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수년 동안 Radio 잡지는 초보자 라디오 아마추어를위한 가장 간단한 디자인에 대한 설명을 게시했습니다. 이 디자인은 자체적으로 또는 잘 알려진 avometer와 함께 라디오 구성 요소를 확인하고 필요한 경우 트랜지스터 매개 변수를 측정하고 "링 아웃"할 수 있습니다. 올바른 회로 연결을 위한 설치 또는 단순히 avometer 사용 가능성을 확장합니다. 이러한 장치 중 일부는 제안된 기사에 설명되어 있습니다.

"전화 걸기" 설치를 위한 프로브

조립 된 구조의 조정을 진행하기 전에 설치를 "링 아웃"해야합니다. 즉, 회로도에 따라 모든 연결의 정확성을 확인해야합니다. 이러한 목적을 위해 라디오 아마추어는 종종 저항계 또는 비행계를 사용합니다. 저항 측정 모드에서 작동.

종종 이러한 장치는 특정 회로의 무결성을 알리는 역할을 하는 소형 프로브를 대체할 수 있습니다. 프로브는 다중 와이어 번들 및 케이블을 "울리는" 데 특히 편리합니다. 가능한 프로브 회로 중 하나가 그림 1에 나와 있습니다. XNUMX. XNUMX개의 저전력 트랜지스터, XNUMX개의 저항, LED 및 전원 공급 장치가 있습니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

초기 상태에서는 이미 터에 비해베이스에 바이어스 전압이 없기 때문에 모든 트랜지스터가 닫힙니다. "전극에"와 "클램프에"라는 결론을 서로 연결하면 트랜지스터 VT1의 기본 회로에 전류가 흐르고 그 값은 저항 R1의 저항에 따라 달라집니다. 트랜지스터가 열리고 콜렉터 부하 저항 R2에 전압 강하가 나타납니다. 결과적으로 트랜지스터 VT2 및 VT3이 열리고 전류가 HL1 LED를 통해 흐릅니다. 테스트 중인 회로가 작동 중이라는 신호 역할을 하는 LED가 깜박입니다.

프로브는 다소 비정상적으로 만들어졌습니다. 모든 부품은 시계 줄 (또는 팔찌)에 부착 된 작은 플라스틱 케이스 (그림 2)에 장착됩니다. 하단에서 스트랩 (케이스 반대쪽)까지 금속판 전극이 부착되어 저항 R1에 연결되며 스트랩이 팔에 고정되면 전극이 눌려집니다. 이 경우 손의 손가락이 프로브 프로브 역할을 합니다. 팔찌를 사용할 때 추가 전극판이 필요하지 않습니다. 저항 R1의 출력이 팔찌에 연결됩니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

프로브 클램프는 예를 들어 번들에서 찾거나 설치에서 "링"되어야 하는 도체의 끝 중 하나에 연결됩니다. 손가락으로 번들 반대쪽에 있는 도체의 끝을 차례로 터치하면 LED 발광 모양으로 원하는 도체를 찾을 수 있습니다. 이 경우 도체의 저항뿐만 아니라 손의 저항도 프로브와 클램프 사이에 포함되는 것으로 밝혀졌다. 이 회로를 통과하는 전류는 프로브가 "트리거"되고 LED가 깜박이기에 충분합니다.

트랜지스터 VT1은 최소 315의 전류 전송 정적 계수(간단히 간단히 계수)를 가진 KT50 시리즈에서 사용됩니다. VT2 및 VT3 -적절한 구조와 최소 60 (VT2) 및 20 (VT3)의 전류 전달 계수를 갖는 모든 저전력 저주파 주파수.

AL102A LED는 경제적입니다(약 5mA의 전류 소모). 광도가 낮습니다. 우리의 목적에 충분하지 않다면 AL 1025 LED를 설치하십시오 전원은 직렬로 연결된 두 개의 D-0.06 또는 D-0.07 배터리입니다. 프로브에는 전원 스위치가 없습니다. 초기 상태 (첫 번째 트랜지스터의 기본 회로가 열린 상태)에서 트랜지스터가 닫히고 전류 소비가 무시할 수 있기 때문에 전원의 자체 방전 전류에 비례합니다.

프로브는 예를 들어 그림 3에 표시된 것과 같이 동일한 구조의 트랜지스터에 조립할 수 있습니다. XNUMX 계획. 사실, 이전 디자인보다 몇 가지 세부 사항이 더 포함되어 있지만 입력 회로는 외부 전자기장으로부터 보호되어 때때로 LED가 잘못 깜박입니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

전류 전달 계수가 315 이상인 KT25 시리즈의 실리콘 트랜지스터가 이 프로브에서 작동하며 커패시터 C1은 외부 간섭으로 인한 잘못된 표시를 제거합니다.

