고전압 트랜지스터를 테스트하는 장치. 계획, 설명

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고전압 트랜지스터 테스트 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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반도체 장치, 특히 라디오 시장에서 구입한 장치를 확인하는 것은 바람직할 뿐만 아니라 필요합니다. 제조 결함이 있거나 가짜가 있는 부품을 구입할 수 있기 때문입니다. 저자가 제안하는 장치는 디지털 또는 아날로그 장치에 부착하는 형태로 만들어지며 반도체 접합에서 허용되는 최대 역전압을 신속하게 결정할 수 있습니다.

아날로그 또는 디지털 멀티미터를 사용하여 반도체 장치를 테스트하면 테스트가 수행되는 전압이 낮기 때문에 서비스 가능성이 완전히 보장되지 않는 것으로 알려져 있습니다. 저전압 트랜지스터 테스트용 프로브(예: KT315B, KT815A)는 강력한 고전압 장치 테스트에 적합하지 않습니다.

테스트 중인 트랜지스터의 역콜렉터 전류가 참고서에 표시된 것보다 훨씬 높은 경우 품질이 낮은 복사본이 아니라 가짜(소위 "파괴")일 수 있다는 점을 명심해야 합니다. ), 동일한 하우징에 하나의 트랜지스터를 가장하여 다른 것을 판매합니다.

제안된 장치는 50~600V의 전압에서 모든 구조의 바이폴라 트랜지스터의 역전류를 측정하도록 설계되었습니다. 또한 정류기 다이오드, 사이리스터, 트라이액의 역전류를 확인하고 가스 방전의 작동 전압을 결정할 수 있습니다. 램프, 고전압 제너 다이오드, 배리스터.

장치의 개략도가 그림에 나와 있습니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

전원 스위치 SB220과 저항 R1, R1를 통해 2V의 교류 전압이 전압이 배가되는 다이오드 VD1, VD2를 사용하는 반파 정류기에 공급됩니다. 다이어그램에 따라 저항 R2의 슬라이더가 위쪽 위치에 있으면 각 커패시터 C1, C2는 주전원 전압의 진폭 값에 가까운 전압, 즉 300V보다 약간 높은 전압으로 충전됩니다. 시간이 지나면 다이어그램에 따라 조정 가능한 정전압이 저항 R8의 왼쪽 단자에 있고 R9는 600V에 도달할 수 있습니다.

저항 R3, R4는 전원을 끈 후 커패시터 C1, C2의 방전 속도를 높이도록 설계되었습니다. HL1 네온 램프는 100V 이상의 전압에서 켜집니다. 6V로 보정된 간단한 전압계는 저항 R7, R1 및 마이크로 전류계 PA600을 사용하여 제작되었습니다. 저항 R8, R9는 부하 단락 전류를 6으로 제한합니다. 엄마; 동시에 최대 3,6W의 전력을 소비합니다.

p-n 접합의 역전류 증가를 나타내는 HL2 LED는 100μA 전류에서 거의 눈에 띄지 않게 빛나기 시작합니다(낮은 전류에서 가장 높은 광속에 따라 LED를 선택하는 것이 좋습니다). 실리콘 다이오드 VD3은 연결된 마이크로 전류계를 과부하로부터 보호합니다.

이 장치는 적절한 전력의 고정 MLT 저항기를 사용합니다. 선형 특성을 갖는 가변 저항 R2 - SP-1 1W(그룹 A). 일부 고정 저항기의 과대평가된 전력은 고전압에서의 작동으로 설명됩니다.

커패시터 C1, C2는 산화물, 유형 K50-7, K50-27 또는 이와 유사한 유형으로 최소 350V의 전압에 대해 사용됩니다. 73V에 대해 17μF 용량의 비극성 K2,2-400을 사용할 수 있습니다.

다이오드 VD1-VD3은 허용 역전압이 최소 700V인 다른 저전력 실리콘 다이오드로 교체할 수 있습니다.

네온 램프 HL1 - 250μA 이하의 전류에서 충분한 밝기를 갖는 모든 유형. 전원 스위치 SB1은 작동 전압이 최소 250V인 푸시 버튼 스위치(잠금 없음!)입니다.

릴-투-릴 테이프 레코더 "Saturn 1C-4761"의 레벨 표시기에서 프레임 저항이 1 kOhm인 마이크로 전류계 RA202 유형 M2 총 바늘 편향 전류가 50...300 μA인 다른 것으로 대체할 수 있습니다. 예: M68501, M4260, M4204. 이러한 교체에는 저항 R6, R7의 저항을 크게 조정해야 할 수도 있습니다.

구조적으로 장치는 100x150x30mm 크기의 플라스틱 케이스에 넣을 수 있습니다. 저항 R2의 축에 플라스틱 손잡이를 설치해야 합니다. 자주 사용하는 경우 장치에는 "npn" 및 "pnp" 구조의 트랜지스터를 테스트하기 위한 극성 스위치가 장착될 수 있습니다.

측정 중 감전을 방지하려면 전원 회로의 전류가 제한되고 작업자의 손이 바빠집니다. 동시에 전원 버튼을 누르고 부하의 전압을 조정해야 합니다. 그러므로, 설계는 전압이 걸려 있는 커넥터의 단자 또는 클램프에 반도체 장치의 단자를 고정하는 것을 제공합니다.

반도체 장치를 최대 전압으로 테스트하기 전에 기존 저항계를 사용하여 주요 매개변수를 확인하고 테스트 첫 번째 단계에서 이미 결함이 있는 항목을 제거해야 합니다.

사이리스터를 확인할 때에는 np-n 구조의 트랜지스터 단자에 연결하고, 제어전극은 베이스 단자에 연결합니다. 트라이악은 입력 전압에 대한 두 가지 극성 옵션으로 검사되며 제어 전극은 연결되지 않은 상태로 유지됩니다. 모든 디자인의 마이크로 전류계는 소켓 X1, X2에 연결됩니다. 특히 디지털 멀티미터를 사용하는 것이 편리합니다. 추가 전압계를 접점 ХЗ, Х4에 연결할 수 있습니다.

테스트 전압은 측정 장치를 사용하여 역전류 증가 또는 LED 발광 모양을 모니터링하면서 점차적으로 증가해야 합니다.

트랜지스터 하우징의 유형이 다양하기 때문에 이를 장치에 연결하기 위한 단일 권장 사항을 제시하기는 어렵습니다. 간단히 트랜지스터 단자에 전선을 납땜할 수 있습니다. 두 가지 기본 요구 사항만 준수해야 합니다. 장치에 대한 모든 연결은 전원을 끄고(장치가 네트워크에서 격리되지 않음!) 필터 커패시터가 완전히 방전된 상태에서 이루어져야 합니다.

때로는 상온에서 역전류를 측정하는 것만으로는 충분하지 않을 수 있으므로 전기 헤어드라이어를 사용하여 트랜지스터나 기타 반도체 장치를 가열할 수 있습니다.

테스트 결과에 따라 전압 마진이 충분한 반도체 장치를 보다 주의 깊게 사용할 수 있습니다.

측정 회로와 네트워크의 갈바닉 연결을 제외하려면 절연 변압기를 통해 장치를 연결하는 것이 좋습니다.

저자: A.Butov, 야로슬라블 지역 쿠르바 마을

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