라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 스피커 보호 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 인생에서 어떤 이유로 든 스피커 시스템이 오디오 주파수 증폭기에 연결되는 상황이 종종 있습니다. 그 전력은 시스템에 허용되는 최대치를 초과하여 한편으로는 더 나은 사운드를 얻을 수 있습니다. 품질이 향상되고 다이내믹 레인지가 증가하는 반면, 과부하로 인해 다이내믹 헤드가 손상될 위험이 높아집니다. 이는 학교, 학생 및 청소년 파티에서 스피커를 사용할 때 특히 그렇습니다. 음향은 종종 "더 강력한" 첫 번째 작동 앰프에 연결됩니다. 정격 출력을 초과하는 전원을 공급받을 때 스피커가 손상되는 것을 방지하려면 스피커에 과부하 보호 장치가 내장되어 있어야 하며 추가 전원이 필요하지 않습니다. 10...35W의 전력으로 스피커를 보호하도록 설계된 이러한 장치의 개략도는 다음과 같습니다. 과부하 시 스피커를 끄는 것 외에도 이 장치는 앰프의 트랜지스터가 고장나고 출력에 일정한 전압이 나타날 경우 다이나믹 헤드가 손상되지 않도록 보호합니다. 장치는 오디오 전력 증폭기의 출력에 연결됩니다. AC 전압은 다이오드 브리지 VD1에 의해 정류됩니다. 저항 R1은 전력 증폭기 작동에 대한 장치의 영향을 제거합니다. 정류된 전압은 산화물 커패시터 C3, C2에 의해 평활화됩니다. 증폭기 출력 전력이 스피커에 허용되는 최대 전력을 초과하지 않는 한 커패시터 C2 단자의 전압은 작고 제너 다이오드 VD3이 닫혀 있으므로 사이리스터 VS1도 닫힙니다. 미세전류 모드에서는 이러한 유형의 SCR을 제어할 수 있습니다. 즉, 제어 전압을 제거하여 SCR을 닫을 수 있습니다. VS1이 닫혀 있으므로 트랜지스터 VT2도 닫힙니다. 릴레이 K1의 접점이 닫히고 전원의 100%가 다이나믹 스피커 헤드에 공급됩니다. 증폭기의 출력 전력이 스피커의 허용 전력을 초과하자마자 C2의 전압은 제너 다이오드 VD1이 열리고 트리니스터 VS1 및 트랜지스터 VT2가 열리고 릴레이 K1의 접점이 열리고 전원이 공급될 정도로 증가합니다. 스피커에 대한 저항은 R11-R13에 의해 제한됩니다. 이 저항은 전력 증폭기의 부하 역할을 하여 정전 시 증폭기의 안정성을 향상시키며, 또한 개폐 시 릴레이 접점 사이의 스파크를 줄여줍니다. 과부하 보호가 작동되면 HL1 LED가 켜집니다. 이미터 접합이 1...7V의 안정화 전압을 갖는 마이크로 전력 제너 다이오드로 작동하는 트랜지스터 VT12은 전계 효과 트랜지스터를 게이트 절연체의 파손으로부터 보호합니다. 증폭기 출력의 전압이 감소하자마자 제너 다이오드 VD3이 닫히고 VS1, VT2가 닫히고 릴레이 K1의 접점이 닫히고 스피커에 전체 전력이 다시 공급됩니다. 저항 R8은 임계값을 약간 초과하는 일정한 출력 전력에서 릴레이 접점의 주기적 폐쇄 및 개방을 방지하는 작은 히스테리시스를 도입합니다. 저항 R9는 접점이 열릴 때 릴레이 권선을 통과하는 전류를 감소시키고, 커패시터 C6은 릴레이의 안정적인 작동에 필요한 충분한 양의 에너지를 축적합니다. 구조를 스피커 캐비닛 내부에 배치할 때 구조 요소는 다이나믹 헤드에 의해 생성된 광범위한 사운드 주파수에서 상당히 강한 진동 조건에서 작동합니다. 또한 경우에 따라 다이나믹 헤드의 교번 자기장을 가져와야 합니다. 계정에. 인쇄 회로 기판은 다이나믹 헤드의 개방형 자기 시스템에서 최대한 멀리 위치해야 합니다. 이 장치는 고정 저항기 MLT, Cl-4, C2-23 또는 가져온 아날로그를 사용합니다. SP3-4, SPZ-1v, SP16-5A, SPZ-16a, SP19-4과 같이 닫힌 케이스에서는 트리밍 저항 R3을 사용하는 것이 좋습니다. 조정 후에는 저항기의 회전축을 페인트 한 방울로 고정해야 합니다. 커패시터 C1 필름 폴리에틸렌 테레프탈레이트 K73-17, K73-9 또는 이와 유사한 것. C4 - 세라믹 K10-17, KM-5, 산화물 커패시터 - K50-35 또는 수입 아날로그. 커패시터 C3은 두 개의 470uF 커패시터로 구성될 수 있습니다(이는 인쇄 회로 기판에 제공됨). 