동적 왜곡이 낮고 열 안정성이 높은 증폭기. 계획, 설명

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동적 왜곡이 적고 열 안정성이 높은 증폭기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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증폭기의 동적 왜곡 감소는 로컬 OOS 선형화를 사용하고 캐스케이드의 진폭-주파수 특성의 차단 주파수를 적절하게 선택하여 원래(공통 OOS 없이) 증폭기의 대역폭을 확장함으로써 달성되었습니다. 높은 열 안정성은 로컬 환경 보호, 동일한 열 저항을 갖는 경우의 사전 터미널 캐스케이드에서의 트랜지스터 사용 및 최종 캐스케이드 트랜지스터의 상대적으로 큰(약 250mA) 대기 전류에 의해 보장됩니다.

동적 왜곡이 낮고 열 안정성이 향상된 증폭기

Основные параметры :

정격 주파수 범위, Hz.......20...20 000
정격 출력 전력(정격 주파수 범위에서), 8%의 고조파 계수에서 저항이 0,5옴인 부하에서 W......20
고조파 계수가 4%인 0,8옴의 저항을 가진 부하에서 .......25
저항이 8옴인 부하에서의 정격 입력 전압(출력 전력 20W에서) ....... 1
OOS가 없는 차단 주파수(출력 전력 1W에서), kHz.......30
OOS 깊이, dB.......20
노이즈 및 배경의 상대적 수준, dB.......-70

앰프는 1단입니다. 첫 번째 단계는 정적 전류 전달 계수 h2e 및 이미 터-베이스 전압에 따라 선택된 트랜지스터 V21, V250의 차동입니다. 충분히 높은 입력 저항, 낮은 노이즈 레벨을 얻고 전이의 자체 발열을 방지하기 위해 이러한 트랜지스터의 콜렉터 전류는 13μA로 선택됩니다. 트랜지스터의 총 이미 터 전류는 제너 다이오드 V2에 의해 안정화됩니다. 첫 번째 단계의 로컬 OOS는 트랜지스터 VI, V2의 이미 터 회로에 저항 R3, RXNUMX을 포함하여 생성됩니다.

두 번째 단계는 복합 트랜지스터 V4V5에 조립됩니다. 여기서 로컬 OOS는 트랜지스터 V10의 컬렉터를 트랜지스터 V5의 이미 터에 연결하는 저항 R4을 통해 수행됩니다. 캐스케이드의 부하는 트랜지스터 V6, V8의 전류 생성기, 저항 R16 및 트랜지스터 V9, V10의 캐스케이드 입력 저항입니다. 복합 트랜지스터, 전류 생성기 및 저항 R16은 출력 단계에 대한 등가 신호 전압 소스를 형성합니다. 결과적인 100% 전압 피드백은 전류 전달 계수의 비선형성을 제거하고 캐스케이드의 차단 주파수를 증가시킵니다.

출력단은 트랜지스터 V9-V12에서 만들어집니다. 높은 열 안정성을 보장하기 위해 P701A 및 P303A 트랜지스터가 동일한 열 저항을 갖는 케이스의 프리 터미널 단계에 사용되었습니다. 트랜지스터 V11 및 V12의 높은 정동작 전류는 스텝형 왜곡을 줄이고 출력 신호 레벨이 급격히 떨어지는 동안 열 충격으로 인한 메인 OOS 루프(R15, R14, R4, C6)의 과도 프로세스를 제거합니다. 대기 전류의 열 안정화는 트랜지스터 V7에 의해 수행됩니다. 바이어스 회로의 다이오드 V15, V16은 최종 단계 트랜지스터 중 하나의 방열판에 배치됩니다. 증폭기의 주파수 응답은 커패시터 C2 및 C8 *에 의해 수정됩니다.

