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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 144MHz의 XNUMX단계 송신기. 무선전자공학 및 전기공학 백과사전
144~146MHz 범위의 장거리 통신에는 고주파 안정성이 필요합니다. 이 문제는 500-1000km 거리에서 통신을 설정할 때 특히 필요한 석영 안정화를 사용하면 가장 쉽게 해결됩니다. 그러나 이 범위의 단거리 통신은 드물지 않으며 범위는 50~300km입니다. 이 경우 석영 안정화를 일시적으로 포기하고 석영 발진기를 저주파에서 작동하는 매우 안정적인 LC 발진기로 교체할 수 있습니다. 예를 들어, 필요한 설계 조건(부품 품질, 전기 및 열 차폐, 램프 유형 등)에 따라 7-8MHz 이하의 주파수에서 작동하는 Tesla 회로는 한 단계만 안정성을 제공합니다. 기존의 석영 회로보다 낮습니다. 동시에 송신기 회로의 구성은 석영과 동일하게 유지됩니다. 즉, 7-8MHz의 마스터 발진기, 다수의 승수, 사전 터미널 증폭기 및 출력단입니다. 마지막으로 144-146MHz 범위에서 충분한 안정성을 얻는 또 다른 방법이 있습니다. 이는 6단계 회로의 작동 주파수에서 직접 향상된 매개변수 주파수 안정화를 사용하는 것입니다. 이렇게하려면 마스터 발진기가 고품질 회로에서 작동하고 기계적 강도가 높으며 자체 여기 경향이 제거되는 후속 캐스케이드에 의해 과부하가 걸리지 않아야합니다. 이러한 조건의 충족은 마스터 및 출력 단계의 회로에서 푸시-풀 회로에 의해 크게 촉진됩니다. 이 원리에 따라 32NZP 및 GU-XNUMX 램프를 사용하여 XNUMX단계 송신기 회로를 구축하고 종합적으로 테스트했습니다. 회로의 기본은 GU-6에서 출력단의 그리드 회로가 장착된 1961/32파 1선식 라인("Radio" N 6, 3)의 양극 회로가 있는 VHF 장치입니다(그림 32 참조). 6). 3N144P 램프에 조립된 마스터 발진기의 고출력으로 인해 GU-146 그리드 회로를 조정하지 않고도 수행할 수 있으므로 주파수 안정성이 증가하고 출력단이 자기 여기되는 경향이 감소합니다. 비대칭과 기생 회로 및 연결 가능성을 제거하기 위해 송신기의 설계는 자의 형태로 설계되었습니다. 32NXNUMXP 램프의 마스터 발진기는 XNUMX-XNUMXMHz 범위의 고정 주파수에서 작동하며 GU-XNUMX 램프의 양극 회로에서 전체 송신기에 하나의 출력 회로만 구성됩니다. 이는 설계를 단순화할 뿐만 아니라 기본 주파수에서 기계적으로 신뢰할 수 없는 튜닝 요소를 제거하여 주파수 안정성을 향상시킵니다. 연습에 따르면 고정된 빈도로 이 범위에서 작업하는 것이 유익하고 때로는 결정적입니다. 범위의 좁은 부분에서만 통신원을 기다리고 검색할 수 있고 멀리 있는 통신원을 더 잘 인식할 수 있기 때문입니다. 등.
고주파 송신기 장치의 설계 그림 2는 구조의 일반적인 보기를 보여주고 그림 3은 송신기의 모든 부품과 구성 요소의 일반적인 배열을 보여줍니다.
건설하는 동안 6N3P 램프의 마스터 발진기(설계 및 설치는 6년 라디오 번호 1961의 설명과 완전히 일치함), 전력 증폭기 입력의 세 노드의 상대적 위치가 필수적이라는 점을 염두에 두어야 합니다. 회로(L4) 및 양극 회로(L5C9L6), 작동 주파수 조정 및 부하와의 연결이 모두 수행됩니다.