이전의 경우와 마찬가지로 초기 모드에서 트랜지스터의 닫힌 상태에서 전원에 병렬로 연결된 HL1R4VT3 회로의 저항이 0,5 ... 1MΩ이기 때문에 장치는 실제로 에너지를 소비하지 않습니다. 표시 모드의 전류 소비는 6mA를 초과하지 않으며 저항 R3을 선택하여 LED의 밝기를 변경할 수 있습니다.

소리 표시가 있는 프로브는 그다지 관심을 끌 수 없습니다. 팔찌로 팔에 부착 된 그 중 하나의 계획이 그림에 나와 있습니다. 4.

단순 프로브, 부착물, 미터

민감한 전자 키 트랜지스터 VT1로 구성됩니다. VT4 및 가청 주파수 생성기(34)는 소형 전화 BF2의 트랜지스터 VT3, VT1 v에 조립됩니다. 발전기의 발진 주파수는 전화의 기계적 공진 주파수와 같습니다.커패시터 C1은 표시기 작동에 대한 AC 간섭의 영향을 줄입니다.저항 R2는 트랜지스터 VT1의 컬렉터 전류를 제한합니다. 따라서 트랜지스터 VT4의 이미 터 접합의 전류. 저항 R4는 전화 소리의 최고 볼륨을 설정하고 저항 R5는 공급 전압이 변할 때 발전기의 안정성에 영향을 미칩니다.

BF1 사운드 이미 터는 저항이 2 ~ 16ohm 인 모든 소형 전화기 (예 : TM-150)가 될 수 있으며 전원은 D-0,06 배터리 또는 RTS53 요소입니다. 트랜지스터 - 기타 모든 실리콘, p-np(VT1) 및 npn(VT2-VT4) 구조. 가능한 가장 높은 전류 전달 계수와 1μA 이하의 역방향 컬렉터 전류를 사용합니다.

프로브의 부품은 단면 호일 유리 섬유로 만든 절연 막대 또는 보드에 장착됩니다. 바(또는 보드)는 예를 들어 금속 팔찌가 연결된 시계 형태의 금속 케이스에 배치됩니다. 라디에이터 반대편의 하우징 커버에 구멍이 뚫려 있고 X2 커넥터의 소형 소켓이 측벽에 고정되어 있습니다. 끝에 X1 프로브(악어 클립일 수 있음)와 함께 확장 도체가 삽입됩니다.

약간 다른 프로브 회로가 그림 5에 나와 있습니다. XNUMX. 실리콘과 게르마늄 트랜지스터를 모두 사용합니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

커패시터 C2는 전자 키를 교류로 분류하고 커패시터 C3은 전원 공급 장치입니다.

전류 전달 계수가 1 이상, VT120 - 2 이상, VT50 및 VT3 - 4 이상(역 컬렉터 전류는 20μA 이상)인 트랜지스터 VT10을 선택하는 것이 바람직합니다. 사운드 이미 터 BF1 - 저항이 4 ... 60 Ohm 인 캡슐 DEM-130 (또는 이와 유사한 것)

가청 표시가 있는 프로브는 이전 프로브보다 약간 더 많은 전류를 소비하므로 장시간 작업을 중단하는 동안 전원을 끄는 것이 좋습니다.

RC 미터

짐작하셨겠지만 이야기는 저항의 저항과 커패시터의 정전 용량을 측정하는 장치에 관한 것입니다. 그것은 학교 물리학 과정에서 알려져 있고 다양한 매개변수의 정확한 측정을 위해 엔지니어링에서 널리 사용되는 브리지 측정 회로를 기반으로 합니다(그림 6).

단순 프로브, 부착물, 미터

회로의 왼쪽은 교류 전압 발생기이고 오른쪽은 측정 브리지입니다. 이 장치는 10 Ohm ~ 10 MΩ의 저항 저항과 10 pF ~ 10 μF의 커패시터 커패시턴스를 측정하도록 설계되었습니다.

교류 전압 발생기는 하나의 MP39 트랜지스터에 조립됩니다(MP39-MP42 시리즈 또는 다른 저주파 트랜지스터가 가능함). 변압기 T1의 1차 권선은 트랜지스터의 컬렉터 회로에 포함되고 2차 권선은 트랜지스터의 베이스에 연결됩니다. 바이어스 전압은 분배기 R3R1에서 베이스로 인가됩니다. 이미 터 회로는 피드백 저항 RXNUMX을 포함합니다. 주변 온도가 변하고 공급 전압이 감소할 때 발전기의 작동을 안정화합니다. 컬렉터와 베이스 회로 간의 포지티브 피드백으로 인해 생성(여기)이 발생합니다. 교류 전압은 트랜지스터의 컬렉터에서 가져와 커패시터 CXNUMX을 통해 브리지로 공급됩니다.

