은 왜곡으로 높은 출력 전력에서 전원 공급 장치 전압을 최대한 활용합니다.

이 증폭기 중 하나는 총 전력이 6W인 8옴 및 200옴의 저항과 병렬로 연결된 두 개의 라우드스피커 형태의 부하에 대해 VIA에서 성공적으로 작동합니다.

UMZCH는 프리앰프와 함께 작동하도록 설계되었습니다. 신호 소스는 미니 센터, 컴퓨터, 라디오 테이프 레코더가 될 수 있습니다. 이러한 장치가 필요한 출력 전압을 제공하지 않으면 UMZCH에 볼륨 컨트롤이 있는 추가 증폭 단계를 추가해야 합니다.

주요 기술 특성

정격 입력 전압, V.......2,5
정격 출력 전력 W, at kr = 0,1%(주파수 1kHz, 부하 4옴 ..... 150)
부하용 8옴.....80
최대 단기 전력, W..... 220
고조파 계수 kg, %, 더 이상, 출력 전력 1...220 W에서
1kHz ...... 0,2의 주파수에서
20kHz ..... 0,7의 주파수에서
작동 주파수 범위, Hz, 불균일 -0,5dB......10...200000

증폭기는 부하 저항에 약간 중요하지만 최소 3옴이어야 합니다.

매개 변수는 자동 왜곡 측정기 S6-11 및 저주파 정밀 신호 발생기 GZ-122로 측정되었습니다.

UMZCH는 별도의 장치로 조립된 사전 단자 전압 증폭기와 최종 전력 증폭기로 구성됩니다.

전압 증폭기 (그 회로는 그림 1에 표시됨)는 두 개의 트랜지스터 VT1 및 VT2에서 만들어집니다. 두 캐스케이드는 지역 환경 보호에 의해 보호됩니다. 베이스 VT1에 대한 바이어스 전압은 적분기의 출력에서 연산 증폭기 DA1로 공급되며 입력은 증폭기의 출력에 연결됩니다. 이것은 연산 증폭기의 바이어스 전압의 정확도로 UMZCH의 출력에서 "제로 바인딩"이 수행되는 방식이며 추가 필터 커패시터 C3, C5가 있는 파라메트릭 스태빌라이저에 의해 구동됩니다. 증폭기가 켜지면 증폭기 양단의 전압이 부드럽게 증가하여 현재 과도 현상이 없습니다. 트랜지스터 VT2는 주 신호 증폭을 제공합니다. 컬렉터의 교류 전압은 출력의 절반이므로 왜곡이 크게 줄어듭니다. 커패시터 C7은 고주파에서 증폭기의 여기를 방지합니다.

환경 보호 기능이 결합된 클래스 B 모드의 UMZCH

최종 전력 증폭기(그림 2)는 로컬 OOS를 사용하여 VT2-VT9 트랜지스터에 조립됩니다. 5와 같은 전압 이득은 저항 R8와 R6, R9 및 R1의 저항 비율에 의해 결정됩니다. 트랜지스터 VT3의 캐스케이드는 열 피드백을 통한 열 안정화 기능이있는 출력단 트랜지스터의 바이어스 전압원입니다. 전압 부스트 회로 (저항 R4 및 R4, 커패시터 C19)는 분배기 R21R2을 통해 출력 전압에 의해 공급됩니다. 커패시터 C3, C1는 XNUMXkHz 이상의 입력 신호 주파수에서 짧은 "플래시" 형태로 나타나는 여기를 제거합니다. 비대칭 출력단은 XNUMX에 가까운 무부하 전류로 작동하는 고주파수 트랜지스터(각 암에 XNUMX개)에서 만들어집니다.

환경 보호 기능이 결합된 클래스 B 모드의 UMZCH

증폭기는 부하 전류(저항 R20에서)와 전압(최종 단계의 출력에서)에 대한 결합된 피드백으로 덮여 있습니다.

부품 배열이있는 단자 전압 증폭기의 인쇄 회로 기판 도면이 그림에 나와 있습니다. 삼.

환경 보호 기능이 결합된 클래스 B 모드의 UMZCH

강력한 캐스케이드의 인쇄 회로 기판 도면이 그림에 나와 있습니다. 4 (부품 설치 측면 및 후면에서).

(확대하려면 클릭하십시오)

UMZCH 설치에는 여러 가지 기능이 있으며 고충실도 증폭기에 대한 요구 사항에 따라 만들어집니다[2].

단자 전압 증폭기는 양면 호일 유리 섬유로 만들어진 인쇄 회로 기판에 장착되며 모든 부품은 인쇄된 도체의 측면에 납땜됩니다("표면 장착"). 보드 반대쪽의 호일은 차폐 역할을 하며 입력 측의 공통 와이어에 연결됩니다. 신호 공급 와이어의 스크린도 같은 지점에 납땜됩니다. 간섭을 줄이기 위해 터미널 증폭기는 주석 도금 시트 실드에 배치되고 길이가 20cm에 달하는 1,5개의 도체로 터미널 전력 증폭기에 연결되며 와이어 A, B 및 C가 함께 꼬여 있습니다. 공통 와이어의 단면적은 2mmXNUMX 이상이어야 합니다. 출력 측에서 보드에 납땜됩니다.

