축전지를 충전하고 형성하는 장치. 계획, 설명

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축전지 충전 및 형성 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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그림은 6V 또는 12V 전압, 최대 85Ah 용량의 충전식 배터리를 충전하고 형성하도록 설계된 장치의 다이어그램을 보여줍니다. 충전(방전) 전류는 AC 네트워크의 전압(부하 전체에 걸친 전압 강하)에 거의 의존하지 않으며, 부하에 따라 장치의 효율은 16~42%입니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

2,5V 배터리를 충전할 때 장치는 14(600~2A에서)에서 5(10A에서)까지의 부하 저항 변화에 따른 전류 안정화 계수를 사용하여 14~35A의 전류를 부하에 공급할 수 있습니다. , 공급 전압 변화에 따라 각각 1,5에서 260까지 장치의 출력 임피던스는 XNUMXΩ 이상입니다.

2V 배터리의 충전 모드에서 전류 변경 제한은 10...400A이고 전류 안정화 계수는 각각 80-30 및 10-600이며 출력 저항은 XNUMXΩ 이상입니다.

첫 번째 경우 네트워크에서 장치가 소비하는 전력은 약 440W, 두 번째 경우 235W입니다. 전류 리플의 진폭은 최대 16A의 전류에서 4,5mA를 초과하지 않습니다.

이 장치는 부하 전류에 대한 NFE(향상된 네거티브 피드백)로 보호되는 이미터 팔로워 체인으로 구성됩니다.

체인의 첫 번째 단계는 복합 트랜지스터 VT2 -VT4에 조립되고 마지막 단계는 강력한 트랜지스터 VT5, VT6 및 VT7, VT8에 조립됩니다.

네거티브 피드백 전압은 트랜지스터 VT7의 이미터에서 제거되고 트랜지스터 VT2에 조립된 증폭기를 통해 트랜지스터 VT1의 베이스 회로에 공급됩니다. 회로의 가변 저항 R4. OOS는 필요한 충전 전류를 설정하는 데 사용됩니다. 다이오드 VD6 및 VD7은 부하 전류의 온도 안정화를 제공합니다.

전압 증폭 캐스케이드. OOS는 안정기 저항 R5 및 R2과 함께 제너 다이오드 VD3를 사용하는 전압 안정기에 의해 전원이 공급됩니다. 스위치 SA1에 의해 켜지는 릴레이 K2 및 K2는 출력 전압(6/12V)을 선택하는 역할을 합니다.

충전시 배터리는 단자 X1 및 X2에 연결되고 방전시 (형성 목적으로) 단자에 연결됩니다. XZ와 X2. 두 경우 모두 사용하지 않는 단자는 점퍼로 연결됩니다.

방전 모드에서 장치는 네트워크에서 연결 해제됩니다.

전류는 전류계 RA 1에 의해 제어되고 전압은 전압계 P V1에 의해 제어됩니다.

올바르게 장착된 스태빌라이저는 라디에이터를 기준으로 다이오드 VD6 및 VD7의 최적 위치를 찾는 것만 필요합니다. 때로는 저항 R5의 저항을 명확히 할 필요가 있습니다.

다이오드 VD6 및 VD7은 절연 스탠드의 트랜지스터 VT5 - VT8 중 하나인 라디에이터에 직접 장착됩니다. 다이오드와 라디에이터 사이의 거리를 조정함으로써(다이오드 리드를 구부려) 장기간 작동하는 동안 장치의 열 조건 변화에 대한 부하 전류의 의존성을 최소화합니다.

전원 변압기 T1은 USh40x66 자기 회로에 감겨 있습니다.

417차 권선에는 PEV-2 1,2 와이어 36회전이 포함되어야 합니다. 1,8차 권선(5회전)에는 절연된 직사각형 구리 버스바(XNUMXxXNUMXmm)가 사용됩니다.

저항 R6 + R13은 저항 본체에 감겨 있습니다. 직경 2-0,75 mm의 망가닌 또는 콘스탄탄 와이어가 있는 VS-1,0.

트랜지스터 MP25B는 pn-p 구조의 저전력 트랜지스터인 P201 트랜지스터로 대체될 수 있습니다. P213, P214 또는 문자 인덱스 A가 있는 GT403(더 좋음). P210A - GT701A. 트랜지스터 VT5 - VT8은 소산 면적이 600cmXNUMX인 리브형 라디에이터에 장착됩니다.

설계는 라디에이터 주변의 자유로운 대류 공기 흐름을 보장해야 합니다. 트랜지스터 VT4는 25cm2 면적의 플레이트 라디에이터에 설치됩니다.

각각 작동 전압이 1V인 릴레이 K2, KR1-MR-9 및 RES-15. 상시 개방 접점 XNUMX개 그룹이 있는 하나의 릴레이로 대체할 수 있습니다.