SA2를 측정 브리지로 전환하여 기준 저항과 커패시터를 연결합니다. 가변 저항 R7로 브리지의 균형을 맞춥니다. 테스트 된 부품을 "C, Rx"단자에 연결하고 "Tf"소켓에는 저항이 높은 헤드폰 (TON-1, TON-2 등, 저항이 2kOhm 이상)이 포함됩니다.

공차가 4% 이상인 고정 저항 MLT, BC 및 R6-R5을 사용합니다. 커패시터 C1-C3은 종이(MBM, BMT, KBGI 및 기타 유형) 및 C4 운모일 수 있으며 커패시터 C2-C4의 커패시턴스도 5%의 허용 오차를 가져야 합니다. 약 1:3의 기본 권선. 산업용 트랜지스터 수신기의 일치하는 모든 변압기가 여기에 적합합니다. 극단적인 경우에는 횡단면이 1mm30 이상인 퍼멀로이 W형 판으로 만든 자기 코어에 변압기를 직접 감으십시오(예: Sh2 철, 세트 두께 5mm). 권선 I에는 직경이 6 ~ 2400mm인 PEV 또는 PEL 와이어를 0.06회 감아야 합니다. 권선 II - 0.08 ... 동일한 와이어의 700 회전.

나무 또는 금속 케이스에 장치를 조립하십시오(그림 7). 전면 벽에 스위치 SA1을 장착합니다. 스위치 SA2, 가변 저항 R7, 테스트 부품과 헤드폰을 연결하기 위한 클램프 및 소켓.

단순 프로브, 부착물, 미터

스위치의 각 고정 위치에 대해 그림과 같이 기준 부품의 공칭 값을 씁니다. 가변 저항기의 핸들 주위에 원을 그리고 당분간 핸들의 극한 위치에 해당하는 두 가지 위험을 적용하십시오.

설치를 확인한 후 장치를 켜고 헤드폰을 듣습니다. 소리가 나지 않으면 발전기 변압기 권선 중 하나의 리드를 교체하십시오.

그런 다음 척도 채점을 시작합니다. 척도는 일반적이므로 모든 측정 범위에서 눈금을 매길 수 있습니다. 그러나이 범위의 경우 액면가가 알려진 몇 가지 부품을 선택하십시오. 예를 들어 "x10k" 범위를 선택하고 스위치 SA2를 이 위치에 두었습니다. 1 ~ 100kOhm의 저항을 비축하십시오. 먼저 1kOhm 저항을 단자에 연결하고 전화기에서 소리가 사라질 때까지 가변 저항의 노브를 돌립니다. 다리는 균형을 이루고 있으며 이곳의 저울에서 "0.1"(1kOhm : 10kOhm = 0,1)이라는 문구로 위험을 감수할 수 있습니다. 2, 3, 4 ... 10 kOhm의 저항을 가진 저항을 터미널에 차례로 연결하여 스케일에 0.2에서 1까지의 위험을 둡니다. 2에서 10까지의 위험도 적용됩니다. 이 경우 저항만 20이어야 합니다. .30kOhm 등 d.

다른 범위에서 장치의 작동을 확인하십시오. 측정 결과가 부품 정격의 실제 값과 다른 경우 해당 기준 저항 또는 커패시터 커패시턴스의 저항을 보다 정확하게 선택하십시오.

장치를 사용할 때 다음 순서를 따르십시오. 측정된 저항을 단자에 연결하고 먼저 스위치를 "x1 M" 위치로 설정합니다. 가변 저항 손잡이를 돌려 브리지의 균형을 맞추십시오. 이것이 실패하면 스위치를 다음 위치로 순차적으로 설정하십시오. 그 중 하나에서 다리가 균형을 이룹니다. 스위치 눈금과 가변 저항의 판독 값을 곱하여 측정 저항의 저항을 계산하십시오. 예를 들어 스위치는 "x10k" 위치에 있고 가변 저항 손잡이는 "0.8" 위험에 대비합니다. 그러면 측정된 저항은 10kOhm x 0.8 = 8kOhm이 됩니다. 마찬가지로 커패시터의 커패시턴스를 측정하십시오.

장치로 작업할 때 음량이 충분하지 않은 경우 전화 대신 X3 소켓에 저항이 2인 상수 저항을 연결할 수 있습니다. 앰프는 별도의 소스에서 전원을 공급받아야 합니다.

트랜지스터를 테스트하는 방법...

