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미세 회로의 R, C, L 미터. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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제안된 장치는 1.5~2% 이상의 정확도로 상당히 넓은 범위에서 저항기의 저항, 커패시터의 커패시턴스 및 코일의 인덕턴스를 측정하는 기능을 제공합니다. 측정 결과는 선형 눈금이 있는 다이얼 표시기를 사용하여 측정됩니다.

칩의 미터 R, C, L

주요 기술 특성 :

  • 저항의 측정된 저항, Ohm.......10-2...106
  • 커패시터의 측정된 커패시턴스, pF.......10...107
  • 측정된 인덕턴스, H.......10-3...103
  • 소비 전력, W, 더 이상.......10

매개변수 R, C의 측정은 다음을 기반으로 합니다. L은 매개변수 값에 비례하여 측정된 요소 전체에 전압 강하를 형성하는 방법입니다. 저항의 저항을 측정하는 예를 사용하여 장치의 작동 원리를 고려해 보겠습니다. 미터의 작동을 설명하는 다이어그램의 일부가 그림 6에 나와 있습니다. 고정된 값 U 및 주파수 f의 전압이 추가 Rd 및 측정된 Rx 저항기로 구성된 체인에 적용되면(그리고 Rx는 Rx보다 훨씬 작음) 저항기 Rx 양단의 전압 강하(밀리볼트계의 높은 입력 저항) 회로의 매개 변수에 실제로 영향을 미치지 않습니다)는 다음과 같습니다. Ux =Urx/(Rd+Rx) 계수 K를 통해 상수 값 U/Rd의 비율을 나타내고 조건 Rx/Rd가 1보다 훨씬 작도록 보장합니다. 저항 측정의 전체 범위에 대해 표현은 Ux~KRx 형식으로 단순화됩니다(오차는 측정 정확도를 초과하지 않음). 여기서 측정된 전압은 측정된 저항 값에 비례한다는 것을 알 수 있습니다. 저항기.

칩의 미터 R, C, L
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측정하기 전에 교정 저항기 Rx(SA가 켜져 있고 Rx가 꺼진 상태)의 전압 강하로 인해 기기 바늘이 최종 눈금 분할에 의해 편향되는 전압 값 U를 설정하여 밀리볼트계 눈금을 교정해야 합니다. 이 경우 장치의 전체 규모는 교정 저항 Rx의 값에 해당합니다.

인덕턴스를 측정할 때 저항의 저항을 측정할 때와 동일한 원리가 적용되며 교정 인덕터 대신 공급 전압의 주파수에 대한 코일의 리액턴스와 동일한 저항이 포함됩니다.

커패시터의 커패시턴스 측정은 이를 통해 흐르는 전류의 전압 강하가 커패시터와 직렬로 연결된 추가 저항기 Rd에서 측정된다는 점에서 다릅니다. 이 경우 계측기 스케일은 교정 커패시터를 사용하여 교정됩니다. 이 경우 추가 저항의 저항은 측정 주파수에서 커패시터의 리액턴스보다 훨씬 작아야 합니다. 추가 저항기에서 측정된 전압 강하는 커패시터의 커패시턴스 값에 비례합니다.

이 미터는 교정 저항기 및 커패시터용 스위칭 장치, 159Hz 및 15,9kHz의 고정 주파수를 생성하는 생성기, 교류 밀리볼트계로 구성됩니다.

스위칭 유닛은 측정 한계 스위치 SA1, 작업 유형 스위치 SA2 및 교정 스위치(또는 버튼) SA3을 포함합니다. 아래 다이어그램에는 1MΩ 제한에서 저항기를 측정하기 위한 스위치 위치가 표시되어 있습니다. 장치 회로에서 저항 R7 - R13은 코일 인덕턴스에 대한 저항의 저항을 측정할 때 교정되며 R14 - R20은 추가됩니다. 커패시터의 커패시턴스를 측정할 때 저항 R1~R6이 추가되고 커패시터 C1~C6이 교정됩니다.

생성기(노드 A)는 미세 회로로 만들어집니다. DA1은 포지티브 형상 결합 회로의 Wien 브리지가 있는 회로에 따른 마스터 발진기이고, DA2는 전송률이 2인 비반전 증폭기, DA3은 적분기. 발전기 주파수 변경은 커패시터 C7 - C10을 전환하여 달성됩니다. 다이어그램에서 스위치 SA1의 상위 159개 위치에서 생성기는 15,9Hz의 주파수와 2kHz의 두 하위 위치에서 진동을 제공합니다. 충분히 강력한 측정 신호를 얻기 위해 트랜지스터 VT30의 전류 증폭기가 비반전 증폭기의 출력에 사용됩니다. 저항 R3(스위치 SA0,05이 닫힌 위치에 있음)은 측정을 수행하기 전에 장치를 교정하는 데 사용됩니다. 발전기는 안정적으로 작동하며 고조파 계수가 XNUMX% 이상입니다.

