IR53HD420 칩을 기반으로 하는 소형 전자식 안정기입니다. 구성표, 설명

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전자식 안정기. IR53HD420 칩을 기반으로 하는 소형 전자식 안정기입니다. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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경고! 디자인은 전기 네트워크에 전기적으로 연결됩니다. 감전으로 인해 잠재적으로 생명을 위협할 수 있습니다. 따라서 제조, 테스트, 조정 및 작동 시 전기 안전 조치를 엄격히 준수해야 합니다.

설계는 도체 또는 부품의 벗겨진 단자와의 우발적 접촉을 배제하는 방식으로 이루어져야 합니다. 구조물의 동작을 확인할 때 부품이나 회로를 손으로 만지지 말고 소켓에서 전원 플러그를 뽑은 후에만 교체할 부품을 납땜하십시오.

고려 소형 전자식 안정기하이브리드 마이크로 회로에서 만든 IR53HD420 (IR51HD420), 파워 트랜지스터와 전압 부스트 다이오드가 내장되어 있습니다. IR51HD420 하이브리드 칩을 기반으로 한 초소형 전자식 안정기는 최대 0,3A 전류의 단일 램프와 함께 작동하도록 설계되었으며 소형 형광등과 함께 널리 사용됩니다. IR53HD420/IR51HD420의 구조도는 Fig. 3.20.

전력 트랜지스터가 통합된 IR53Hxxx / IR51Hxxx 제품군에는 매개변수가 다른 여러 마이크로 회로가 포함되어 있으며 주요 특성은 표에 나와 있습니다. 3.4.

IR53HD420 칩 기반의 소형 전자식 안정기
쌀. 3.20. IR53HD420/IR51HD420의 구조도

표 3.4. 칩 특성

IR53HD420 칩 기반의 소형 전자식 안정기

표 참고. 3.4. HD - 통합 부스터 다이오드 포함; H - 다이오드 없음.

IR51HD420의 주요 매개변수는 IR2151, IR2153과 유사합니다. IR51HD420에 통합된 420개의 n채널 HEXFET 트랜지스터(IRFCXNUMX)는 다음 매개변수:

연속 최대 드레인 전류 I_D -1,2A;
권장 연속 드레인 전류 I_D - 0,7A;
최대 드레인-소스 전압 V_DS - 500V;
최대 전력 손실 P_D - 2-3W;
개방 상태 R에서 전원 스위치 채널의 저항_DS- 3,0옴.

소형 전자식 안정기의 개략도가 그림에 나와 있습니다. 3.21.

쌀. 3.21. IR53HD420에 구축된 소형 전자식 안정기의 개략도(확대하려면 클릭)

운영 원칙 위에서 이미 논의한 IR2153의 전자식 안정기와 유사합니다.

메인 필터 인덕터 L1은 창이 완전히 채워질 때까지 20코어 네트워크 와이어(또는 반으로 접힌 MGTF)가 있는 K12x6x2000 M84110NM 페라이트 링에 감겨 있습니다. 특수 EPCOS 필터(B14-B-A84110, B5-A-A84110, B10-A-A84110, B20-A-AXNUMX)는 미니어처 치수와 함께 우수한 노이즈 억제 결과를 제공합니다.

전자식 안정기 L2의 인덕터는 M2000NM 페라이트로 만든 W자형 자기 코어로 만들어집니다. 간격이 있는 코어 크기 Sh5x5 δ = W자형 코어의 세 작업 표면 모두에서 0,4mm. 우리의 경우 간격의 크기는 자기 회로 절반의 접촉면 사이의 개스킷 두께입니다.

틈을 만들려면 자기 회로 절반의 결합 표면 사이에 0,4mm 두께의 비자 성 재료 (비 포일 유리 섬유 또는 getinax)로 만든 개스킷을 놓고 에폭시 접착제로 고정해야합니다.

인덕터의 인덕턴스 값(일정한 회전 수)은 비자기 갭 값에 따라 달라집니다. 갭이 감소하면 인덕턴스가 증가하고 증가하면 감소합니다.

권선 L2 - 직경 180mm의 PEV-2 와이어 0,25회. 층간 절연 - 니스 처리된 천. 와인딩 - 턴 투 턴.

다이오드 브리지 VD1 - 가져온 RS207, 허용 가능한 직류 2A, 역 전압 1000V. 적절한 매개 변수가 있는 XNUMX개의 다이오드로 교체할 수 있습니다.

IR51HD420 하이브리드 칩은 IR53HD420, IR51H420, IR53H420으로 교체할 수 있습니다.

이사회. IR51H420, IR53H420을 사용할 때 이러한 미세 회로에는 전압 부스트 다이오드(핀 1과 6 사이)가 내장되어 있지 않으며 설치해야 한다는 점을 고려해야 합니다. 이 경우에 사용되는 다이오드는 다음 매개변수를 포함하는 초고속 등급(초고속)이어야 합니다. 역전압 400V; 허용되는 직류 - 1A; 역 복구 시간 - 35ns.

11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109에 적합합니다. 다이오드는 가능한 한 칩에 가깝게 위치해야 합니다.

R3, C5, Sat - 표면 장착용 SMD 요소(6V의 경우 C60). 커패시터 C1, C2, C7 - K73-17. C1, C2 - 630V의 경우, C7 - 400 또는 630V의 경우; C3 - 최소 10V의 공칭 전압에 대해 가져온 전해(병렬로 350개의 4μF) C25 - 8V에 대한 전해; C78 - 2V용 폴리프로필렌 K1000-XNUMX

EPCOS - S1K14, S275K20의 배리스터 RU275은 TVR(FNR) 14431, TVR(FNR) 20431 또는 국내 CH2-1a-430 V로 교체합니다.

R1 - 2,2-4,7W 전력의 와이어 1-2옴, 음의 온도 계수(NTC - 음의 온도 계수) - SCK 105(10옴, 5A) 또는 EPCOS의 서미스터(서미스터)로 교체 가능 - B57234 -S10-M, B57364-S100-M.

RK2는 IR2153의 전자식 안정기와 동일한 포지스터입니다.

안정기는 호일 유리 섬유로 만들어진 인쇄 회로 기판에 조립되고 알루미늄 차폐 케이스에 배치됩니다. 인쇄 회로 기판 및 요소 배열은 그림 3.22에 나와 있습니다. 2153. 튜닝 권장 사항은 IRXNUMX의 전자식 안정기 섹션에서 설명한 것과 유사합니다.

IR53HD420 칩 기반의 소형 전자식 안정기
쌀. 3.22. 인쇄 회로 기판 및 요소 레이아웃

저자: Koryakin-Chernyak S.L.

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