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나는 작업장에 쌓이는 "아마추어 라디오 쓰레기"에서도 사용 가능한 재료로 기술적으로 완제품을 만들 것을 제안합니다.

예를 들어 집에서 만든 ULF, PSU 등에서 한 번 작동했거나 산업 제품에서 교체하기 위해 제거된 실패한 강력한 트랜지스터를 찾을 수 있습니다. 호일 재료 조각 중에는 항상 두께 1,5mm, 크기 40x8mm의 양면 유리 섬유 조각이 있습니다. 패스너 중에는 두 개의 청동 크롬 도금 접촉 나사가 있습니다. 하나는 머리가 D4mm 큰 M5x8이고 다른 하나는 머리가 D2,5mm로 잘 형성된 M5x3입니다. 얇은 getinax D8x2,5로 만든 와셔, 1mm 두께(가급적이면 한쪽에 호일 층 포함)와 두꺼운 벽이 있는 Dout = 10mm(10,4 ± 0,2mm) 유리관 조각 1이 필요합니다. mm 42mm 길이 및 53uF x 4V 용량의 커패시터 유형 K4,7-6.

당신이 라디오 아마추어이고 필요한 도구 세트(납땜 인두, 핀셋 등)와 소모품(알코올 로진 플럭스, 에폭시 접착제, 아세톤 및 회로 기판 에칭용 화학 성분 등)이 있다고 가정합니다.

결과 제품은 최대 출력 전류가 1,5mA이고 출력 전압이 1,5V인 기술적으로 완성된 광전지이며 전압은 60 .. 10mm 거리에서 150W. 후자의 경우 주전원 주파수로 출력 전압의 리플을 억제하기 위해 커패시터가 사용됩니다.

전체 구조는 표준 크기 "AAA"(10,4±0,2mm l=44,4±0,2mm)의 갈바닉 셀 치수로 배치되며 끝에 접점이 있는 유리 캡슐입니다.

제안된 설계에서는 KT802A, KT803A 또는 KT808A 유형의 강력한 바이폴라 저주파 트랜지스터의 수정을 사용합니다.

이 트랜지스터는 실리콘 결정의 표면에 증착된 금속에서 서로 들어오는 빗 형태의 베이스 전극과 이미 터 전극의 실행을 특징으로 하는 메사 평면 기술에 따라 만들어집니다(그림 1, n- 영역은 이미 터 전극 아래에 생성되고 기본 전극은 실리콘 표면 p-type에 직접 증착됩니다.

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컬렉터의 U 영역은 크리스탈의 다른 면에 만들어지고 기판과 접촉(납땜)되며, 차례로 트랜지스터 케이스의 베이스 영역에 납땜됩니다. 나열된 유형의 트랜지스터의 결정은 5x5mm의 공칭 영역(이 기술의 대중적인 트랜지스터에서)을 가지며 8x8mm 기판에 납땜되며, 이는 다른 유형의 트랜지스터와 달리 결정과 함께 트랜지스터 하우징에서 쉽게 제거됩니다. 트랜지스터, 예를 들어 KT805, KT903은 기판이없는 거대한 몸체의 바닥 플랫폼에 크리스탈이 납땜되고 훨씬 더 심하게 제거되며 크리스탈이 훨씬 작습니다). 크리스탈은 투명한 내열성 보호 바니시로 코팅되어 있으며, 이를 통해 메사-평면 구조가 명확하게 보입니다.

베이스의 평면 콤 전극을 "반투명 전극" 형태로 사용하므로 이미 터 출력 와이어를 조심스럽게 제거하는 것이 좋습니다. 이미 터 접합이 손상된 트랜지스터 (크리스탈)를 사용할 수 있습니다. 설명된 응용 분야에 대한 결정의 적합성에 대한 기준은 컬렉터 pn 접합의 무결성과 0,5V(일반)의 광-EMF 값이며, 장치의 케이스를 연 후 결정을 조명으로 조명하여 확인해야 합니다. 백열 램프 또는 햇빛 아래 - 입력 저항이 10kOhm/V인 전압계의 베이스와 컬렉터(케이스) 단자 사이의 전압을 측정합니다. 오랫동안 과열되었거나 전기적으로 구멍이 뚫린 트랜지스터는 광기전력이 낮을 수 있습니다.

이렇게 트랜지스터를 선택하면 결정으로 기판을 제거합니다. 이를 수행하는 가장 쉬운 방법은 가스 렌지 근처의 주방입니다. 이 작업을 수행하기 전에 케이스 덮개를 제거하고 다이 리드를 케이스 리드에서 분리해야 합니다(다이를 손상시키지 않고 깨끗하게 절단)! 우리는 케이스의 단자 중 하나를 사용하여 트랜지스터를 가져오고 플라이어로 단자가 아래로 향하도록 버너 위에 케이스를 왼손으로 잡습니다. 오른손에는 땜납이 녹은 후 결정이있는 기판이 제거되는 핀셋이 있어야합니다. 기판은 플라스틱 특수 땜납으로 주석 처리되어 있으므로 기판에 크리스탈을 놓을 때 나중에 사용할 수 있도록 트랜지스터 베이스에서 땜납(동일함)을 제거해야 합니다(그림 2).

