트랜지스터 테스트용 접두어. 계획, 설명

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트랜지스터 테스트용 접두사. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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저널의 간행물에서 알려진 측정 기술에 다이오드 브리지를 사용한다는 아이디어를 통해 제안된 기사의 저자는 거의 바이폴라 및 전계 효과 트랜지스터의 매개 변수를 제어하기 위한 일종의 스위칭 장치인 간단한 접두사를 개발할 수 있었습니다. 모든 유형.

접두사는 다중 제한 DC 밀리암미터 및 자율 전원과 함께 사용됩니다. 기본 전류의 고정 값(10, 30, 100, 300μA; 1,3, 10, 30mA)에서 공통 이미 터가 있는 회로에서 바이폴라 트랜지스터의 정적 전류 전달 계수와 같은 많은 매개 변수를 측정할 수 있습니다. p-n 접합 또는 내장 채널이 있는 전계 효과 트랜지스터의 초기 드레인 전류; 드레인-소스 전압의 절반과 동일한 게이트 전압에서 유도된 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전류; 각각에 대해 두 개의 게이트가있는 전계 효과 트랜지스터 특성의 가파른 정도; 기판(케이스-기판)의 출력을 두 번째 게이트로 사용할 때 전계 효과 트랜지스터 특성의 가파른 정도. 이 접두사의 아이디어는 [1]에서 차용한 것입니다.

셋톱 박스의 개략도가 그림에 나와 있습니다. 트랜지스터 VT1 및 저항 R1-R8은 테스트 중인 바이폴라 트랜지스터의 기본 회로에 전원을 공급하는 안정적인 전류 소스를 형성하며 출력은 X1-X1 소켓에 연결됩니다. 현재 값은 스위치 SA5에 의해 설정됩니다. 다이오드 VD6, VD14 및 저항 R9는 전계 효과 트랜지스터의 소스 회로에서 바이어스를 결정합니다. 분배기 R10, R11 및 R13-R31은 첫 번째(32) 및 두 번째(XNUMX) 게이트에 바이어스를 제공합니다.

트랜지스터 테스트용 접두어

첫 번째 게이트(소켓 X5)의 전압은 다이오드 VD5, VD6의 전압 강하와 같아야 합니다.

저항 R12, R13의 연결 지점에 동일한 전압이 있어야 합니다.

바이폴라(전계 효과 채널) 트랜지스터의 유형에 따라 공급 전압의 극성은 스위치 SA2에 의해 설정됩니다. 동시에 다이오드 VD1 - VD4 및 VD7-VD10의 다이오드 브리지 덕분에 테스트 중인 트랜지스터의 베이스 및 콜렉터(드레인) 회로에서 극성 전환 없이 수행할 수 있었습니다.

스위치 SA1 - 비스킷, SA2 - 유형 P2K 또는 두 그룹의 접점이 있는 두 위치에 대해 유사합니다. 버튼 SB1-SB3 - MP9 또는 기타. 다이오드 VD1-VD4는 최대 순방향 전류가 40-60mA이고 역 전압이 최소 30V인 모든 실리콘, VD5-VD10 - 또한 역 전압이 최소 1A인 최대 30A의 순방향 전류를 위해 설계된 실리콘일 수 있습니다. 1 V. 다이오드 VD4-VD7 및 VD10-VD402은 파라미터에서 해당하는 KTs405-KTs302 시리즈 블록으로 교체할 수 있습니다. 트랜지스터 (다이어그램에 표시된 것 외에도 KP302V, KP30G 일 수 있음)는 방열판에 설치해야합니다. 강력한 트랜지스터를 확인하거나 기본 전류를 XNUMXmA로 설정할 때 상당한 전력이 소모되기 때문입니다. 부착물에 연결된 측정 장치는 수십에서 수백 밀리암페어의 최대 전류를 가진 모든 유형의 다중 범위입니다.

고전력 바이폴라 트랜지스터를 제어하는 경우 전원 공급 장치는 4V의 정전압과 최대 5A의 전류를 제공해야 합니다. 유도 채널이있는 전계 효과 트랜지스터를 제어하려면 공급 전압이 1 ... 9V 여야하므로 전원 공급 장치에 출력 전압 스위치를 설치해야합니다. 전혀 안정됨.

셋톱 박스 설정은 저항 R1-R8 선택으로 시작하여 소켓 X1과 X1 사이의 전류를 제어하고 SA10 스위치의 가동 접점을 적절한 위치로 설정합니다. 전류가 원하는 것과 10% 이상 차이가 나지 않으면 각 저항의 선택이 완료된 것입니다. 그 후 저항 R13, R5은 저항 양단의 전압이 다이오드 VD6, VDXNUMX 양단의 전압 강하와 같거나 약간 작은 저항으로 선택됩니다.

테스트 된 트랜지스터를 부착물에 편리하게 연결하려면 부착물 소켓에 삽입 된 플러그로 끝나는 유연한 리드가있는 어댑터 패널을 만들어야합니다. 전력 트랜지스터의 경우 단일 도체는 악어 클립과 플러그로 만들어야 합니다.