저자: Shelestov I.P.

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은행 카드는 마그네틱 띠를 잃게 됩니다. 17.02.2014

미국 은행 시스템은 현재 미국 거주자들이 현금 없는 결제에 사용하고 있는 구식이며 기술적으로 취약한 마그네틱 스트라이프 플라스틱 신용 카드를 새로운 유형의 카드로 교체할 계획입니다. 월스트리트 저널에 따르면 이 현대화는 2015년 XNUMX월 모든 곳에서 수행될 예정입니다.

새로운 카드는 필연적으로 칩 및 PIN 기술을 획득하게 될 것이며, 이는 수년 동안 전 세계 은행 구조에서 사용되어 왔습니다. 아무리 놀라운 것처럼 보일지라도 마그네틱 띠 카드는 사기성 위조와 소유자의 동의 없이 소유자의 계정에서 금액을 불법적으로 인출하는 경우가 많음에도 불구하고 여전히 미국에서 일반적입니다. 더 이상 마그네틱 띠가 없으며 더 이상 검은색 선이 읽히지 않습니다.

특히 지난 몇 년 동안 유럽을 광범위하게 여행한 미국인들은 미국의 신용 카드 시스템이 유럽의 신용 카드 시스템과 비교할 때 너무 구식이며 이 분야의 현대적인 경향에 뒤떨어져 있다고 생각한다는 점에 주목했습니다. . 종종 관광객들은 해외에 있는 동안 "신용 카드"를 사용하는 데 어려움을 겪을 수 있습니다. 얼마 전 유럽에서는 그러한 카드를 해킹하기 위한 너무 높은 통계로 인해 마그네틱 스트라이프를 포기했기 때문입니다. 그러나 전문가들에 따르면 미국에서 여전히 현금 없는 결제에 사용되는 신용카드와 직불카드는 기술적으로 10년 뒤쳐져 있습니다.

새로운 유형의 플라스틱 카드에는 마그네틱 띠 대신 마이크로칩이 있으며 결제 절차를 수행할 때 소유자의 PIN 코드가 필요합니다. 이러한 플라스틱 보호 시스템에는 여러 가지 장점이 있으며 여러 가지 이유로 훨씬 안전합니다. 첫째, PIN 코드에 대한 필수 요청은 예를 들어 귀하의 카드를 사용하여 지불하는 서비스 직원에 의해 금액이 잘못되거나 의도적으로 인출되는 것을 방지합니다. 칩 앤 핀 시스템이 있는 고급 버전에서는 요청 없이 잘못된 손에 카드를 전달하는 대신 플라스틱 카드를 삽입하고 즉시 "핀 코드"를 입력할 수 있는 터미널을 제공해야 합니다. "보안 코드". 이렇게 하면 직원이 불명예스럽게 자금을 사용하는 요인이 모두 제거되고 마그네틱 스트라이프에서 데이터를 쉽게 복사하는 오늘날 일반적으로 사용되는 터미널 수정으로부터 사용자를 보호할 수 있습니다.

최근 추산에 따르면 해커들은 추수감사절부터 크리스마스 이브까지 쇼핑 성수기 동안 무현금 거래에서 70천만 개의 신용카드 번호를 훔쳤습니다. 공격자는 마그네틱 스트라이프가 있는 클래식 플라스틱 카드를 수신하기 위해 터미널을 "현대화"하고 정보를 복사하여 다른 사람들의 자금을 통해 미래에 지불할 수 있었습니다. 칩 및 PIN 시스템을 사용하면 이 작업이 훨씬 더 어려워집니다. 적어도 칩을 "복사"하고 소유자의 암호를 알아내려면 기술 장치뿐만 아니라 훨씬 더 많은 노력과 기술이 필요합니다. 칩과 필수 암호가 있는 시스템이 카드 사용자를 사기로부터 완전히 보호할 수 없는 경우 최소한 그러한 절도 통계에 상당한 영향을 미칩니다.

또한 마그네틱 스트립은 고도로 숙련된 악당이 아니더라도 해킹될 수 있기 때문에 해커에게 너무 "소식"이 되었습니다. 프랑스에서는 칩 및 PIN 시스템으로 전환하면서 신용 카드 사기가 80% 감소했지만, 이러한 통계는 원래 출판물의 비공식 출처로 인해 다소 모호합니다.

CIS 국가의 경우 지금까지 은행 카드 범죄가 유럽 및 미국과 같은 비율에 도달하지 않았습니다. 따라서 가까운 장래에 이러한 방향으로 질적 변화가 예상되지는 않을 것입니다. 또한 우리나라는 비현금결제 문화가 해외만큼 발달하지 못하였다. 따라서 대도시 외부에서는 "플라스틱"을 현금화하고 제공된 서비스 및 구매한 상품에 대해 비용을 지불해야 하는 문제가 발생할 수 있습니다.

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