라인 종단 전압 증폭기는 출력 및 공급 회로의 주전원 변압기에서 멀리 배치되며 스크린은 증폭기 케이스와 접촉할 수 있습니다. 이 장치는 차폐 케이블을 사용하여 UMZCH 케이스와의 접촉도 허용되는 입력 커넥터 또는 추가 증폭기에 연결됩니다.

최종 전력 증폭기는 양면 호일 유리 섬유로 만들어진 인쇄 회로 기판에 장착됩니다. 부품 설치도 피상적입니다. 하나의 출력을 가진 저항 R5, R6, R19, R20 및 커패시터 C5, C6은 보드 뒷면의 공통 와이어 호일에 납땜되며 단면적이 1,5mm2 인 점퍼로 호일의 해당 섹션에 연결됩니다. 부분에서. 커패시터 C4를 연결하려면 점퍼도 납땜해야 합니다.

코일 L1은 직경 10mm의 맨드릴에 감겨 있으며 직경 30mm의 PEV-2 와이어가 1회 감겨 있습니다. 내부에는 저항 R18이 있습니다.

트랜지스터 VT4 및 VT5는 작은 방열판에 장착됩니다. 그들에 의해 소비되는 전력은 저항 R12, P13의 저항을 24 0m로 증가시켜 줄일 수 있습니다. 출력 트랜지스터는 일반 방열판에 장착되며, 작성자 버전에서는 개인용 컴퓨터 설계에서 알려진 "타워"케이스(타워)의 측면 두꺼운 패널로 사용됩니다. 전력 트랜지스터(특히 이미터)에 연결되는 전선의 길이는 최소여야 합니다.

고전류 회로의 설치는 단면적이 2mm2인 고품질 설치 전선을 사용하여 수행해야 합니다. 이러한 연결은 XNUMX개 또는 XNUMX개의 더 작은 전선을 병렬로 연결하는 것이 가장 좋습니다. 이 권장 사항은 AC 연결 케이블에도 적용됩니다.

UMZCH에 전원을 공급하려면 중간에서 리드가 있는 500차 권선이 있는 약 213W 전력의 네트워크 변압기가 적합합니다. 증폭기를 "부드럽게" 포함하도록 구성하는 것이 좋습니다. 정류기의 다이오드 - KDXNUMXA는 방열판에 설치됩니다.

위에서 설명한 UMZCH 노드는 먼저 별도로 구성됩니다.

전압 증폭기 보드(그림 3 참조)에서 와이어 B는 정류기의 중간 지점에 점퍼로 연결되고 점퍼로 납땜된 와이어 A와 B는 4,7kΩ 저항을 통해 전원의 양극 출력에 연결됩니다. (+44V). 전원 공급 장치를 켜고 트랜지스터 VT2의 콜렉터에 일정한 전압이 없는지 확인하십시오. 확인 후 기술 점퍼를 제거하고 위의 저항을 와이어 B와 전원의 음극 단자 사이의 최종 전력 증폭기 보드에 납땜합니다. 커패시터 C2, C3 및 강력한 트랜지스터 VT6-VT9는 아직 보드에 연결되지 않았습니다. 전원을 켠 후 트리밍 저항 R2는 0,5에 가까운 최종 전력 증폭기의 출력 전압에서 저항 R0,55, R12 각각의 전압을 13 ... XNUMXV로 설정합니다.

보드를 공동으로 확인하기 위해 4,7kOhm 프로세스 저항이 제거되고 강력한 트랜지스터 VT6-VT9와 전압 증폭기 보드가 출력 스테이지 보드에 연결됩니다.

다음으로 전압 증폭기에서 무부하 및 부하 모드에서 UMZCH의 안정적인 동작이 유지되는 커패시터 C7의 최소 커패시턴스를 선택해야합니다. 오실로스코프 화면에서 신호 형태의 안정성을 평가하려면 주파수가 1 ... 15kHz인 "meander" 유형의 테스트 신호를 사용하는 것이 좋습니다. "meander"의 전면에 신호를 설정하는 일시적인 프로세스는 고주파 발진의 2 ~ 3 반주기를 넘지 않아야합니다. 주파수가 100kHz 인 입력 신호에서 트랜지스터 VT500 및 VT2의 이미 터에서 RF 발진이 발생하면 터미널 증폭기에서 커패시터 C3 및 C15 (용량 XNUMX ... XNUMXpF)가 설치됩니다.

희귀 트랜지스터 2T830G 및 2T831G는 공급 전압이 ± 850V로 감소하면 KT851A 및 KT816A의 보완 쌍 또는 적절한 매개 변수가 있는 수입 트랜지스터와 트랜지스터 KT817G 및 KT35G로 교체할 수 있습니다. 고속 트랜지스터 KT8101A, KT808A , KT819G도 최종 단계에 적합합니다. 트랜지스터를 교체하는 경우에는 보정 커패시터의 커패시턴스를 다시 선택해야 합니다.