Размеры 송신기의 개별 부품은 그림 4에 나와 있습니다.. GU-32 램프의 세라믹 패널은 6,3개의 스탠드에 장착되며 어떤 재료로도 만들 수 있습니다. 필라멘트에 32V 전원이 공급되면 필라멘트의 두 외부 단자가 함께 연결되고 넓은 구리 스트립이 섀시에 접지됩니다. GU-4의 음극은 반대쪽에 동일한 스트립으로 접지되어 있습니다. 이 설치는 음극 회로의 인덕턴스와 캐스케이드의 자가 여자 경향을 감소시킵니다. GU-32 3 그리드 체인의 L2 연결 루프는 3mm 구리선으로 만들어지며 램프 소켓의 그리드 꽃잎에 직접 납땜됩니다. 루프의 단락된 끝은 R4C32 셀에 연결되어 GU-3 램프에 필요한 바이어스가 생성됩니다. 마스터 발진기 회로 L3C4과의 충분한 연결은 섀시에서 코일 L32의 거리가 약 XNUMXmm일 때 달성됩니다. 소켓 위의 두 번째 그리드와 GU-32 램프의 필라멘트 콘센트 근처에는 플레이트 7에 접지 된 커패시터 C8, C2 (KCO-2)이 있습니다. 급냉 저항 R4의 값 범위는 5,1 소스 전압 영양에 따라 kΩ ~ 30kΩ. 섀시의 뒷면에는 GU-32 램프 양극의 단단한 리드와 절연 재료로 만든 막대에 직접 장착되는 GU-32 램프의 양극 회로가 있습니다. 양극 라인 4는 4mm 구리 와이어로 만들어집니다. 열린 끝에서 와이어는 퍼즐로 자르고 탄력있는 접촉 판은 슬롯 - 클램프 5에 납땜됩니다. 라인 끝에서 65mm 떨어진 곳에 M4 나사 6이있는 두 개의 와셔가 납땜됩니다. 커패시터(C7)의 가동 고정자 플레이트(9)가 부착되어 있다. 원형 고정자 플레이트(구리, 황동)에는 관통 나사 3(M8)의 중앙에 M3 나사산이 있습니다. 로터 플레이트(9)는 0,5mm의 구리 스트립으로 만들어지고 유기 유리 또는 다른 우수한 절연체로 된 플레이트(10)에 장착된다. 플레이트(10)는 라인 아래 섀시의 베이스에 부착된 기둥(11)에서 회전하는 축(12)에 두 개의 너트로 부착됩니다. 이 세부 사항은 이전에 설명한 VHF 장치에 대한 조정 방법("Radio" No. 6, 1961)과 모든 면에서 유사합니다. 라인의 단락된 끝은 M2 나사로 플레이트 13(구멍)에 나사로 고정됩니다. 이 판은 절연 재료로 만들어졌으며 각도 14로 섀시에 부착됩니다. 같은 판에 안테나가 있는 통신 루프와 양극 초크가 부착됩니다(점 A와 B 사이). 통신 루프의 치수는 사용되는 안테나의 품질과 특성에 따라 선택되며 길이는 약 100-120mm입니다. 작업 설정 및 제어 튜닝 프로세스 중에 마스터 발진기의 커패시턴스 C3(그림 1a)을 변경하여 고정 작동 주파수가 선택됩니다. C3 플레이트 사이의 정상적인 거리는 약 1,2-1,1mm이며 약간의 변화를 통해 144-146MHz 범위의 주파수를 선택할 수 있습니다. 이 조정은 GU-32 램프가 켜진 상태에서 보정된 수신기 또는 파동 측정기를 사용하여 수행됩니다. GU-32 램프의 그리드 바이어스 회로에서 여자의 양을 제어하기 위해 0-10mA 밀리암페어가 그리드 회로에 연결되고 루프 L4의 연결은 잔류 전류가 3-4-32 정도가 되도록 선택됩니다. 9mA. 그 후, 애노드 및 스크린 전압이 켜진 상태에서 캐패시턴스 C8가 변경될 때 애노드 전류의 감소 또는 네온 표시기의 글로우에 의해 GU-6에서 애노드 회로의 공진이 결정됩니다. 공진을 찾을 수 없는 경우 부싱 4의 나사 3을 회전시켜 고정자 플레이트 사이의 거리를 변경합니다(그림 XNUMX). 고정자 플레이트의 새로운 위치는 잠금 너트로 고정됩니다. 일반적으로 플레이트 사이의 거리는 XNUMXmm입니다. 이러한 변경 후에 커패시터 회전자를 회전시켜 양극 라인의 공진을 다시 달성하여 회전자가 고정자가 덮는 면적의 절반만 되도록 노력합니다. 이러한 커패시턴스의 "마진"은 안테나가 켜져 있을 때 회로를 조정하는 데 필요합니다. 양극 회로의 ps 공진 위치를 찾은 후 양극 및 스크린 전압을 끄고 공진 위치 근처에서 커패시터 C9를 재구축하여 GU-32 램프의 그리드 전류 판독 값을 관찰합니다. 