부하 및 전류 과부하의 단락 회로에서 증폭기는 퓨즈 F1-F3, 트랜지스터 V3 및 다이오드 V14로 보호됩니다. 트랜지스터 V3은 퓨즈 중 하나가 끊어지면 복합 트랜지스터의 전류를 9 ... 55mA로 제한하고 다이오드 V60는 퓨즈 F14이 끊어지면 트랜지스터 V2의베이스에서 음의 전압을 0,7V로 제한합니다.

트랜지스터 V5, V8은 1mm 두께의 구리판에서 구부러진 U자형 방열판에 장착됩니다. 각 방열판의 바닥 치수 - 23 x 23 mm, 선반 - 10 x 23 mm. 이러한 방열판의 열 저항은 약 35°C/W입니다. 트랜지스터 V11, V12의 방열판은 2mm 두께의 구리판으로 구부러져 있습니다.

각각은 구리 리벳으로 받침대 모서리에 리벳이 달린 두 개의 U 자형 부분으로 구성됩니다. 기본 치수 - 80 X 80 mm, 선반 - 25 x 80 mm. 내열성 - 3,6 ° C / W. 다이오드 V15, V16은 트랜지스터 V11의 방열판 구멍에 접착됩니다.

코일 L1은 저항 R2 (MLT-0,5)의 하우징이 채워질 때까지 와이어 PEV-25 - 2 회전으로 감겨 있습니다. R24 및 R25를 제외하고 다이어그램에 표시된 모든 저항 값의 저항 편차는 ± 5 %를 초과해서는 안됩니다.

먼저 ± 30V의 전압 소스로 구동되는 증폭기 부분을 조정합니다.이를 위해 퓨즈 F1-F3을 제거하고 트랜지스터 V5의 이미 터와 트랜지스터 V9의베이스 연결을 끊습니다. 트랜지스터 V8의 베이스를 갖는 트랜지스터 V10의 콜렉터로서. 트랜지스터 V5의 에미터는 일시적으로 트랜지스터 V8의 컬렉터에 연결되고, 저항 R14 및 R15의 접속점은 공통 와이어에 연결된다. 저항 R7 *을 선택하면 (100ohm에서 시작하여 감소 방향으로) 트랜지스터 V8의 콜렉터에서 제로 전압이 달성됩니다. 이 전압은 전원을 켠 직후와 트랜지스터를 1분간 예열한 후에 모두 ±XNUMXV를 초과해서는 안 됩니다.

신호 제한의 대칭은 증폭기의 입력에 100mV의 교류 정현파 전압을 적용하여 오실로스코프를 사용하여 확인합니다 트랜지스터 V8의 콜렉터에서 전압 스윙은 최소 ± 24V이어야 하며 차단 주파수는 200kHz 이상이어야 합니다. 처음 두 단계의 과도 응답을 확인하기 위해 트랜지스터 V5의 이미 터는 저항 RJ4, R15의 연결 지점에 연결되고 진폭 0,5V 및 주파수 1kHz의 직사각형 펄스가 입력에 적용됩니다. 오실로스코프 화면의 펄스는 급격하게(스파이크 없음) 상승 및 하강해야 합니다. 필요한 경우 커패시터 C8 *를 선택하십시오.

그 후 다이어그램에 따라 모든 연결이 복원되고 퓨즈 Fl-F3이 제자리에 배치되고 코일 L1이 단락되고 커패시턴스가 14 ... 전력 손실 15 ... 5W 인 커패시터가 있습니다. 전원을 켜고 증폭기 출력의 DC 전압(±10mV를 초과해서는 안 됨), 배경 레벨(주파수가 8Hz - 25mV 이하인 리플의 허용 범위) 및 진폭을 측정합니다. 왜곡되지 않은 출력 신호의 (저항이 30ohms - 최소 100V 인 부하에서). 트랜지스터 V100, V300(8mA)의 무부하 전류는 저항 R20 *을 선택하여 설정됩니다(감소 방향으로, 11 ... 12kOhm에서 시작). 그 후 저항 R250, R18를 공통 와이어로 연결하는 커패시터가 제거되고 조정이 완료된 것으로 간주 할 수 있습니다.

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