트랜지스터의 성능을 확인하기 위해 접두사를 조립하여 라디오 방송 네트워크를 사용할 수 있으며 그 다이어그램은 그림 8과 같습니다. 1. 테스트 된 트랜지스터 VT와 다이어그램에 표시된 부품은 라디오 방송 네트워크의 AF 신호 전압이 입력에 공급되는 증폭기를 형성하며 분배기 R2R30에 의해 크게 약화됩니다. 주전원 전압이 2V이면 저항 R0,08는 1V에 불과하고 트랜지스터베이스에서는 훨씬 적습니다. BF1 전화기의 좋은 트랜지스터를 사용하면 큰 소리가 들립니다. 그러나 그에 따르면 대략적으로 그들은 트랜지스터의 증폭 특성을 판단합니다. npn 구조의 트랜지스터를 확인할 때 배터리 GB1과 커패시터 CXNUMX의 단자 연결을 바꿔야합니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

BF1 사운드 인디케이터로는 DEMSh, DEM-4M 전화캡슐 또는 소형 다이나믹 헤드(예: 0.1GD-3 또는 0.1GD-6)를 사용하는 것이 좋지만 출력을 통해 켜야 합니다. 소형 수신기의 변압기. XNUMX차 권선(권선 수가 많음)은 콜렉터 회로에 포함되고 헤드는 XNUMX차 권선에 연결됩니다.

모든 저항 - MLT-0,25, 커패시터 C1 - K50-6, 전원 - 배터리 3336.

다른 프로브(그림 9)에서는 테스트 중인 트랜지스터가 생성 모드에서 작동하고 BF1 헤드폰에서 특정 톤의 소리가 들립니다. 트랜지스터에 결함이 있으면 소리가 나지 않습니다.

고 저항 전화 (TON-1, TON-2), 저항기 - MLT-0,25, 커패시터 C1, C2 - BM. MBM. C3 - K50-6, 커넥터 X2 - 2소켓 블록. 트랜지스터 연결 용 단자 X4-X3336 - 모든 디자인, 배터리 - XNUMX. 이전의 경우와 마찬가지로 필요한 경우 npn 구조의 트랜지스터를 확인하고 배터리 단자와 산화물 커패시터의 연결을 바꿔야합니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

두 구조 (pn-p 및 npn)의 트랜지스터를 테스트하려면 장치가 적합하며 그 회로는 그림에 나와 있습니다. 10. 두 트랜지스터가 모두 작동하면 장치가 비대칭 멀티 바이브레이터로 바뀌며 그 작동은 헤드폰의 소리에 의해 제어됩니다. 트랜지스터에 결함이 있으면 소리가 나지 않습니다. 따라서 이 장치를 사용하여 트랜지스터를 확인하려면 예시로 사용되는 각 구조의 서비스 가능한 트랜지스터가 하나씩 있어야 합니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

전화로는 캡슐 DEM-4M, DEMSH가 사용됩니다. 마이크로폰 TM-2. 전원 공급 장치 G1 - 요소 316,332,343 또는 373 중 하나입니다. 장치에 전원 스위치가 없습니다. 트랜지스터가 연결되어 있지 않으면 소스에서 전류가 소비되지 않습니다.

장치 작업 절차는 다음과 같습니다. 예를 들어 pnp 구조와 같은 트랜지스터를 확인할 때 장치의 해당 단자에 연결하고 다른 구조의 양호한 트랜지스터인 npn은 다른 단자에 연결합니다. 그런 다음 XNUMX 소켓 블록에 폰 플러그를 삽입하고 멀티 바이브레이터의 작동을 제어합니다.

프로브를 사용하여 모든 구조의 저전력 트랜지스터를 확인할 수도 있습니다 (그림 11). 여기서 테스트중인 트랜지스터는 예시적인 트랜지스터 (이전에 테스트되고 특별히 프로브에 대해 선택됨)와 쌍을 이루지 만 다른 구조입니다. 예를 들어, pnp 구조 트랜지스터를 검사하면 리드가 커넥터 X1의 소켓에 삽입되고 예시적인 npn 구조 트랜지스터의 리드가 소켓 X2의 소켓에 삽입됩니다. 그런 다음 오디오 주파수 진동을 생성하는 생성기를 얻습니다. BF1 헤드폰에서 들립니다. 소리는 테스트된 트랜지스터의 상태가 양호한 경우에만 들립니다. 생성 발생 순간은 가변 저항 R3 "Generation"의 슬라이더 위치에 따라 다릅니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

구조가 다른 두 개의 서비스 가능한 예시적인 트랜지스터 외에도 프로브에는 TM-2A 소형 전화기, G1 전원 공급 장치 - 요소 316, 332, 343, 373, 모든 유형의 가변 저항 및 전원이 있는 MLT 고정 저항이 필요합니다. 최대 0,5W 커넥터는 트랜지스터 소켓, 소켓 또는 클립일 수 있습니다.

테스트 된 트랜지스터의 전송 계수는 가변 저항 슬라이더의 위치에 따라 쉽게 결정됩니다. 소리가 전화에 저장되는 이동 범위가 클수록 트랜지스터의 전송 계수가 커집니다.

