최대 15kW의 활성 유도 부하용 전원 컨트롤러. 계획, 설명

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최대 15kW의 활성 유도 부하용 전력 컨트롤러. 무선전자공학 및 전기공학 백과사전

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설명된 장치는 능동 유도 부하에서 원활하고 빠른 전력 제어를 제공할 수 있습니다. 용접 기계, 조명 조절, 비동기 모터 제어, 고전압 정류기의 변압기 XNUMX차 권선 전압 조절 또는 강력한 전자기 스타터의 최대 전류 보호 작동 확인 및 조정을 위한 부하 변압기에 사용할 수 있습니다. , 등.

전력 조정기의 블록 다이어그램은 그림 1에 나와 있습니다.

최대 15kW의 능동 유도 부하용 전원 컨트롤러

레귤레이터는 전원부(SP)와 제어시스템(CS)으로 구성되며, 여기에는 위상변환소자(PSD)와 입력드라이버(IF)가 포함된다. 미드레인지는 두 개의 연속 사이리스터 또는 트라이악이 특정 순간에 제어 전극에 적용되어 이러한 밸브가 켜져 있는 경우에만 작동할 수 있습니다. 공급 전압의 극성을 변경하고 밸브를 통과하는 전류를 XNUMX으로 줄임으로써 사이리스터가 꺼집니다.

하나 또는 다른 사이리스터를 켜야 하는 시간은 제어 신호 Uу에 의해 설정됩니다. FSU는 제어 신호를 각도 간격 α로 변환합니다. WF는 모양, 지속 시간 및 진폭에 대한 제어 펄스를 생성합니다. VF를 생성할 때는 컨버터의 중간 범위에서 큰 진폭의 전압 서지가 발생하여 기생 용량을 통해 제어 시스템에 침투할 수 있으므로 작동 시 높은 노이즈 내성을 달성하는 것이 중요합니다. 광채널(옵토커플러)을 통해 제어 시스템과 미드레인지 사이의 연결을 사용하는 것이 가장 편리합니다.

레귤레이터의 개략도는 그림 2에 나와 있습니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

레귤레이터의 미드레인지는 강력한 트라이악 VS1과 회로 L1C7, L2C8(5차 및 7차 고조파에서 고조파 왜곡을 억제하는 무효 전력원)로 구성됩니다. 이 소스는 장치의 효율성을 높이는 데 사용됩니다. 커패시터 C7 및 C8은 무효 전력 Qc를 생성합니다. 커패시터 C7 및 C8의 커패시턴스(전체)는 QC = Qlmax 계산을 기반으로 유도성 부하에 따라 선택됩니다. 3상 시스템에서는 대칭으로 인해 5차의 배수인 고조파가 없으며 네트워크의 고조파 구성 요소는 7차, 11차, XNUMX차 등입니다. 배음. 낮은 것이 가장 강렬합니다.

회로 L1C7 Ω5 = 5Ω의 공진 주파수, 이 회로의 경우 관계식 (3С7L1)1/2 = 1/5Ω이 충족됩니다. L2C8 회로에서 공진은 Ω7 = 7Ω의 주파수에서 발생합니다. 이 회로의 경우 (3С8L2)1/2 = 1/7Ω입니다. C7 = 10μF, C8 = 5μF이면 L1 = L2 = 10mH입니다.

VF는 옵토커플러 U1과 트랜지스터 VT3, VT4에 만들어집니다. 제어 신호(로그 "1")가 옵토커플러 LED의 양극에 도달하면 트랜지스터 옵토커플러가 켜지고 트랜지스터 VT3 및 VT4가 닫힙니다. 이 장치를 개방 상태로 전환하는 대칭형 사이리스터의 제어 전극에 양의 신호가 나타납니다.