증폭기에서 최대 10μF 용량의 내열성 그룹 세라믹 커패시터 K17-10, K47-0,1, 최대 4,7μF 용량의 필름 커패시터, 최대 용량의 산화물 커패시터 K50-35를 사용할 수 있습니다. 1000μF 또는 K50-18, K50-37

문학

광대역 OOS를 사용하는 Akulinichev I. UMZCH. - 라디오, 1993, 1번, p. 22.
Ataev D. I., Bolotnikov V. A. 고품질 사운드 재생 증폭기의 기능 장치. MRB. -M.: 라디오 및 통신, 1989, p. 121-130.

저자: V.Batsunov, 탐보프

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지능 수준의 특성으로서의 신경 효율성 16.08.2015

"똑똑한 사람들은 더 잘 생각한다"라는 문구는 동어반복처럼 보입니다. 그들은 더 잘 생각하기 때문에 똑똑합니다. 그러나 "더 나은 생각"은 무엇을 의미합니까? 아마도 두뇌가 더 효율적으로 작동한다는 사실일 것입니다. 실제로, 신경 회로의 효과적인 작동과 지능 수준 사이의 연결은 당연하게 여겨지는 것처럼 보이며 대부분의 심리학자와 신경 과학자는 오랫동안 신경 효율성 가설에 따라 작동했지만 단지 하나의 가설일 뿐입니다. 여기에는 실험적 증거가 없었고 추측에 의한 자기 증거에 만족해야 했습니다.

그러나 ETH Zurich의 연구원들이 증거를 입수했습니다. 어느 시점에서 그들은 평균보다 약간 높은 지능을 가진 사람들의 뇌의 전기적 활동이 높은 지능을 가진 사람들의 뇌 활동과 다르다는 것을 알아차렸습니다. 이러한 차이점은 작업 기억의 적극적인 사용을 목표로 하는 작업을 수행하는 동안 나타납니다.

작업 기억 또는 작업 기억(단기 기억과 혼동하지 말 것)은 논리적 문제를 해결하거나 복잡한 정보를 이해하는 것과 같이 순간적인 정신 활동에 필요한 작은 정보를 저장합니다. 그것은 우리가 끊임없는 정보의 흐름에서 필요한 것과 불필요한 것을 얼마나 잘 분리하는지, 또는 예를 들어 우리가 상황의 변화를 얼마나 잘 느끼는지에 달려 있습니다.

피질의 전두엽은 이러한 문제를 해결하는 데 적극적인 역할을 합니다. 실험은 한 그룹의 학생들에게 다양한 정도의 복잡성을 지닌 일련의 인지 과제를 제시했다는 사실로 이루어졌습니다. 그리고 제한된 시간 안에 두 번째 세트 중 어느 것이 첫 번째 세트인지 결정해야 했습니다. 실험의 모든 참가자는 기존의 IQ 테스트 결과에 따라 두 그룹으로 나뉩니다. 모든 뇌 활동은 뇌파계를 사용하여 기록되었습니다(연구원들은 EEG 방법이 다른 그룹의 사람들에서 뇌 활동의 평균 차이를 평가하는 데 매우 적합하다고 주장합니다.).

Intelligence 저널의 기사에서 저자는 가장 쉽고 가장 어려운 작업을 수행할 때 보통 수준의 똑똑한 학생과 특히 똑똑한 학생의 두뇌가 거의 비슷하게 작동한다고 썼습니다. 그러나 그 차이는 보통 난이도의 작업에서 명확하게 나타났습니다. 그리고 이 경우의 요점은 어떤 사람들은 그것들에 대처했지만 다른 사람들은 그렇지 않았다는 것이 아닙니다. 두 그룹 모두 같은 방식으로 테스트에 대처했습니다. 그러나 이것은 다른 사람들을 위해 다른 자원을 필요로 했습니다. 평균 이상의 IQ를 가진 사람들의 경우 약간 어려운 작업은 더 경제적인 노력으로 해결되었고 전두엽은 덜 작동했습니다. 평균보다 약간 높은 IQ를 가진 사람들의 경우, 보통 난이도의 작업에는 더 많은 두뇌 활동이 필요했습니다. 즉, 똑똑한 학생은 더 효율적으로 생각했습니다. 이것을 다시 반복합시다. 둘 다 문제를 해결했지만 일부의 경우 솔루션이 신경적 노력을 덜 필요로 했습니다.

작업 기억 및 관련 지능 기능을 훈련할 수 있습니까? 이 작업의 저자는 실망스러운 답변을 제공합니다. IQ가 약한 사람이 어려운 작업을 수행하기 위해 훈련을 하더라도 훈련을 받지 않은 경쟁자가 다른 어려운 문제를 해결해야 하는 경우 훈련을 받지 않은 경쟁자보다 이점이 없을 것입니다. 훈련 하나. 그러나 신경 과학자와 심리학자 사이에는 이에 대한 합의가 없으며 많은 사람들이 지능의 다른 부분을 "펌핑"하는 것이 가능하다고 믿습니다.

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