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8x40mm 인쇄 회로 기판에는 3x1mm 크기의 솔더링 크리스탈(트랜지스터였던 광전지 V2, V3, V8)용 패드 9개가 포함되어 있습니다. 8x8mm 기판의 결정은 직렬 자음 포함으로 인접한 밸브의 기본 리드(양극, 플러스)를 납땜할 수 있도록 이러한 위치에 심어야 합니다. 끝 부분의 패드와 컷아웃은 납땜을 용이하게 하기 위해 나사산을 잘라야 하는 청동 크롬 도금 나사로 만든 납땜 접점용으로 설계되었습니다. 뒷면에는 출력 패드가 길게 늘어져 있으며 커패시터 C1을 납땜하기 위한 패드입니다. 구조를 D8 mm(하우징 튜브의 내경)의 원에 맞추기 위해 커패시터 아래에 샘플을 만들어 설치 높이와 어셈블리 치수를 줄입니다. 접촉 나사를 먼저 납땜하십시오. 작은 나사 (M2,5, 접점 "+")의 머리 아래에 유전체 와셔를 놓습니다 (무엇보다도 끝에 납땜하여 와셔를 고정하기 위해 호일이있는 얇은 호일 재료에서 보드까지). 그리고 보드에 결정을 심는 장소는 땜납으로 조사하고 케이스에서 분해하는 동안 제거하고 알코올-로진 플럭스로 코팅해야합니다.

커패시터와 접점은 예를 들어 POS-61과 같은 모든 땜납으로 납땜할 수 있지만 이전 트랜지스터 케이스의 베이스 패드에 납땜된 것과 동일한 땜납으로 크리스탈로 기판을 납땜하는 것이 좋습니다. 밸브 아래의 패드는 트랜지스터의 동일한 땜납과 덮힌 알코올-로진 플럭스로 조사되어야 합니다.

베이스 리드를 조사하고 이미 터를 제거한 후 다음과 같이 크리스탈로 기판을 납땜하는 것이 좋습니다 (그림 3). 보드를 고정하고 왼손의 기판에서 크리스탈을 가져옵니다 (면 장갑 또는 냅킨을 통해). 3 ~ 4mm 동안 패드 위에 놓고 오른손에 납땜 인두를 사용하여 해당 영역을 예열합니다 (기판 바닥과 같이 주석 도금 및 플럭스로 덮여 있음). 땜납은 다소 빨리 녹고 기판은 표면 장력에 의해 기판 쪽으로 당겨집니다. 그런 다음 납땜 인두를 보드 가장자리로 조심스럽게 옮기고 기판을 보드 위로 옮깁니다. 납땜 인두가 기판에서 분리되면 기판은 몇 초 동안 용융된 땜납 위에 남아 있게 되며 땜납이 굳을 때까지 정확하게 위치를 잡고 고정할 수 있습니다.

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그런 다음 기지의 결론을 사이트에 신속하게 납땜하십시오. 다음으로 전압과 광전류(1,5 V x 1,5 mA)를 확인하고 아세톤이나 알코올로 세척한 다음 인쇄 회로 기판 어셈블리를 유리관(하우징)에 넣고 에폭시 접착제 몇 방울로 해당 부분에 고정합니다. 접점 나사 "-"와 와셔 접점 "+"의 둘레 주변(나사, 와셔 및 튜브 사이의 간격 채우기)(그림 2, a-c 참조).

이러한 광전지는 병렬(광전류 증가) 또는 직렬(전압 증가)로 연결될 수 있으며 결합 옵션을 사용하여 원하는 매개변수로 배터리를 구성할 수 있습니다. 예를 들어 블랭크가 도착하면 구형 시계의 표준 파워 컴파트먼트에 설치할 수 있습니다.

투명 폴리머로 만든 케이스를 사용하는 것은 표면의 내마모성이 낮아 광학적 투명성을 상실하기 때문에 바람직하지 않습니다. 에폭시 수지와 같은 광학적으로 투명한 화합물이 있는 경우 어셈블리 중에 이 재료로 몸체 튜브 높이의 일부를 채워 광학 요소인 렌즈를 형성할 수 있습니다(그림 2(A-A)에 표시됨). 결정 위의 상단 영역에 점선으로 표시됨). 렌즈에 의한 빛의 집중으로 인해 감도가 증가합니다. 이러한 광전지는 이미 상당히 좋은 감도를 가지고 있지만 광 센서로 사용할 수 있습니다.

설명된 디자인은 세로축을 중심으로 수직면에서 하우징을 회전하고(카세트의 탄성 클램프에서) 동시에 수평 평면(결정의 법선을 따라 축을 통과하는 종축과 평행) 시야각이 매우 넓고 광원(주로 태양)에 대한 추적 시스템이 필요하지 않습니다.

저자: Yu.P.Sarazh

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