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장치의 특징은 비선형 왜곡을 줄이기 위해 소위 직접 연결을 사용하는 것입니다.

Основные параметры :

정격 주파수 범위, Hz.......20...20 000
정격 출력 전력(정격 주파수 범위 내), W: 고조파 계수가 8% 이하인 저항이 0,02옴인 부하에서 ....... 30% XNUMX
4 옴의 저항을 가진 부하에서 .......40
감도, mV......500
입력 임피던스, kOhm.......20
노이즈 및 배경의 상대적 수준, dB.......-75

증폭기에는 모드 A(마이크로 회로 A1 및 트랜지스터 V3-V6, V9)에서 작동하는 12단계 전치 증폭기, 모드 B에서 작동하는 출력 단계(트랜지스터 V15, V16, V7) 및 부하의 과부하 및 단락 회로(V13, VXNUMX)에 대한 출력 단계 보호 장치가 포함되어 있습니다.

전치 증폭기의 첫 번째 단계는 연산 증폭기 A1에 조립되고 두 번째 단계는 컬렉터 회로의 동적 부하(V4)가 있는 트랜지스터 V3에, 세 번째 단계는 트랜지스터 V9에 조립됩니다. 트랜지스터 V5, V6의 이중 이미터 폴로워는 캐스케이드 온 트랜지스터 V9의 입력 임피던스와 캐스케이드 온 트랜지스터 V4의 출력 임피던스를 일치시킵니다. 20Hz 이상의 주파수에서 첫 번째 단계의 이득은 대략 15와 같습니다. 깊은 DC 피드백으로 인해 제로 전위는 증폭기(3)의 출력에서 저항 R34을 통해 유지됩니다. 출력 단계에서 모드 B를 사용하면 효율을 높이고 대기 전류의 열 안정화 필요성을 완전히 제거할 수 있습니다.

고품질 클래스 B 앰프

모드 B 고유의 비선형 왜곡을 줄이기 위해 C6 *, R15, R29, L1 요소가 증폭기에 도입되어 균형 브리지 중 하나가 출력 단계에 연결되고 다른 하나는 부하 (스피커)에 연결됩니다. 단순화된 왜곡 보상 메커니즘은 출력 단계에서 발생하는 왜곡 전압이 브리지가 균형을 이루면 왜곡 신호를 유발할 수 없다는 것입니다. 저항기 R29 덕분에 출력 전류 스펙트럼의 비선형 제품은 이 저항기를 통해 부하로 직접 흐르는 "교정" 전류로 보상됩니다. 이 경우 더 높은 고조파가 가장 효과적으로 보상됩니다(이 주파수에서 표시된 전류의 값이 동일하고 방향이 반대가 되도록 저항 R29의 저항이 선택됨).

L1 코일의 임피던스에 활성 성분이 존재하기 때문에 저주파에서 브리지의 균형이 깨집니다. 이 주파수에서 낮은 수준의 비선형 왜곡은 주로 깊은 (50 ... 70dB) OOS에 의해 제공되며, 그 전압은 증폭기 출력에서 V4 트랜지스터의 이미 터 회로로 공급됩니다 (분배기 R15R12를 통해).

보호 장치는 증폭 된 신호에 의한 과부하의 경우 12A에서 트랜지스터 V16, V3,5을 통해 전류를 제한하고 부하 단락의 경우 1,5A에서 증폭기의 상부 (회로에 따라) 암에서 트랜지스터 V7이 이러한 기능을 수행합니다. 신호가 없으면 저항 R26, R20, R18 및 R21을 통해 일정한 전류가 흐르고 처음 두 저항에서 약 0,45V의 전압 강하가 발생합니다.

양의 방향으로 증가하는 신호가 나타나면 저항 R20 양단의 전압 강하가 감소하고 저항 R26 양단의 전압 강하가 증가합니다(주로 트랜지스터 V12의 콜렉터 전류 때문임). 저항 R26 및 R20 양단의 총 전압이 0,65-0,7V 값에 도달하는 순간 트랜지스터 V7이 열리고 이미 터-컬렉터 섹션이 저항 R16을 분로하여 트랜지스터 V12의 콜렉터 전류 증가를 제한합니다. 다이오드 V8은 출력 전압이 음의 방향으로 변할 때 저항 R20 양단의 전압 강하 증가로 인해 보호 장치가 트리핑되는 것을 방지합니다.

마찬가지로(증폭된 신호의 극성이 바뀌면) 증폭기의 하부(회로에 따라) 암에 대한 보호 장치도 작동합니다. 요소 R30, L2, C11, R31, C10, C12는 증폭기의 자기 여기를 방지합니다.

증폭기의 다이어그램에 표시된 것 대신 연산 증폭기 K140UD8B, K140UD7, K153UD6, 인덱스 B, G, D, E (V342)가있는 트랜지스터 KT315G, KT4를 사용할 수 있습니다. KT361V(V3, V5, V6), KT361D(V7, V13); KT626A, KT626B(V9, V15); 순방향 전류 10A(V8, V14) 및 50mA(V10, V11)용으로 설계된 모든 실리콘 다이오드.

코일 L1과 L2는 직경이 2이고 길이가 1,0mm인 프레임에 와이어 PEV-7 - 28을 사용하여 두 개의 층으로 감겨 있으며 각각 30과 46 회전을 포함합니다.

트랜지스터 V9, V12, V15 및 V16은 냉각 표면이 약 900cm2인 방열판에 장착되고 0,1mm 두께의 운모 스페이서로 절연됩니다.

증폭기는 10 마이크로 패럿 용량의 필터링 커패시터가있는 전파 (브리지) 정류기로 구동되며 정류기에는 다이오드 000 ^ 1, -1V가 사용됩니다. 전원 변압기는 외경이 203, 내경이 100, 높이가 64mm인 토로이달 자기 회로로 만들어집니다. 32차 권선(220V용)에는 직경이 1130인 PEV 2선의 0,51회 권선, 2차 권선은 PEV-104선의 2 X 1,3회 권선 - 2이 포함됩니다. PEV-0,21 - XNUMX 와이어의 단일 층 형태로 권선 사이에 정전기 스크린이 배치됩니다. XNUMX차 권선의 중간 지점과 정류기의 양극 및 음극 단자에 연결된 각 필터 커패시터는 정전기 차폐 단자와 증폭기의 공통 와이어에 연결됩니다.

증폭기 설정은 6 ... 29 kHz의 주파수에서 커패시터 C1 *를 선택하여 C15R6L50R100 브리지의 균형을 맞추는 것입니다. 동시에 오실로스코프 화면에서 정현파 신호의 왜곡이 최소화됩니다.

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