램프 장비용 펄스 조절식 전원 공급 장치. 계획, 설명

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램프 장비용 펄스 조정 가능 전원 공급 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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제안된 램프 장비용 스위칭 전원 공급 장치는 공통 부품의 간단한 회로에 따라 조립되어 안정화된 전압을 생성하며 50...250V 내에서 조정 가능합니다. 최대 부하 전류는 0,3A입니다. 리플 레벨은 수십 분의 XNUMX을 초과하지 않습니다. 볼트의.

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그림은 제안된 장치의 다이어그램을 보여줍니다. 여기에는 네트워크 변압기 T1, 애노드 전압 정류기 브리지 VD1, 커패시터 01 및 C6, 키 트랜지스터 VT1, 스토리지 초크 L1, 다이오드/04, 출력 커패시터 C8 및 C9, DA2 칩의 출력 전압 조정기, 옵토커플러 U1, 트랜지스터 VT2 및 상보형 키 전계 효과 트랜지스터 VT3의 어셈블리.

장치는 다음과 같이 작동합니다. 변압기 T1에 주전원 전압이 적용되면 커패시터 C1-C7이 충전됩니다. 옵토커플러 U1의 포토트랜지스터는 닫혀 있고, 이에 의해 제어되는 트랜지스터 VT2도 닫혀 있습니다. 저항 R3를 통해 VT5 어셈블리의 상부 트랜지스터 게이트에 12V의 전압이 공급되어 열립니다. 소스를 기준으로 트랜지스터 VT1의 게이트에 동일한 전압이 공급되고 그 결과 VT1이 열리고 인덕터 L1을 통과하는 전류가 선형적으로 증가하여 출력 커패시터 C8 및 C9를 충전합니다. 이들 사이의 전압이 증가하고 분배기 R7-R9를 통과하는 전류가 증가합니다. 저항 R9의 전압 강하가 2,5V를 초과하면 칩 DA2가 열리고 저항 R1에 의해 제한된 전류가 옵토커플러 U1의 방출 다이오드를 통해 흐릅니다. 광 커플러 U1의 포토 트랜지스터가 열리고 트랜지스터 VT2도 열리고 회로에서 VT3 어셈블리의 상위 트랜지스터가 닫히고 이 어셈블리의 하위 트랜지스터가 열리고 VT1 트랜지스터의 게이트 소스를 우회하여 닫힙니다.

VT3 트랜지스터 어셈블리를 사용하는 이유는 주요 트랜지스터 VT1의 입력 커패시턴스가 수천 피코패럿에 달하기 때문입니다. 신속하게 재충전하기 위해 VT3 트랜지스터 어셈블리가 사용되며 그 요소는 개방 상태에서 채널 저항이 낮습니다. 저항 R6은 펄스 전류를 안전한 수준으로 제한하여 장치의 신뢰성을 높입니다. 트랜지스터 VT1이 닫히면 인덕터 L1의 자기장에 축적된 에너지가 다이오드 VD4를 통해 출력 커패시터 C8 및 C9로 전달됩니다. 커패시터는 부하로 방전되고 커패시터 양단의 전압은 감소합니다. 저항 R9의 전압이 2,5V 아래로 감소하면 DA2 마이크로 회로가 닫히고 옵토커플러 U1의 방출 다이오드가 꺼지고 이 옵토커플러의 포토트랜지스터가 닫힙니다. 그런 다음 설명된 프로세스가 반복됩니다.