제어용 트랜지스터를 연결하기 전에 스위치로 구조(채널 유형)를 설정하고 최대 측정 한계가 있는 밀리암미터를 연결하고 전원을 켜야 합니다. 10mA와 30mA의 기본 전류 값은 SB 1 버튼을 누른 상태에서 측정할 때만 SA1 스위치로 설정해야 하며 밀리암미터 측정 한계는 이 버튼에서 손을 떼면 전환되어야 합니다.

바이폴라 트랜지스터는 다음 순서로 테스트됩니다.

1. SA2를 전환하여 원하는 구조(p-n-p 또는 n-p-n)를 설정합니다.

2. 밀리암미터, 전원 공급 장치 및 트랜지스터를 해당 소켓에 연결합니다.

3. SA1을 전환하여 필요한 기본 전류를 설정합니다.

4. SB1 버튼을 누르고 콜렉터 전류를 밀리암미터 눈금으로 결정한 다음 공식 h21E = Ik / Ib를 사용하여 베이스 전류 전송 계수를 계산합니다.

트랜지스터 핀의 핀아웃을 알 수 없는 경우 먼저 잘 알려진 방법을 사용하여 저항계를 사용하여 트랜지스터의 베이스와 구조를 결정해야 합니다. 이미 터와 컬렉터의 결론은 최대 값 h21E에 의해 결정됩니다.

그러나 전계 효과 트랜지스터를 확인하는 순서는 무엇입니까?

1. SA2를 전환하여 채널 유형을 설정합니다.

2. 밀리암미터와 전원을 연결합니다.

3. 채널이 내장된 MIS 트랜지스터 또는 p-n 접합이 있는 트랜지스터는 해당 소켓에 연결합니다. 소스 - 소켓 X7("I"), 기판(케이스-기판) - X8("P") 포함, 게이트 - X5 포함 ( "31"), 스톡 -cX4 ("C").

4. SB1 버튼을 누르고 밀리암미터 바늘의 편차로 드레인 전류 값을 결정합니다. 참조 서적에 제공된 Ic 매개변수와 일치해야 합니다.

5. SB1, SB2 버튼을 동시에 누르고 드레인 전류의 새 값을 결정합니다.

6. 공식 S = lc / U에 따라 특성의 기울기를 계산합니다. 여기서 lc는 단락 4와 5에 따라 측정된 전류, mA의 차이입니다. U - 저항 R10, V 양단의 전압 강하. 얻은 값을 기준 데이터와 비교하십시오.

7. 셔터 출력을 X5 소켓에 연결하고 기판(기판 케이스) 출력을 XXNUMX 소켓에 연결합니다.

8. SB1 버튼을 누르고 드레인 전류를 결정한 다음 SB1, SB2를 동시에 누르고 새로운 전류 값을 결정합니다.

9. sn = Ic/u 공식을 사용하여 기판을 따라 기울기 값을 계산합니다. 여기서 Ic는 8절에 따라 측정된 전류 간의 차이, mA입니다. U - 저항 R10, V 양단의 전압 강하

[2]에서는 두 번째 셔터로 기판(기판 본체)을 사용하는 문제를 고려하지만 이 매개변수는 참고 문헌에 나와 있지 않습니다.

유도된 채널로 MIS 트랜지스터를 확인할 때 이전의 경우와 같이 연결하되 게이트 출력을 소켓 X6("32")에 연결하십시오. 먼저 SB1 버튼을 누른 다음 SB1 및 SB2 버튼을 동시에 눌러 드레인 전류를 측정합니다. U가 저항 R13 양단의 전압 강하인 경우 첫 번째 게이트의 기울기 값을 계산하십시오.

기판의 기울기를 결정하려면 이 핀을 소켓 X5(31)에 연결해야 합니다. 앞의 경우와 마찬가지로 먼저 SB1 버튼을 누른 다음 SB1과 SB2를 동시에 누릅니다. 그런 다음 U가 저항 R10 양단의 전압 강하인 경우 기울기 값이 계산됩니다.

이 유형의 트랜지스터를 제어할 때 첫 번째 지점에 따라 측정된 드레인 전류는 참고 서적(Usi - 공급 전압, Usi = 0,5 Usi)에 제공된 드레인 게이트 특성 계열에 의해 결정된 전류와 일치해야 함을 기억해야 합니다. .

이중 게이트 전계 효과 트랜지스터를 제어하려면 먼저 SA2 스위치로 채널 유형을 설정한 다음 소스, 첫 번째 게이트, 두 번째 게이트, 드레인 순서로 트랜지스터 출력을 콘솔에 연결해야 합니다. SB1과 SB1에서 동시에 SB2과 SB1에서 동시에 버튼 SB3을 눌러 조작하여 드레인 전류를 측정하고 게이트 기울기 값을 계산합니다. 이러한 트랜지스터를 확인하는 것은 농축 모드에서만 가능합니다.

문학

Dolgov O. 트랜지스터 베이스 전류 전달 계수 측정기. - 라디오, 1997, No. 1, p. 38.
보차로프 L.N. 전계 효과 트랜지스터. - M.: 에너지, 1976.

저자: V.Kalendo, 민스크, 벨로루시

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