... 매개변수 측정

다른 무선 구성 요소와 마찬가지로 트랜지스터에는 특정 장치에서의 사용을 결정하는 자체 매개 변수가 있습니다. 그러나 트랜지스터를 설계에 적용하기 전에 확인해야 합니다. 트랜지스터의 모든 파라미터를 확인하려면 복잡한 측정 장치가 필요합니다. 아마추어 조건에서 그러한 장치를 만드는 것은 거의 불가능합니다. 예, 필요하지 않습니다. 결국 대부분의 설계에서베이스의 정적 전류 전달 계수 만 알고 있으면 충분하며 역 컬렉터 전류는 훨씬 적습니다. 따라서 이러한 매개 변수를 측정하는 가장 간단한 도구를 사용하는 것이 좋습니다.

베이스의 정적 전류 전달 계수를 어떻게 판단할 수 있습니까? 무화과를 봐. 12. 트랜지스터는 전원 공급 장치 G1에 연결되고 저항 R1의 저항에 따라 기본 회로에 전류가 흐릅니다. 트랜지스터는 이 전류를 증폭합니다. 증폭된 전류의 값은 콜렉터 회로에 연결된 밀리암미터의 화살표로 표시됩니다. 컬렉터 전류 값을 기본 회로의 전류 값으로 나누면 충분하며 정적 전류 전달 계수를 알 수 있습니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

약간 다른 두 가지 전류 전달 계수(h21, h21e)가 있습니다.

첫 번째는 동적 전류 전달 비율이라고 하며 컬렉터 전류 증가와 이를 유발한 베이스 전류 증가의 비율을 보여줍니다. 아마추어 조건에서는 이 계수를 측정하기 어렵기 때문에 실제로 두 번째 계수가 결정되는 경우가 많습니다. 이는 주어진 베이스 전류에 대한 컬렉터 전류의 비율을 나타내는 정적 전류 전달 비율입니다. 낮은 컬렉터 전류에서는 두 계수가 모두 가깝습니다.

그리고 현재 전달 계수에 대해 자세히 알아보십시오. 콜렉터 전류에 크게 의존합니다. 지난 몇 년 동안 대중적인 무선 기술 문헌에 회로가 ​​게시된 일부 측정 장비에서 저전력 트랜지스터의 전류 전달 계수는 20mA 및 30mA의 콜렉터 전류에서 측정되었습니다. 이것은 잘못된 것입니다. 이러한 전류에서 트랜지스터 이득이 떨어지고 장치는 전류 전달 계수의 과소 평가된 값을 보여줍니다. 그렇기 때문에 동일한 트랜지스터를 다른 장치에서 테스트할 때 전송 계수가 5배 또는 XNUMX배 차이가 나는 경우가 있습니다. 측정 중 최대 컬렉터 전류가 XNUMXmA를 초과하지 않는 경우에만 미터의 판독 값이 닫힙니다. 이러한 제한은 아래에 설명된 간단한 구성에서 채택됩니다. 트랜지스터에 대한 더 복잡한 미터에서는 트랜지스터가 구조에서 작동하는 컬렉터 전류가 설정되어 전달 계수의 실제 값을 결정합니다.

무화과. 도 13은 pn-p 구조의 트랜지스터를 테스트하기 위한 실용적인 장치의 가장 간단한 다이어그램을 보여준다. 장치는 이렇게 작동합니다. 터미널 (또는 소켓) "E", "B", "k"에 트랜지스터의 출력 (각각 이미 터,베이스, 컬렉터)을 연결하십시오. SB1 버튼을 누르면 GB1 배터리의 공급 전압이 트랜지스터 출력에 적용됩니다. 이 경우 트랜지스터의 기본 회로에 작은 전류가 흐르기 시작합니다. 그 값은 주로 저항 R1의 저항에 의해 결정되며(트랜지스터의 이미 터 접합의 저항이 저항의 저항에 비해 작기 때문에) 이 경우 0,03mA(30마이크로암페어)와 동일하게 선택됩니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

트랜지스터에 의해 증폭된 전류는 컬렉터 회로에서 PA1 밀리암미터를 등록합니다. 밀리암미터 눈금은 h21E 값으로 직접 교정할 수 있습니다. 장치가 최대 3mA의 전류를 측정하도록 설계된 밀리 암미터를 사용하는 경우 (Ts20 avometer에는 이러한 제한이 있음) 눈금의 최종 분할에 대한 화살표의 편차는 전류 전달 계수 100에 해당합니다. 스케일의 최종 분할에 대한 라인 편차의 다른 전류가 있는 밀리암미터의 경우 이 값이 달라집니다. 따라서 눈금이 5mA인 밀리암미터의 경우 위의 기본 전류에서 전류 전달 계수의 한계 값은 약 166이 됩니다.

장치의 부품을 케이스에 넣을 필요가 없습니다. 그것들은 서로 빠르게 연결될 수 있고 가지고 있는 트랜지스터 배치를 테스트할 수 있습니다. 저항 R2는 이미 터-컬렉터 접합이 끊어진 트랜지스터가 우연히 만나는 경우 밀리 암미터를 통해 전류를 제한하도록 설계되었습니다.

