Reshetnikov 전력 증폭기. 계획, 설명

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전력 증폭기는 여러 가지 방법으로 왜곡을 줄입니다. 일반적으로 모드 B에서 작동하는 출력 스테이지로 증폭기를 덮는 깊은 OOS가 도입됩니다. 그러나 이것은 동적 왜곡의 증가로 가득 차 있습니다. 따라서 고품질 증폭기의 출력단에서 더 자주 모드 A는 얕은 OOS로 설정됩니다. 그러나 이것은 출력 단계의 큰 정지 전류의 열 안정화를 필요로 합니다. 경제적인 모드 B를 갖는 증폭기의 브리지 회로에서 왜곡 보정이 있는 가청 주파수 증폭기를 구성하는 원리는 알려져 있습니다.

Reshetnikov 전력 증폭기

이 그림은 전치 증폭기 A1, 모드 B에서 작동하는 트랜지스터 V1 및 V2의 출력단, 브리지 요소 R1C1, R2 및 L1로 구성된 증폭 장치의 기능 다이어그램을 보여줍니다. 부하 Un에서의 출력 전압과 신호 전압 Uc 사이의 관계는 이 장치에 대해 등식으로 표현됩니다.

Ua=AUe+Bi,

여기서 i는 출력 트랜지스터의 기본 전류이고 A와 B는 요소의 매개 변수에 따라 수치가 달라지는 계수입니다.

공식에 따르면 왜곡의 주요 원인은 출력 트랜지스터의 기본 전류 일 수 있으므로 계수 B가 1 인 증폭기를 구축하면 주요 왜곡 원인을 제거 할 수 있습니다. 비선형 왜곡 보상 조건은 L1 = R2R1CXNUMX일 때 브리지 밸런스 조건과 일치합니다.

설명된 비선형 왜곡 보상 방법은 O. Reshetnikov가 제안한 전력 증폭기에 적용됩니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

증폭기는 ±20dB의 주파수 응답 불균일성으로 20000...1Hz의 주파수 범위에서 작동합니다. 증폭기의 출력 전력은 30옴 부하 및 8% 미만의 고조파 계수에서 0,02W입니다. 4옴의 부하에서 출력 전력은 40와트에 도달합니다. 증폭기 감도 0,2V. 노이즈 레벨 75dB.

1단 프리앰프는 모드 A(A3, V6...V9 및 V12)에서 작동하고 출력단(V15, V16, V7)은 모드 B에서 작동합니다. 앰프에는 출력단 과부하 및 단락 보호(V13)가 장착되어 있습니다. 및 V140). 첫 번째 단계에서는 K8UD1B 칩의 저잡음 연산 증폭기가 사용되며 OOS(C2R5R3C20)로 덮여 있어 15Hz 이상의 주파수에서 이득이 일정하고 대략 4와 같습니다. 잡음 트랜지스터(V3)는 트랜지스터(V5) 상의 소스 전류의 콜렉터 회로에서 사용된다. 세 번째 단계-트랜지스터 V6, V9의 이중 이미 터 팔로워는 트랜지스터 V4에서 만들어진 네 번째 단계의 입력 저항을 두 번째 단계의 출력 저항 (V5)과 일치시키는 역할을합니다. R6C29R1LXNUMX 브리지는 RF 균형입니다.

낮은 주파수에서 낮은 수준의 비선형 왜곡은 디바이더 R50 및 R70를 통해 증폭기 출력에서 V4 트랜지스터의 이미 터 회로로 전압이 들어가는 깊은 (12 ... 15dB) OOS에 의해 제공됩니다. 증폭기는 트랜지스터 V3, V5, V6, V7, V13 - KT3107B, KT3107D, (KT361V, KT361D보다 다소 나쁨), V4 - KT3102A, KT342G에 사용할 수 있습니다. V9, V15-KT626A, KT626B, KT616V, KT814V, KT814G; 코일 L1 및 L2는 직경 2mm, 길이 1,0mm의 프레임에 PEV-7 28 와이어를 사용하여 30개의 층으로 차례로 감겨 있으며 각각 46회 및 XNUMX회 회전합니다.

앰프가 제대로 조립된 경우 조정이 필요하지 않습니다. Bridge R15C6R29L1은 출력 왜곡을 최소화하도록 구성됩니다. 이를 위해 50 ... 100 kHz 주파수의 정현파 신호가 증폭기의 입력에 공급됩니다.오실로스코프 화면에서 출력 신호를 관찰하여 커패시터 C6의 커패시턴스를 선택하면 파형의 최소 왜곡이 발생합니다. 달성.

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