AC 밀리볼트계(노드 B)는 VT3 트랜지스터와 DA4 마이크로 회로로 만들어집니다. 소스 팔로워 회로에 따라 만들어진 전계 효과 트랜지스터 캐스케이드는 장치의 입력 저항을 100MOhm으로 증가시킵니다. 다이얼 미터 PA1은 다이오드 VD3, VD4 및 저항 R44, R45를 사용하여 증폭기 출력에서 ​​정류기 브리지의 대각선에 연결됩니다. 밀리볼트미터 눈금은 선형이며 측정 오류는 실제로 사용되는 다이얼 미터의 클래스에 따라 결정됩니다.

장치 설계에서는 총 편차 전류가 906μA인 M50 유형 다이얼 미터를 사용합니다. 스위치 SA1 및 SA2는 각각 PGG - 9P6N 및 3P1N 유형의 비스킷입니다. SA3 유형 TV1-1을 전환합니다.

저항기 C2-10, C-13, C2-14는 교정 저항기로 사용되었으며 나머지 저항기는 MLT 또는 OMLT 유형이었습니다. 커패시터 KT-1, KSO, MBM, K73-17, K50-6, K50-20, 기타 유형도 사용할 수 있습니다. 장치의 측정 정확도는 주로 교정 커패시터, 추가 및 교정 저항기의 선택에 따라 달라지므로 ±0,5%보다 나쁘지 않은 정확도로 선택해야 합니다. 이러한 요소를 ±0,1...0,25%의 정확도로 사용하면 측정 오류는 실제로 사용된 마이크로 전류계 측정 헤드의 정확도로 감소됩니다.

연산 증폭기 K574UD1 및 K140UD8은 모든 문자 인덱스와 함께 사용할 수 있으며 인쇄 회로 기판 설계를 변경하지 않고도 상호 교체가 가능합니다. 또한 K574UD1 마이크로 회로 대신 K544UD2를 사용하고 K553UD2 대신 K153UD2 마이크로 회로를 사용할 수 있지만 이러한 각 경우에 대해 보드의 전류 전달 경로 패턴을 변경해야 합니다.

칩의 미터 R, C, L
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다이어그램에 표시된 다이오드 유형 외에도 다이오드 D311A, D18, D9를 사용할 수 있습니다. 트랜지스터 KP103M은 KP103 그룹의 모든 트랜지스터로 교체할 수 있고 KP303V는 KP303G 또는 KP303E로 교체할 수 있습니다. KT2 또는 KT815 그룹의 모든 트랜지스터를 트랜지스터 VT817로 사용할 수 있습니다.

모든 교정 및 추가 요소는 SA1 스위치 단자에 직접 납땜되며, 발전기 및 밀리볼트계 요소는 단면 금속화 처리된 호일 유리 섬유로 만들어진 두 개의 인쇄 회로 기판에 배치됩니다. 발전기 보드에서 트랜지스터 VT2는 방열 표면적이 50cm2인 방열판에 배치되어야 합니다. 밀리볼트계 보드는 포인터 측정 헤드의 출력 단자에 직접 고정됩니다.

미터 설정은 발전기 조정부터 시작해야 합니다. 올바른 설치와 서비스 가능한 요소를 사용하면 트리머 저항 R26을 회전시켜 발전기가 안정적인 작동 모드로 설정됩니다. 오실로스코프 화면에서 발생기의 튜닝을 관찰하고 전자 주파수 측정기를 사용하여 주파수를 결정하는 것이 편리합니다.

발전기를 159Hz의 주파수로 설정하기 위해 스위치 SA1을 다이어그램의 상위 21개 위치 중 하나에 배치하고 트리밍 저항기 R22 및 R7를 사용하여 주파수 값을 조정합니다. 커패시터 C10, ​​C8 및 C9, C1 쌍을 ±15,9% 이상의 정확도로 선택한 경우 100kHz의 주파수로 튜닝할 필요가 없으며 자동으로 제공됩니다. 주파수를 정확하게 설정할 필요는 없으며 서로 XNUMX배 차이가 나는 것이 중요하다는 점에 유의해야 합니다. 부정확한 주파수 설정의 영향은 장치를 교정할 때 쉽게 보상됩니다.

밀리볼트계 설정은 43Hz 주파수의 0,05V 전압이 밀리볼트계 입력에 적용될 때 조정된 저항 R159을 사용하여 마이크로암미터 바늘을 스케일의 마지막 부분으로 설정하는 것으로 요약됩니다. 그런 다음 0,05kHz 주파수의 15,9V 전압이 입력에 적용될 때 장치 바늘 편향의 적합성을 확인하십시오. 회로 요소가 제대로 작동하면 자동으로 보장되므로 조정할 필요가 없습니다.

읽기 쉽도록 마이크로 전류계 눈금은 100눈금이어야 하며, 100 µA 눈금 대신 유사한 마이크로 전류계의 기성품 50 µA 마이크로 전류계를 사용하여 설치해야 합니다.

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