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아래는 간단한 최소 작동 전압 표시기의 다이어그램입니다.

최소 작동 전압 표시기

회로는 제조하기 쉽고 전류 소모가 적습니다. 작동 전압 6-24볼트. 표시가 없는 전류 소비(대기 모드: 60-240 mkA) 및 표시 모드: 1,5-6 mA.

간행물: cxem.net

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행성간 임무를 위한 내열성 메모리 28.07.2019

태양에 가장 가까운 두 행성인 수성과 금성에 대한 연구는 표면의 조건이 극도로 불리하다는 사실 때문에 항상 복잡했습니다. 예를 들어 수성은 최대 430 ° C까지 가열 할 수 있으며 금성은 대기의 특성으로 인해 훨씬 더 가열 될 수 있습니다. 따라서 이러한 천체를 가까이서 연구하는 모든 장치는 그에 따라 준비되어야 합니다.

현대 전자 제품은 열에 매우 민감하며 수백 도의 온도가 유해합니다. 그러나 과학자들은 수년 동안 이 문제를 해결하기 위해 고군분투해 왔으며 어느 정도 성공을 거둔 것 같습니다. 예를 들어, Arizona State University는 최근 NASA가 지원하는 HOTTech 프로그램에 따라 차세대 전자 모듈 개발을 발표했습니다. 이를 기반으로 최대 300°C 이상까지 견딜 수 있는 메모리 요소를 만들 수 있습니다. .

갈륨 질화물은 고온 전자 장치를 만드는 기본 재료로 사용되었습니다. 사실 마이크로프로세서와 메모리 모듈을 만드는 데 전통적으로 사용되는 실리콘은 상대적으로 낮은 밴드 갭(이 표시기는 전자가 가전자대에서 전도대로 이동하는 데 필요한 최소 에너지를 결정함)(1,12eV에 불과함)을 가지고 있습니다. 동시에 질화갈륨의 경우 3,4eV이므로 장치가 훨씬 더 높은 온도에서 정상적으로 작동할 수 있습니다. 동시에 고온 전자 프로그램의 일부로 연구되고 있는 넓은 밴드 갭을 가진 반도체 재료가 이것이 유일한 것은 아니라는 점에 주목해야 합니다. 넓은 밴드갭을 가진 또 다른 가치 있는 후보는 탄화규소입니다.

메모리 장치는 질화갈륨 기판에 화학 기상 증착에 의해 제조되었습니다. 테스트 중에 메모리 모듈은 25~300°C의 전체 범위에서 안정적인 성능을 보였습니다. 온도가 350°C까지 올라가면 공정에 대한 통제력이 상실되었으나, 실온까지 온도가 떨어지면 다시 회복되었다. 따라서 과열된 경우에도 메모리 모듈 자체는 손실되지 않지만 잠시 동안 정상 작동이 중지됩니다. 동시에 Yuji Zhao가 언급했듯이 작업 결과는 중간이며 다음 단계는 정상 모드에서 최대 500°C를 견딜 수 있는 메모리 모듈을 만드는 것이며 이러한 전자 장치를 사용하면 이미 탐색이 가능합니다. 금성, 심지어 수성의 표면.

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