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반도체는 내부 구조, 화학적 조성 및 전기적 특성이 서로 다른 많은 물질을 포함합니다. 화학 조성에 따라 결정질 반도체 재료는 4가지 그룹으로 나뉩니다.

1) 게르마늄, 규소, 셀레늄, 인, 붕소, 인듐, 갈륨 등 한 원소의 원자로 구성된 물질;

2) 금속 산화물로 구성된 물질: 산화구리, 산화아연, 산화카드뮴, 이산화티타늄 등;

3) 멘델레예프 원소계의 세 번째 및 다섯 번째 그룹의 원자 화합물을 기반으로 하는 물질로 일반식으로 표시되고 안티몬화물이라고 합니다. 이 그룹에는 인듐, 갈륨 등과의 안티몬 화합물, 두 번째 및 여섯 번째 그룹의 원자 화합물 및 네 번째 그룹의 원자 화합물이 포함됩니다.

4) 안트라센, 나프탈렌 등의 다환 방향족 화합물과 같은 유기 기원의 반도체 재료.

결정 구조에 따라 반도체 재료는 단결정 및 다결정 반도체의 두 그룹으로 나뉩니다.

첫 번째 그룹에는 큰 단결정(단결정) 형태로 얻은 재료가 포함됩니다. 그중에는 정류기 및 기타 반도체 장치용으로 플레이트를 절단하는 게르마늄, 실리콘이 있습니다.

두 번째 재료 그룹은 함께 납땜된 많은 작은 결정으로 구성된 반도체입니다.

다결정 반도체는 셀레늄, 탄화규소 등입니다.

체적 저항률 측면에서 반도체는 전도체와 유전체 사이의 중간 위치를 차지합니다. 그들 중 일부는 고전압에 노출되었을 때 전기 저항을 극적으로 감소시킵니다. 이 현상은 전력선 보호를 위해 밸브 어레스터에 적용되었습니다. 다른 반도체는 빛에 노출되면 저항이 크게 줄어듭니다. 이것은 광전지 및 포토 레지스터에 사용됩니다.

반도체의 일반적인 특성은 전자와 정공 전도가 모두 있다는 것입니다.

저자: Smirnova L.N.

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