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효율적인 바이폴라 전력 트랜지스터(BMT) 생산 기술은 몇 년 전에 MOTOROLA에서 개발했으며 H2BIP (고이득, 고주파 바이폴라 트랜지스터).

메모. 이 새로운 기술의 핵심은 동일한 반도체 구조에서 주요 고전압 BMT 외에도 이 트랜지스터의 활성 불포화 회로와 수집기와 이미 터 사이에 통합된 역병렬 다이오드가 생성된다는 것입니다.

이 기술을 사용하여 생성된 BMT는 바이폴라 트랜지스터 중에서 정적, 동적 및 에너지 표시기의 최상의 조합을 특징으로 하는 반면 용해 시간 t에서 미미한(±0,15μs 이하) 확산을 가집니다.s. BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 및 인기 있는 MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009와 같은 이 시리즈의 장치는 현재 유망한 대량 시장 제품인 전자식 안정기에 성공적으로 사용됩니다.

BMT 유형 MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009는 많은 제조업체에서 생산하므로 MJE 대신 ST, RNE, KSE, HA, MJF 등의 명칭이 있을 수 있습니다.

테이블에서. 3.11은 전자식 안정기에 가장 일반적으로 사용되는 BMT의 기술 파라미터를 보여줍니다.

회로 기능

하프 브리지 회로에 따라 조립되고 36-40kHz의 스위칭 주파수에서 각각 30-50W의 전력으로 두 개의 형광등 작동을 제어하는 ​​일반적인 전자식 안정기의 출력 키 모드 비교 분석 , MOTOROLA의 MJE45와 마찬가지로 BMT 유형 BUL2D13005를 사용할 때 키의 총 전력 손실 수준이 매우 작은 값(트랜지스터당 약 0,5W)임을 보여줍니다.

OAO ELEKTRONPRIBOR(ZAO FZMT, Fryazino)에서 제조한 국내 BMT 유형 KT8136A 및 KT8181A를 이 장치에서 사용할 때 거의 동일한 지표를 얻습니다. 전류와 전압이 등가인 안정기에 사용하는 경우

표 3.11. 전자식 안정기에 사용되는 BMT의 기술 파라미터

전자식 안정기에 사용되는 BMT의 기술 매개변수. 회로 기초

IR의 MOSFET 유형 IRF830 또는 "초고속" IGBT 유형 IRGB410U의 경우 이러한 MT의 전력 손실 수준은 1,5-2배 더 높습니다(트랜지스터당 0,8-1,0W).

BMT는 또한 전자식 안정기의 작은 최종 가격을 얻는 데 근본적으로 중요한 경쟁 프로토타입보다 눈에 띄게 저렴합니다. 왜냐하면 BMT는 현재 LL이 있는 램프의 조명 공학에 사용되는 비효율적이지만 저렴한 전기 기계식 안정기(스타터가 있는 초크)를 대체하는 것을 목표로 하기 때문입니다. .

저자: Koryakin-Chernyak S.L.

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