그러나 다른 구조인 p-pn의 트랜지스터를 확인해야 한다면 어떻게 해야 할까요? 그런 다음 배터리와 밀리암미터의 리드를 교체해야 합니다.

Avometer에 대한 또 다른 부착물은 트랜지스터 테스터(그림 14)로 저전력 바이폴라 트랜지스터의 두 가지 매개변수인 h21e - 정적 기본 전류 전달 계수, 1KBO - 컬렉터 역전류를 측정할 수 있습니다. 테스트 된 트랜지스터 VT는 해당 단자 "E", "B"및 "K"에 대한 리드와 연결됩니다. 테스트된 트랜지스터의 구조에 따라 스위치 SA2는 "pnp" 또는 "npn" 위치로 설정됩니다. 이렇게 하면 전원 공급 장치 연결의 극성과 PA1 표시기의 출력이 변경됩니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

이전 첨부 파일에서와 같이 Ts20 avometer가 지표로 사용됩니다. 계수 h21E를 측정할 때(다이어그램에 따라 올바른 위치에 있는 스위치 SA1) 저항 R1.3는 섹션 SA2을 통해 표시기에 병렬로 연결되어 표시기 바늘이 이미 눈금의 최종 분할로 벗어납니다. 3mA의 전류에서. 스위치의 동일한 위치에서 SA1.2 섹션을 통해 저항 R1이 테스트중인 트랜지스터의베이스 출력에 연결되어 10μA의 기본 전류를 제공합니다. 이 경우 표시기 눈금은 계수 h21E=300(3mA: 0.01mA=300)에 해당합니다.

다이어그램에 따라 스위치 SA1의 왼쪽 위치에서 테스트 된 트랜지스터 VT의베이스는 전원에 연결되고 션트 저항 R2는 표시기에서 분리됩니다. 이 위치는 컬렉터 역전류 측정에 해당하며 표시 눈금은 300μA의 전류에 해당합니다.

모든 측정은 푸시 버튼 스위치 SB1을 눌러 수행됩니다.

저항 R1 유형 MLT-0,25, 모든 유형의 트리머 저항 R2. 스위치 - 슬라이딩, 푸시 버튼 스위치 - 자동 복귀(벨 버튼 적용 가능).

트랜지스터를 연결하기위한 클램프는 무엇이든 상관 없으며 트랜지스터 단자와 안정적인 접촉을 제공하는 것이 중요합니다. 자체 제작 클램프는 잘 입증되었습니다(다른 측정기 및 프로브에서 사용할 수 있음). 15. 클립은 탄력 있는 황동 또는 청동으로 된 두 개의 구부러진 스트립으로 구성됩니다. 트랜지스터 출력을 위한 구멍은 외부 1 및 내부 2 스트립에 뚫려 있습니다. 장치의 신뢰성과 클램프의 스프링 특성을 높이려면 내부 스트립이 필요합니다. 스트립은 서로 고정되고 나사 3으로 셋톱 박스에 부착됩니다. 트랜지스터 출력을 고정하려면 구멍이 정렬될 때까지 스트립의 상단 부분을 누르고 트랜지스터 출력을 구멍에 삽입한 다음 스트립을 놓습니다. 트랜지스터의 출력은 세 지점에서 스트립에 단단히 밀착됩니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

이 부착물의 가능한 설계가 그림 16에 나와 있습니다. 1. 상단 패널은 절연 재료(getinaks, textolite)로, 하단(GBXNUMX 배터리가 고정됨) 및 측벽은 알루미늄 또는 기타 판금으로 만들어집니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

연결 설정은 저항 R2를 3mA와 같은 주어진 측정 한계로 설정하는 것으로 귀결됩니다. 이렇게하려면 SA1 스위치를 "h21E"위치로 설정하고 트랜지스터를 연결하지 않고 "E"와 "K"단자 사이에 저항이 1,5kOhm 인 일정한 저항을 연결하십시오 (정확히 선택). 푸시 버튼 스위치로 전원을 켜면 저항 R2는 표시기 RA1의 화살표를 스케일의 최종 분할로 설정합니다.

단단한 짧은 리드가 있는 트랜지스터(예: KT315 시리즈)를 테스트하려면 호일 재료에서 작은 막대를 자르고 호일에 여러 개의 홈을 잘라 세 개의 트랙을 만들어야 합니다. 트랙의 너비와 트랙 사이의 거리는 트랜지스터 핀의 크기와 일치해야 합니다. 트랜지션 장착 와이어의 세그먼트는 트랙에 납땜되어 트랜지스터를 확인할 때 장치의 해당 단자에 연결됩니다. 트랜지스터 리드가 트랙에 적용되고 장치의 SB1 버튼이 눌러집니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

중간 및 고전력 트랜지스터를 장착하기 전에 정적 전류 전달 계수와 때로는 역 컬렉터 전류도 알아야합니다. 물론 이전 셋톱박스에 추가 스위치를 도입하고 고전력 트랜지스터를 테스트하는 것도 가능할 것이다. 그러나 이러한 확인은 자주 필요하지 않으며 추가 전환으로 인해 셋톱 박스 설계가 복잡해집니다. 따라서 고전력 트랜지스터를 테스트하기 위해서만 avometer에 다른 부착물을 만드는 것이 더 쉽습니다. 이러한 접두사의 체계는 그림 17에 나와 있습니다. XNUMX.

