소형 스위칭 전원 공급 장치, 220/5볼트 3와트. 계획, 설명

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이 블록은 전자 시계, 마이크로 계산기, 전자 온도계 및 기타 저전력 전자 장비에 전원을 공급하는 데 사용할 수 있습니다(그림 5.3).

(확대하려면 클릭하십시오)

주요 기술 특성 :

전원 공급 장치의 교류 전압 ..... 220 ± 15% V;
최대 부하 전력 ..... 3W;
변환 주파수 ..... 35kHz;
효율성 ..... 75%;
특정 전력.....115 W/dm3

블록의 주요 노드는 트랜지스터 VT1, VT2 및 변압기 T1에서 만들어진 소위 하프 브리지 전압 변환기입니다. 공급 전압은 다이오드 브리지 VD1에 의해 정류됩니다. 제너 다이오드 VD3...VD5 및 저항 R1은 파라메트릭 스태빌라이저로 연결되며 커패시터 C2...C4와 함께 정류 전압 분배기를 형성합니다. LED VD2는 전원 공급 장치의 표시기 역할을 합니다. 대칭 제너 다이오드 VD3의 전압은 마스터 발진기에 전원을 공급하는 데 사용됩니다. 파라메트릭 스태빌라이저에 안정기로 포함된 저항 R1은 커패시터 C8에 전압 부스트를 제공합니다.

출력 단락이 발생한 경우 이 저항은 전원 공급 장치가 주전원에서 끌어오는 전류를 제한합니다. 또한 커패시터 C8과 함께 컨버터에서 발생하는 고주파 노이즈를 억제하는 필터를 형성합니다. 마스터 발진기는 멀티 바이브레이터 회로에 따라 연산 증폭기 DA1에 조립됩니다. 그 특이성은 VD3 제너 다이오드에서 가져온 전원 공급 장치에 단극 전압을 사용하여 블록 요소의 총 수를 줄이는 것입니다.

직류에서 발전기와 고전압 트랜지스터 VT1의 갈바닉 절연은 커패시터 C6에 의해 제공됩니다. 트랜지스터 VT2를 제어하는 방식도 이례적이다. 트랜지스터 VT9이 닫힐 때 저항 R1를 통해 흐르는 전류를 엽니다. 트랜지스터 VT1을 여는 순간 트랜지스터 VT2의 이미 터 접합에 역 전압이 가해져베이스의 소수 캐리어가 효과적으로 흡수되어 관통 전류가 나타나지 않고 닫힙니다. 다이오드 VD11은 변압기 T2의 1차 권선과 개방형 트랜지스터 VT1을 통과하는 전류를 방지하지 않고 트랜지스터 VT1의 이미 터 접합에서 역 전압을 제한합니다. 이러한 컨버터 유닛의 구성은 트랜지스터를 통한 관통 전류를 배제하는 것을 가능하게 하고 제어 회로에서 변압기의 사용을 필요로 하지 않는다. 트랜지스터 VT2을 닫으면 통과 전류가 나타나지 않고 트랜지스터 VT1가 열립니다. 트랜지스터 VT2, VTXNUMX는 조명 모드에서 작동하여 전원 공급 장치의 신뢰성을 높입니다.

변압기 T1은 12NM 페라이트로 만든 K8x2000x500 크기의 링에 감겨 있습니다.2차 권선에는 PEV-0,15-5 와이어가 50회 감겨 있습니다. 보조, 2V의 출력 전압을 위해 설계됨 - 중간에서 탭이 있는 PEV-0,31-162 와이어의 156회 회전. 제너 다이오드 KS604A는 KS605A로 대체할 수 있습니다. 트랜지스터는 KT630B 또는 KT620B일 수 있지만 KS1A 제너 다이오드를 KS9A로 교체해야 합니다. 이 경우 장치의 효율성이 다소 저하됩니다. 전원 공급 장치 설정은 특정 부하 전력 값에 대해 저항 RXNUMX 및 RXNUMX를 선택하는 것으로 귀결됩니다.

저항 R9는 오실로스코프를 사용하여 결정된 트랜지스터 VT2의 포화 상태에서 선택됩니다. 저항 R1의 저항은 정격 부하 및 220V의 공급 전압에서 최소 4mA의 전류가 제너 다이오드 VD5, VD5를 통해 흐르도록 해야 합니다. 출력 전압의 리플을 줄이려면 커패시터 C3 및 C4의 커패시턴스를 2 ~ 3배 증가시켜야 합니다. 또한 커패시터 C7과 병렬로 50V의 공칭 전압에 대해 100 ... 10μF 용량의 산화물 커패시터를 연결하여 리플 레벨을 더 줄일 수 있습니다.

저자: Semyan A.P.

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Lawrence Livermore National Laboratory(LLNL)와 University of California San Diego의 연구원들은 외부 자기장에 반응하여 단단하거나 유연해질 수 있는 기계적 메타물질인 새로운 종류의 메타물질을 개발했습니다.

새로운 기적의 메타물질을 만들기 위해 연구원들은 이른바 4D 프린팅 기술을 사용했습니다. 이 기술은 XNUMXD 프린팅을 사용하여 만든 물체가 시간이 지남에 따라 모양이 변할 수 있다는 사실에서 이름을 얻었습니다. 이것이 XNUMX차원 역할을 합니다. 일반적으로 물체의 모양 변화는 고온, 수화, 자기장 또는 전기장에 대한 노출과 같은 외부 요인의 영향으로 발생합니다.

이 신기술은 외부장에 반응할 수 있는 물질(FRMM, field-responsive metamaterial)을 기반으로 한다. 그러나 다른 4D 프린팅 기술에 사용되는 재료와 달리 FRMM 재료는 모양이 변하지 않으며, 이 경우 변화는 물리적 특성, 경도에 일부 영향을 미칩니다. FRMM 재료의 생성은 매우 간단합니다. 인쇄물의 모 놀리 식 구조 대신 관형 중공 구조가 형성됩니다. 그리고 다음 단계의 이러한 공동은 특수 자성 유체로 채워집니다.

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