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전자 호출의 전기 회로가 그림에 나와 있습니다.

마이크로 회로의 전화에 대한 전자 호출

11-29V 내의 일정한 공급 전압이 히스테리시스(핀 1)와 함께 내부 전원 공급 장치의 출력에 공급됩니다. 마이크로 회로의 유용한 출력 전류는 최대 35V의 출력 전압에서 최대 17mA이므로 추가 전류 증폭 캐스케이드 없이 저전력 표시등 및 소리 표시기로 마이크로 회로를 로드할 수 있을 뿐만 아니라 출력 신호를 다음으로 변환할 수 있습니다. 제어 액추에이터. 부하는 최소 150옴의 저항을 가져야 합니다.

마이크로 회로에는 두 개의 내장 AF 생성기와 출력 증폭기가 포함되어 있습니다. 핀 3과 4에 연결된 RC 회로가 있는 생성기 중 하나는 약 10Hz의 주파수로 펄스를 생성합니다. 이 신호는 해당 RC 요소가 마이크로 회로의 핀 b와 7에 연결된 다른 생성기의 제어 신호입니다. 마이크로 회로(핀 8)의 출력에서 ​​증폭된 결과 신호가 부하에 공급됩니다. 저주파 발생기를 켜기 위한 전압은 핀 2에 공급됩니다. 이 발생기를 켜는 것은 핀 2의 전압 값에 직접적으로 의존하므로 전압 진폭을 변경하여 전체 노드의 동작을 제어할 수 있습니다. 따라서 DBL5001 및 DBL5002 및 유사한 마이크로 회로를 기반으로 열 및 광 센서, 감시 장치, 펄스 발생기 및 기타 간단한 다기능 장치가 있는 파라메트릭 신호 장치를 설계할 수 있습니다. 그리고 전기적 매개변수를 통해 이러한 미세 회로는 전화 통신용으로 특별히 개발되었음에도 불구하고 다양한 장치에서 사용할 수 있습니다.

호출 신호 (및 온후크)가 없으면 전화선의 정전압은 약 60V입니다. 커패시터 C1은 전압의 일정한 구성 요소를 통과하지 않으므로 DA1 마이크로 회로의 핀 4과 1에서 공급 전압은 3입니다. 사운드 캡슐이 활성화되지 않았습니다. 수화기를 들면 전화선의 정전압이 6-60V로 떨어집니다. 전화선에서 전화를 걸면 교류 전압(약 1V)이 커패시터 C1, 제한 저항 R1, 브리지 다이오드 VD4-VD1에 의해 정류되고 DA1 칩 - 핀 4 및 4로 이동합니다. 핀 2는 마이크로 회로의 내부 출력 증폭기에 전원을 공급하는 데 사용되며 이 경우 전원 공급 장치와 동시에 켜집니다. 산화물 커패시터 CXNUMX는 전압 리플을 평활화합니다.

이 커패시터의 커패시턴스는 경험적으로 선택됩니다. 이 경우 증가는 권장되지 않습니다. 그렇지 않으면 C1 플레이트에 축적된 전하와 DA1 칩의 낮은 전류 소비로 인해 발전기가 작동하고 HA1 캡슐이 간헐적인 전화 통화 중에도 AF 신호를 방출합니다. 그러나 끊임없이, 즉 가입자가 전화를 받는 동안. 제한 저항 R2를 통해 저주파 발진 발생기의 제어 입력에 10-12V의 정전압이 공급되고 발진 주파수가 R4C4 요소에 의해 결정되는 두 번째 발전기를 시작합니다. . 이 경우 이 주파수는 약 800Hz입니다. 사운드 압전 캡슐 HA1이 켜지고 AF 신호를 방출합니다.

회로는 사운드 캡슐 HA1 유형 HCM1206X를 사용합니다. 대신 최소 150옴의 저항을 가진 다른 압전 또는 동적 캡슐을 사용할 수 있습니다. 외부 마이크로 회로 DBL5001 및 DBL5002 대신 국내 마이크로 회로 KR1436AP1, EKR1436AP1을 변경 없이 회로에 사용할 수 있습니다. 이 마이크로 회로는 호출이 DBL5001 및 DBL5002 마이크로 회로에서 구현되는 가져온 SLT를 수리하는 데 사용할 수 있습니다. 회로의 모든 고정 저항은 MLT-0,25 유형입니다. 산화물 커패시터 - K50-29 또는 유사 유형. 비극성 커패시터 C4 - TKE H6 또는 이와 유사한 그룹이 있는 KM70 유형. 커패시터 C1 - 작동 전압이 73V 이상인 MBM, MBGO, K10-100 또는 유사 유형.

다이오드 VD1-VD4는 모든 문자 인덱스와 함께 KD103 또는 KD105 유형을 사용할 수 있습니다.

장치는 조정할 필요가 없습니다. 칩 DA1은 전화선(TL)에서 직접 전원을 공급받습니다. TL에 대한 연결은 커넥터(예: RP2-5)를 통해 수행됩니다. 이 경우 연결의 극성은 중요하지 않습니다.

저자: Kashkarov A.P.

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알렉세이
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