CMOS 칩의 전압 조정기. 계획, 설명

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전력 요소가 스위칭 모드에서 작동하는 전원은 활성 모드에서 작동하는 요소가 있는 전원보다 더 복잡하지만 효율성은 후자보다 25배 또는 50배 더 높습니다. 폐쇄 및 포화 상태의 트랜지스터는 전력을 거의 소비하지 않기 때문에 스위칭 전압 안정기의 효율이 높습니다. 또한 리플 주파수가 높기 때문에(XNUMX~XNUMXkHz) 출력에서 인덕턴스 및 커패시턴스 값이 큰 필터가 필요하지 않습니다. 핵심 요소의 스위칭 주파수는 일정하지만 개방 상태(PWM)의 지속 시간은 가변적인 스위칭 전압 안정기는 다른 유형의 안정기보다 간단하며 저주파 트랜지스터를 사용할 수 있습니다.

제안된 PWM 펄스 전압 안정기(그림 1)에는 K176LP1 CMOS 칩에 만들어진 펄스 폭 변조기가 포함되어 있습니다[1]. 이것은 CMOS 트랜지스터 세트(1.1개의 p 채널 및 1.2개의 n 채널)를 포함하는 다목적 칩입니다. 인버터 DD176 및 DD1. 각각은 K4LP3 마이크로 회로에 위치한 두 개의 트랜지스터로 구성되며 저항 R176 및 커패시터 C1과 함께 멀티 바이브레이터를 형성합니다. K1LP1 마이크로 회로의 나머지 두 트랜지스터 (n 채널 및 p 채널)는 출력에 병렬로 연결됩니다. 인버터 DD4 XNUMX 및 저항 RXNUMX.

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출력 DD1.1의 레벨이 높으면 다이오드 VD2가 열리고 저항을 무시하고 트랜지스터의 p 채널이 저항 R4와 병렬로 연결되고 제어가 감소함에 따라 채널 저항이 떨어진다고 가정할 수 있습니다. 전압. 비슷한 방식으로, 인버터 DD4의 출력이 낮고 VD1.1이 열려 있을 때 n채널은 저항 R3와 병렬로 연결됩니다(이 채널의 저항은 제어 전압이 증가함에 따라 감소합니다). 제어 전압의 임의의 값에서 하나의 전계 효과 트랜지스터의 출력 저항은 증가하고 다른 하나는 감소하기 때문에 해당 기간 동안 저항 분류 저항 R4의 평균값은 일정하고 발전기의 발진 주파수도 일정합니다. 듀티 사이클만 변경되며(작동 주파수 기간의 1~99%) 이는 제어 전압의 진폭에 정비례합니다.

지속 시간에 따라 변조된 펄스 시퀀스는 펄스 폭 변조기의 출력에서 트랜지스터 VT2의 베이스로 공급되어 주요 트랜지스터 VT4를 잠금 해제하고 잠급니다. 다이오드 VD4는 트랜지스터 VT2가 꺼질 때 인덕터 L4의 전류에 대한 폐쇄 회로를 제공합니다.

안정기는 출력 펄스의 듀티 사이클을 변경하여 출력 전압이 넓은 범위에 걸쳐 변경되도록 합니다. 그러나 출력 전압에는 두 배의 잡음 레벨이 있으므로 입력 및 출력(초크 L1 및 L3, 커패시터 C1, C4, C5)에 필터가 포함됩니다.

전압 안정기는 다음과 같이 작동합니다. 전위차계 R8에서 제거된 출력 전압의 일부는 펄스 폭 변조기에 의해 생성된 펄스의 듀티 사이클을 제어합니다. 키 트랜지스터 VT4의 개방 상태와 폐쇄 상태의 지속 시간 사이의 비율. 안정기 출력의 전압이 감소하면 R8에서 제거되는 제어 전압이 감소합니다. 결과적으로 키 트랜지스터 VT4는 더 오랫동안 열려 있고 강력한 다이오드 VC4는 닫혀 있으며 그 반대의 경우도 마찬가지입니다. 출력 전압이 증가하면 키 트랜지스터 VT4가 더 오래 닫히고 강력한 다이오드 VD4가 열립니다. 키 트랜지스터 VT4가 닫히면 다이오드 VD4가 즉시 열립니다. 인덕터 L2에 저장된 에너지는 부하로 전달됩니다. 출력 전압은 전위차계 R8로 설정됩니다. 안정 장치는 양면 유리 섬유로 만들어진 52x52mm 크기의 인쇄 회로 기판에 배치됩니다. 보드 도면은 그림 2에 나와 있습니다. XNUMX.

CMOS 전압 조정기

안정기에서는 KT908A 트랜지스터 대신 KT903A와 같은 다른 강력한 고주파 트랜지스터를 사용할 수 있습니다. 또는 강력한 저주파 - KT803, KT805, KT808 높은 부하 전류에서는 과열을 제거하기 위해 키 트랜지스터 VT4를 라디에이터에 설치해야하며 VD4 다이오드로는 KD212 다이오드 또는 강력한 콜렉터 접합을 사용할 수 있습니다 고주파 트랜지스터. 초크 L1 및 L3은 길이 600mm, 직경 20mm의 페라이트(8MN) 막대 섹션에 감겨 있습니다. 여기에는 PEV-10 2mm 와이어 01,2회전이 포함되어 있습니다. L2 초크는 컵 사이의 간격이 26mm인 2000MN 장갑 페라이트(B0,2) 코어로 만들어졌습니다. 초크의 권선 L2는 드릴을 사용하여 꼬인 PEV-2 00,2mm 와이어 XNUMX개로 구성되며, 장갑 코어가 채워질 때까지 권선이 계속됩니다.

문학

M.E 앵글린. C-MOS 1C는 펄스폭 변조기를 형성합니다. - 전자공학, 1977. vol 50. No. 13, P126.
Seleznev V. 비교기의 전압 안정기. - 라디오. 3번. 46~47쪽.

저자: V.Kalashnik, M.Eremin, R.Panov, Voronezh.

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국내 정치 과정은 국가의 붕괴 취약성에 중요한 역할을 합니다. 이러한 패턴을 이해하면 현대 사회의 잠재적 위기를 관리하고 예방하기 위한 보다 효과적인 전략을 개발하는 데 도움이 될 수 있습니다.

이번 연구의 저자 중 한 명인 워싱턴 대학의 팀 콜러(Tim Kohler) 교수는 자연재해 등 외부 요인의 영향에도 불구하고 그들의 역할은 대개 국가의 내부 역학을 활성화하는 방아쇠 역할을 한다고 강조했다.

과학자들은 324천년에 걸쳐 XNUMX개 고대 국가의 역사를 분석했습니다. 일반적으로 노인의 사망 위험을 연구하는 데 사용되는 이러한 접근 방식은 사회 붕괴 확률을 연구하는 데 처음으로 사용되었습니다. 결과는 국가 붕괴의 위험이 형성 후 처음 XNUMX세기 동안 급격히 증가한 후 안정화되는 것으로 나타났습니다. 이로 인해 일부 사회는 다른 사회보다 훨씬 오래 지속될 수 있습니다.

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