필요한 경우 커패시터 C6도 100V의 작동 전압에 사용해야 합니다. 장치가 출력단의 공급 전압이 ±50V를 초과하는 증폭기와 함께 사용되는 경우 산화물 커패시터는 160V의 전압에 사용해야 합니다. 저항 R1, R2, R9의 전력 및 저항도 증가해야 합니다. 커패시터 C3, C6은 인쇄 회로 기판에 평행하게 설치되며 와이어 클램프로 추가로 고정됩니다. 다이오드 브리지는 유사한 저전력 브리지(예: DB103-DB107, RB153-RB157)로 교체하거나 작동 전압이 100V 이상인 243개의 정류기 다이오드로 구성할 수 있습니다. KD243A 대신 원하는 브리지를 설치할 수 있습니다. KD247, KD208, KD105, KD1, 4002N1-4007NXNUMX 시리즈. 제너 다이오드 1N4738A는 KS175A, KS175Zh, KS126K로 교체 가능하며, LED는 다른 것으로 교체 가능합니다. KU112A 사이리스터 대신 TO-112 패키지의 KU 92 AM을 사용할 수 있습니다. 이 설계의 IRF9540 n채널 전계 효과 트랜지스터는 방열판 없이 작동할 수 있습니다. 최대 드레인-소스 전압은 100V이고 국내 아날로그는 KP785A입니다. 이 트랜지스터 대신 UCH MAX > 9634V인 IRF796, KP250A를 사용할 수 있습니다. KT315A 대신 KT312, KT315, SS9014 시리즈 중 하나를 사용할 수 있습니다. 릴레이 K1 - REK-29, 여권 DUSH4.501.56. 이 계전기의 권선 저항은 약 950Ω이고 15V의 전압에서 안정적인 접점 스위칭이 발생하며 최소 유지 전압은 7V입니다. 이 유형의 계전기는 국내 USST TV의 원격 제어 모듈에 사용되었습니다. 교체 시 이 릴레이의 접점이 상당한 전류를 전환해야 한다는 사실을 고려해야 합니다. 이 장치는 LED를 제외한 모든 요소가 설치된 140x50mm 크기의 인쇄 회로 기판에 장착할 수 있습니다. ~에 그림 2 인쇄 회로 기판은 도체의 측면에서 보여집니다. 장착 면에서는 보드를 3~0,5겹의 얇은 에폭시 접착제로 덮는 것이 좋습니다. 각 후속 레이어는 이전 레이어가 경화된 후에 적용됩니다. 보드는 XNUMX개의 MXNUMX 나사 또는 셀프 태핑 나사를 사용하여 내부에서 스피커 본체에 부착됩니다. 가능하다면 두꺼운 벽(>XNUMXmm)의 빈 케이스로 덮는 것이 좋습니다. 이렇게 하면 강력한 스피커의 진동으로 인한 장치 고장 가능성도 줄어들고 릴레이 접점 바운스 가능성도 줄어듭니다. 저자가 만든 이 장치의 두 사본은 15GDN-220-25 다이나믹 헤드를 사용하는 3AS-4 음향 시스템과 함께 사용됩니다. 이러한 시스템은 전력 입력이 40W를 초과하면 쌕쌕거림과 덜거덕거림을 시작합니다. 보호 임계값은 25W로 설정됩니다. 이 스피커는 002W 이상의 전력을 50Ω 부하로 발전시킬 수 있는 Orbita UM-4 스테레오 앰프로 구동됩니다. 나머지 두 사본은 Corvette 10U-1 S 증폭기로 구동되는 50GDSh-068 광대역 헤드에 조립된 수제 밀봉 스피커에 설치됩니다. 보호 기능을 켜기 위한 임계값은 25Ω 부하에서의 증폭기 작동을 기준으로 4W로 설정됩니다. 강력한 스피커(>35~5W) 및 강력한 증폭기를 사용하여 작업할 때 사이리스터가 이 경우 너무 낮은 전력에서 닫히면 저항기 R4 및 R7의 저항이 두 배가 될 수 있습니다. 이 장치는 일정한 저항기 R2 대신 3,3°C에서 음의 TCR 저항이 4,7...25kOhm인 서미스터를 설치하여 수정할 수 있습니다. 이 서미스터는 열 전도성 고무 개스킷을 통해 자기 시스템에 단단히 고정되어야 합니다. 강력한 저주파 헤드. 이 경우 자기 시스템이 매우 뜨거우면 장치는 증폭기의 더 낮은 출력 전력에서 보호 기능을 켭니다. 저자: A. Butov, p. Kurba, Yaroslavl 지역; 간행물: cxem.net 다른 기사 보기 섹션 스피커. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 광신호를 제어하고 조작하는 새로운 방법
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