동적 왜곡이 낮은 증폭기. 계획, 설명

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동적 왜곡이 낮은 증폭기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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소위 동적 상호 변조 왜곡은 신호 레벨의 급격한 변화와 함께 트랜지스터 증폭기에서 발생합니다. 이러한 왜곡은 음악 프로그램을 재생할 때 특히 두드러집니다. 이러한 왜곡을 최소화하기 위해 이 증폭기는 로컬 전류 OSS를 널리 사용하고 최종 단계의 입력에서 증폭된 신호의 대칭성을 향상시키는 소위 "커런트 미러"를 사용하며 주파수 응답 보정을 사용합니다. 미리.

동적 왜곡이 낮은 증폭기

Основные параметры :

정격 주파수 범위, Hz 16.......100 000
저항이 8옴인 부하에서 정격 출력 전력(주파수 0,35 ... 63 및 1Hz에서 고조파 계수 000%), W ...... 10
정격 입력 전압, V ....... 1
노이즈 및 배경의 상대적 수준, dB.......-60

증폭기에는 트랜지스터 V1, V2의 입력 차동 스테이지, 트랜지스터 V3, V5의 "전류 미러"가 있는 트랜지스터 V4, V6의 밸런싱 스테이지, 트랜지스터 V14-V17의 출력 스테이지 및 부하의 단락 보호 장치가 포함되어 있습니다. 트랜지스터 V9, V10에서.

첫 번째 단계 트랜지스터의 이미 터 회로의 저항 R3, R4는 전류에 대한 로컬 OOS를 생성하여 캐스케이드의 선형성과 입력 저항을 증가시키고 대칭성을 향상시킵니다.저항 R11, R14는 로컬 OOS를 생성합니다. 두 번째 단계. 주파수 응답의 사전 보정은 커패시터 C2 및 C6에 의해 수행됩니다.

출력단은 V14, V15 구조가 다른 트랜지스터의 위상 인버터를 사용하는 기존 방식에 따라 만들어집니다. 트랜지스터 V16, V17의 정지 전류는 튜닝 저항 R15에 의해 설정되고 그 중 하나와 열 연결이 있는 트랜지스터 V7에 의해 온도가 변할 때 안정화됩니다 다이오드 V18, V19는 출력단 트랜지스터를 과전압으로부터 보호합니다 유도 부하.

증폭기는 부하에서 전압이 제거되고 회로 R10C4C5R9를 통해 첫 번째 단계의 입력에 들어가는 OOS로 덮여 있습니다 (트랜지스터 V2의 기본 회로로). R28C10 회로는 자체 여기에 대한 증폭기의 저항을 증가시킵니다.

부하의 단락으로부터 출력단을 보호하는 장치는 브리지 회로에 따라 만들어집니다. 증폭된 신호의 음의 반파의 경우 부하 저항과 저항 R26, R20 및 R17로 브리지가 형성됩니다. 트랜지스터 V9의 이미 터 접합은 브리지의 대각선에 포함됩니다. 부하 저항이 급격히 감소하면 브리지의 균형이 방해 받고 트랜지스터 V9가 열리고 이미 터-컬렉터 섹션의 낮은 저항으로 트랜지스터 V5의 터미널 스테이지 입력을 분로합니다 (다이오드 V14를 통해). 결과적으로 출력 스테이지 전류가 즉시 제한됩니다. 신호의 양의 반파에서 브리지는 부하 저항과 저항 R27, R21 및 R19로 형성되며 트랜지스터 V10의 이미 터 접합은 브리지의 대각선에 포함됩니다.

증폭기의 양호한 선형성을 위해 한 쌍의 트랜지스터 V1 및 V2, V3 및 V5 V4 및 V6, V16 및 V17은 정적 전류 전달 계수 h21e에 따라 선택되어야 합니다.

트랜지스터 V14, V15는 시트 스트립(두께 2mm, 너비 20mm) 알루미늄 합금(방열판 치수 - 20 x 25 x 15mm)에서 구부러진 U자형 방열판에 장착됩니다. 각 트랜지스터 V16, V17의 방열판은 약 250cm2의 냉각 표면을 가져야 합니다. V7 트랜지스터는 88-N 접착제로 이러한 방열판 중 하나에 접착됩니다.

증폭기 설정은 출력에서 정전압을 제거(저항 R7 트리밍)하고 출력 캐스케이드의 대기 전류를 15 ... 80 mA 내에서 설정(저항 R100 트리밍)하는 것으로 귀결됩니다.

다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기.

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