FSU는 주어진 기간의 펄스를 생성하고 1Hz 주파수의 입력 펄스에 의해 동기화되며 다이오드 VD100-VD1의 전파 브리지 정류기와 트랜지스터의 진폭 제한 증폭기에 의해 생성되는 대기 멀티바이브레이터 DD4을 기반으로 구축되었습니다. VT1. FSU는 다음과 같이 작동합니다(그림 3의 타이밍 다이어그램 참조).

최대 15kW의 능동 유도 부하용 전원 컨트롤러

트리거 출력의 초기 상태에서는 Q=0, Qinv=1입니다. 입력 C에 도달하는 펄스의 포지티브 에지는 트리거를 전환하고 D=1이므로 새로운 상태 Q=0 및 Qinv=1이 발생합니다. 이전에 방전된 커패시터 C1은 다음을 통해 충전됩니다.

저항 R4 및 그 양단의 전압이 임계 값 (Uc = Upor, CMOS 칩의 경우 Upor = 0,5 Upit)에 도달하면 입력 R의 전압으로 인해 새로운 스위칭이 발생하고 그 결과 트리거가 반환됩니다. 원래 상태로. 출력 Q 및 Qinv의 펄스 지속 시간은 가변 저항 R4 τi = R4C1을 사용하여 조정할 수 있습니다. 커패시터 C1은 다이오드 VD5와 트리거의 개방형 출력 트랜지스터를 통해 방전됩니다.

27V 전원 공급 장치는 다이오드 VD11-VD14와 커패시터 C5, C6을 사용하여 만들어집니다. 9V 전원 공급 장치 - 다이오드 VD6-VD9, 커패시터 C2-C4, 제너 다이오드 VD10 및 트랜지스터 VT2.

설명된 전력 조정기는 적절한 변압기 T220을 사용하여 1V 네트워크에서 사용할 수 있습니다.

건설 및 세부 사항. 변압기 T1 - 10차 권선에 전압이 있는 모든 전력 15-2W: U10 = 3V; U12 = 4V; U20 = 4V. 모든 유형의 저항 R10, PEL 유형의 R1, 나머지 MLT 유형. 최소 2V의 정격 전압을 위한 커패시터 C5, C73, C9 유형 K73-17, K3-4, 커패시터 C6, C50, C35 유형 K7-8, 커패시터 C73, C2 유형 K41P-1, K1000-1, MBGT. 최소 80A의 직류용으로 설계된 Triac VSXNUMX. 문자 인덱스가 있는 트랜지스터 및 다이오드.

장치 설정은 제너 다이오드 VD5을 통과하는 전류가 10...5mA 이내가 되도록 저항 R15를 선택하고 중간 접점에서 원샷 펄스 지속 시간이 1ms를 초과하지 않도록 커패시터 C10을 선택하는 것으로 요약됩니다. 저항은 다이어그램에서 가장 왼쪽 위치에 있습니다.

문학 :

고르바초프 G.N., Chaplygin E.E. 산업용 전자. -M.: Energoatomizdat, 1988.
Ivanov V.I., Aksenov A.I., Yushin A.M. 반도체 광전자 장치. 참조. -M.: Energoatomizdat, 1988.

저자: A.N.만코프스키

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스마트폰은 최대 몇 킬로미터의 거리에서 서로 연결할 수 있습니다. 그러나 만일의 경우를 대비하여 기존 SIM 카드를 설치할 수 있습니다. 사실, 의사 소통은 여전히 완전히 자유롭고 무제한이 아닐 것입니다. 사용자는 자신이 다른 네트워크 구성원에게 배포한 만큼의 트래픽을 사용할 수 있습니다. 그 이상은 기가바이트당 XNUMX달러입니다.

Volk One은 Full HD + 해상도 6,2 x 2280 픽셀, 1080 메가픽셀 카메라, Qualcomm Snapdragon 16 프로세서, 845GB RAM 및 4GB 또는 64GB 영구 메모리, 256mAh 배터리를 갖춘 3700인치 AMOLED 화면을 받았습니다.

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