이전 셋톱 박스에서와 같이 테스트 된 트랜지스터 VT는 단자 "E", "B"및 "K"에 연결되고 전원의 필요한 극성과 다른 구조의 트랜지스터에 대한 표시기 RA1 포함 스위치 SA1에 의해 설정됩니다. h21E 계수는 1mA의 고정 베이스 전류에서 측정됩니다. 이 전류는 저항 R1의 저항에 따라 달라집니다. 표시 눈금(최대 300mA의 직류를 측정하기 위해 avometer가 켜짐)은 계수 h21E=300에 대해 계산됩니다.

트랜지스터를 연결하고 스위치를 원하는 위치로 설정한 후 SB 1 버튼을 누르고 avometer 스케일에서 h21E 매개변수를 결정합니다. 그러나 특히 h100E 값이 큰(21 이상) 트랜지스터의 경우 측정 기간이 가능한 한 짧아야 한다는 점을 고려해야 합니다. 필요한 경우 컬렉터의 역전류를 측정하고 부착물에서 이미 터 출력을 분리하고 버튼을 누릅니다.

스위치 - 슬라이딩, 버튼 및 클립 - 모두.

여기에 설명된 부착물은 100 ~ 300μA의 전체 편향 전류가 있는 마이크로암미터를 사용하는 측정 장치의 독립적인 설계를 위한 기초가 될 수 있습니다. 각각의 경우 표시기에 따라 적절한 저항을 선택해야 합니다. 또한 모든 부착물을 하나의 독립적인 측정 장치로 결합하는 것도 쉽습니다.

고저항 DC 전압계

아시다시피 Ts20 avometer는 직접 전압을 측정하도록 설계되었습니다. 그러나 항상 전압계로 사용할 수 있는 것은 아닙니다. 이것은 특히 무선 장치의 고저항 회로에서 전압 측정과 관련됩니다. 결국 DC 전압계의 상대 입력 저항은 약 20kOhm / V로 작으며 전압을 측정 할 때 측정 된 회로 전류의 상당 부분이 장치를 통해 흐릅니다. 이로 인해 측정 회로가 션트(shunting)되고 측정에서 오류(때로는 상당한 오류)가 나타납니다. 따라서 결합 측정 장치 Ts20을 개선하기 위한 첫 번째 작업 중 하나는 전압 측정 시 상대 입력 저항을 높이는 것입니다.

이 문제를 해결할 수 있는 비교적 간단한 접두사의 다이어그램이 그림 18에 나와 있습니다. 1. 접두어는 하나의 대각선에 G1 전원 공급 장치가 연결된 DC 측정 브리지이고 다른 대각선에는 RA20 표시기(0,3mA의 DC 측정 한계에 포함된 Ts1 avometer)가 연결되어 있습니다. . 브리지의 어깨 부분은 트랜지스터 VT2 및 VT10의 이미 터-컬렉터 섹션, 엔진의 가변 저항 R11의 상단 (구성표에 따라) 부분이있는 저항 R12, 저항 R11의 하단이있는 저항 R11를 형성합니다. 브리지는 가변 저항 R0("Set 8")과 균형을 이룹니다. 트리머 저항 RXNUMX은 트랜지스터베이스의 바이어스 전압을 변경하여 이미 터-컬렉터 섹션의 저항을 균등화합니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

측정된 전압은 추가 저항 R1-R5 중 하나를 통해 트랜지스터 베이스에 적용됩니다. 이 경우 저항 R6-R9에 전압 강하가 형성되고 트랜지스터 VT2의 베이스는 트랜지스터 VT1의 베이스보다 (이미터에 비해) 더 음의 전압 아래에 있습니다. 브리지의 균형이 맞지 않고 표시기 바늘이 벗어납니다. 편차 각도가 클수록 선택한 하위 범위에서 측정된 전압이 커집니다. 또한 표시기를 통과하는 전류는 셋톱 박스의 입력 회로를 통과하는 것보다 수십 배 더 큽니다 (트랜지스터의 정적 전류 전달 계수에 따라 다름).

이러한 부착물이 있는 전압계의 상대 입력 저항은 약 300kOhm/V일 수 있지만 튜닝된 저항 R100을 도입하면 확실히 6kOhm/V로 감소합니다. 이는 트랜지스터 선택을 단순화하고 표준 등급의 추가 저항 R1-R5를 사용하고 선택하지 않기 위해 수행됩니다. 고정 저항 - 소실 전력이 0,25W 이상이며 허용 오차가 ± 1%인 추가 저항 R5-R5를 사용하는 것이 바람직합니다. 트리머 저항 R6, R8 및 가변 저항 R11 - SPO-0,5, SP-1.