변압기 - TAN57-220-50. 사용할 수 없는 경우 흑백 튜브 TV의 잠수함 자기 회로에 TS160-TS200 네트워크 변압기를 사용할 수 있습니다. 변압기가 분해되고 필라멘트 권선이 코일에서 감겨지고 (가장 두꺼운 와이어로 만들어짐) 회전 수를 계산합니다. 그런 다음 0,7차 권선이 별도의 스풀에 감겨 있습니다. 일반적으로 직경 0,8~20mm의 와이어로 제작됩니다. 필라멘트 권선의 권선 수에 2을 곱하면 각 코일에 대한 양극 권선의 권선 수를 얻습니다. 변압기를 조립한 후 이러한 권선을 위상 직렬로 연결해야 합니다. 다이오드 브리지 VD3 및 VD0,31에 연결된 권선의 권선 수는 필라멘트 권선 권선의 권수보다 XNUMX배 커야 합니다. 이러한 권선은 다른 코일에 기존 와이어(PEL XNUMX을 사용할 수도 있음)로 감겨 있습니다. 필라멘트 권선(그림에 표시되지 않음)은 이전에 제거한 와이어로 감겨 있습니다. 이는 전원 장치 램프의 필라멘트 회로에 전원을 공급하는 데 사용됩니다.

변압기를 조립할 때, BF-2 접착제와 혼합된 파쇄되고 체로 쳐진 페라이트 분말로 만든 페라이트 페이스트를 자기 회로의 끝 부분에 도포해야 합니다.

트랜지스터 VT1은 내부 다이오드, 절연 게이트 및 n형 유도 채널을 갖춘 강력한 전계 효과 스위칭으로, 최대 허용 드레인-소스 전압은 최소 400V, 드레인 전류는 최소 2A입니다. , 수입 IRF710-IRF740, IRF810-IRF840, 국내 KP707 문자 인덱스. 트랜지스터 VT2 - 기본 전류 전달 계수가 100보다 큰 저전력 실리콘(예: 문자 인덱스가 있는 KT342 또는 KT3102) 옵토커플러 U1 - 문자 인덱스가 있는 4N25-4N35, RS811-RS817, M008011, MOS8012 또는 국내 AOT128을 가져왔습니다. 다이오드 브리지 VD1 - 최소 1A의 평균 정류 전류 및 최소 400V의 역전압용(예: DB107, W10M 또는 개별 KD226D 다이오드로 조립). 다이오드 브리지 VD2 및 VD3은 최소 0,1A의 정류 전류 및 최소 30V의 역전압을 위해 설계되어야 하며, 적절한 매개변수를 사용하여 별도의 다이오드로 조립할 수 있습니다. VD4 다이오드는 허용되는 순방향 전류가 1A 이상이고 역방향 전압이 400V 이상인 펄스 다이오드입니다(예: FR30-7, FR207).

통합 안정기 DA1은 출력 전압이 12V이고 전류가 0,1A 이상인 것(예: 7812, 78M12, 78L12)일 수 있습니다. DA2 칩은 국내 K142EN19일 수 있습니다. 정격 전압이 다이어그램에 표시된 것보다 낮지 않은 산화물 커패시터를 수입합니다. 정격 전압이 6V인 커패시터 C9 및 C73 - K17-400. 커패시터 C1 및 C8의 작동을 크게 촉진합니다. 커패시터 C5 및 C7 - KM-5a 또는 K10-17. 고정 저항기 - MLT 및 S2-23. 가변저항 R8은 수입품으로 최소 200V의 전압을 견딜 수 있는 국산품으로 교체가 가능합니다.

초크 L1은 표준 크기 Ш0,46x6의 프레임이 M6NM2000 페라이트로 채워질 때까지 직경 1mm의 PEL 와이어로 감겨 있습니다. 자기 코어는 0,2mm의 간격으로 조립되고 완성된 초크에는 파라핀이 함침되어 휘파람 소리가 발생하지 않습니다.

장치는 표면 장착을 통해 범용 브레드보드에 조립되고 무선 장착 테이블에 내장됩니다.

저자: K. 모로즈

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대학원생은 실리콘 검출기가 사용되는 이러한 유형의 핵 배터리가 알려져 있다고 언급했습니다. "그러나 실리콘 검출기는 사용하는 동안 열화(방사선의 영향으로 특성을 잃음)합니다(실리콘은 내방사선성 물질이 아닙니다)."라고 젊은 과학자가 설명했습니다.

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