장치의 화살표는 양극 회로의 공진을 통과하는 순간에 변동해서는 안됩니다. 화살표의 변동은 직접 연결로 인해 또는 램프의 커패시턴스를 통해 그리드와 양극 회로 사이에 기생 연결이 있음을 나타냅니다. 이러한 연결과 충분한 여기로 MN-3 유형의 네온 램프가 양극 회로에서 밝힐 수 있습니다. 이러한 조건에서 출력단은 양극과 스크린 전압이 연결되거나 변조에서 변경될 때 자체 여기될 수 있습니다. 작동 주파수에서 자체 여기하려는 출력단의 경향은 다음 기능으로도 감지할 수 있습니다. 1) 부하(안테나, 전구)에 대한 최대 반환이지만 가장 낮은 전류 및 양극 회로의 위치에 해당합니다. 2) 두 개의 설정이 수신기에 나타나며 주파수가 가깝고 그 중 하나는 마스터 발진기의 설정에 해당하고 두 번째는 출력에 해당합니다. 스루 커패시턴스를 통한 결합으로 인한 자기 여기 경향은 일반적으로 출력단을 중성화하여 제거할 수 있습니다. 이를 위해 그리드 및 양극 회로는 일반적으로 GU-1 패널의 그리드 리드에 단단히 부착된 1,5mm 단선 조각으로 만들어진 추가 커패시턴스 Sn 및 Sn을 통해 역위상으로 인위적으로 연결됩니다. 그런 다음 섀시의 구멍(그림 32, c)을 통해 실린더 외부의 램프 양극으로 전달됩니다. 와이어를 교차하여 필요한 역상 전압이 달성되어 자기 여기를 보상합니다. 애노드 스크린 전압이 제거된(그러나 여기 공급됨) 캐패시턴스 Sn, Sn이 도입된 후 애노드 회로가 공진으로 조정될 때 GU-32 램프의 그리드 전류가 다시 확인됩니다. 계통 전류가 변경되면 램프 양극의 질량에 대한 전선의 위치를 변경하거나 축소함으로써 계통 장치의 판독값이 양극 회로의 설정과 완전히 독립적입니다. 푸시풀 회로의 대칭성을 위반하는 경우에도 자기 여기(self-excitation) 경향이나 기생 진동의 발생이 나타난다. 이것은 변조기 또는 그 개별 구성요소를 회로에 포함할 때와 안테나 스위치, 측정기, 상자 벽 등을 도입할 때 고려해야 합니다. 명명된 부품이 위치해야 하는 거리는 32~50배여야 합니다. RF 라인의 와이어 사이의 거리, t.s. GU-75 XNUMX-XNUMXmm용.
표는 RF 장치의 여러 작동 모드를 보여줍니다. 마스터 발진기는 안정화된 150V 소스에 의해 전원이 공급되며 양극 전류 범위는 표에 표시된 모드에 대해 12~15,5mA입니다. 스크린 그리드 Ic2 또는 출력 램프 GU-1의 첫 번째 그리드 Ic32 전류의 양극 전류 Ia 값은 분수로 표시됩니다. 분자는 부하가 없는 전류 값에 해당합니다. 분모 - 부하가 켜진 상태에서. 백열 전구를 사용하여 튜닝된 LC 회로인 RF 전력계를 부하로 사용했습니다. RF 전력 데이터는 전신 모드를 나타내며 표 1의 마지막 두 줄은 GU-32 램프의 일반적인 작동 모드에 대한 데이터를 보여줍니다. 전화로 작업할 때 가장 유리한 모드는 Uc2=160-170V에서 얻습니다. Ua-320-350B. 장거리 통신 설정에 대한 초기 실험은 수신기의 두 번째 로컬 발진기를 사용하거나 톤 변조를 사용하여 전신 모드에서 가장 잘 수행된다는 점을 기억해야 합니다. 설명된 144MHz의 XNUMX단 송신기 회로는 기존의 자려 발진기에 비해 몇 가지 장점이 있습니다. 1) 슈퍼헤테로다인 회로에 따라 조립된 수신기가 신호를 자신 있게 수신할 수 있을 정도로 주파수 안정성이 증가합니다. 2) 효율성이 크게 증가합니다. 3) 6N3P 및 GU-32 램프 패널을 제외하고 구매한 희소 부품이 포함되어 있지 않으므로 설계 반복이 용이합니다. 그러한 계획은 XNUMX미터 범위에서 광범위한 공격을 시작하는 데 사용될 수 있는 것으로 보입니다. 저자: A. Kolesnikov(UI8ABD), 타슈켄트; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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