50 ... 80과 동일한 정적 전류 전달 계수를 가진 트랜지스터를 선택하는 것이 바람직합니다.

전원 공급 장치 G1 - 전압이 332V 인 요소 343, 373 또는 1,5. 입력 소켓 XI-X6 및 클램프 X7, X8 - 모두.

부착 부품은 적절한 기성품 또는 집에서 만든 케이스에 넣을 수 있습니다(그림 19). 케이스 상단 패널에는 소켓, 클램프, 전원 스위치 및 가변 브리지 밸런싱 저항이 있습니다.

단순 프로브, 부착물, 미터

셋톱 박스를 설정하기 전에 구성표에 따라 저항 R8 및 R11의 슬라이더를 중간 위치로 설정하고 저항 R6을 상단 위치로 설정해야 합니다(트랜지스터 베이스의 출력이 단락). 단자는 최대 0,3mA의 DC 측정 한계에 대해 스위치가 켜진 비행계의 프로브에 연결됩니다. 그런 다음 셋톱 박스의 전원을 켜고 저항 R11을 사용하여 avometer의 화살표를 6으로 설정합니다. 브리지 균형. 저항 R8의 엔진은 다이어그램에 따라 더 낮은 위치로 설정되고 브리지는 추가로 튜닝 저항 R8과 균형을 이룹니다. 동시에 저항 R7의 엔진이 극단적인 위치 중 하나에 가깝게 설치된 것으로 밝혀지면 저항 R8 또는 R7을 선택해야 합니다. 예를 들어 튜닝된 저항의 엔진이 회로의 상단 위치에 가까우면 저항 R9의 저항이 더 낮거나 저항 RXNUMX가 더 커야 합니다. 이러한 조정은 사용된 트랜지스터의 정적 전류 전달 계수가 다르다는 것을 나타냅니다.

조정의 다음 단계는 셋톱 박스의 원하는 상대 입력 임피던스를 설정하는 것입니다. 이렇게하려면 소켓 X6과 X2 사이에서 1,5V 소스 (예 : 요소 343)를 켜고 트리머 저항 R6이 표시기 PA1의 화살표를 스케일의 최종 분할로 설정해야합니다. 다른 입력 소켓에 적절한 전압을 적용하여 다른 측정 한계에서 표시기 판독값의 정확성을 확인합니다. 불일치가 발견되면 해당 측정 한계의 추가 저항이 선택됩니다.

저자: B.S. 이바노프

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GPS 신호가 차단된 건물, 터널 및 기타 공간 내부 탐색 문제는 새로운 서비스 및 지리 정보 시스템의 확산에 비추어 매우 관련이 있습니다. 이러한 조건에서 작동하는 기존의 대부분의 내비게이션 기술은 XNUMX차원 공간, 즉 기존의 XNUMX차원 지도에서 작동하도록 설계되었습니다. 이것은 일반적으로 대부분의 작업에 충분합니다. 그러나 건물 내부 및 기타 밀폐된 공간에서는 XNUMXD 내비게이션이 필요합니다. 또한 고주파 신호의 통과가 어렵고 안정적인 위치 지정이 어려운 문제입니다.

Prima Research의 신기술은 동기화된 수신기 4개, 기준 수신기 및 적절한 신호 프로세서의 최소 어레이로 매우 정확한 탐색을 가능하게 합니다. 수신기는 전자 무선 방출 장치의 움직임을 추적하고 위치를 결정하는 사면체를 형성합니다. 단일 건물과 같은 작은 볼륨에서는 위치 정확도가 매우 높고 1cm 미만일 수 있으며 수신기 네트워크를 늘리면 관측 공간을 무한대로 확장할 수 있습니다.

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새 장치에 할당된 고유한 디지털 시퀀스는 임의적이며 개인 정보와 상관 관계가 없습니다. 법적 관점에서 Prima Research의 새로운 내비게이션 시스템은 기밀 정보와 함께 작동하지 않으므로 관련 법적 제한이 적용되지 않기 때문에 문제가 되지 않습니다.

프리마리서치의 신호처리기는 어떤 통신망, WiFi, 3G, 4G/LTE, 비면허 스펙트럼 등 모든 통신망에서 작동할 수 있기 때문에 모든 기기에서 내비게이션을 제공할 수 있습니다. 이는 상업 서비스, 법 집행, 긴급 서비스 및 가능한 많은 장치와 함께 작동해야 하는 기타 애플리케이션에 매우 중요합니다. Prima Research 탐색은 호환성 문제를 방지하여 잠재적으로 이 기술의 범위를 확장합니다.

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