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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 액티브 스피커에 전자 음향 피드백 적용. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
이 기사에서 저자는 스피커 시스템 이미터의 일부 속성을 고려하여 스피커의 단점을 어느 정도 수정하는 전력 증폭기를 다루는 피드백 유형을 조사합니다. EAFE(전기음향 피드백)는 저주파 대역의 다양한 왜곡을 가장 효과적으로 감소시키지만, 이러한 기술의 적용 가능성은 UMZF가 내장된 스피커에서만 제한됩니다. 저자는 이러한 스피커를 계산하는 간단한 방법과 추가 전자 구성 요소의 다이어그램을 제공합니다. 저자는 전시회에서 액티브 스피커(내장 UMZCH 및 EAOS 포함)를 반복적으로 선보였습니다. EEA가 운영하는 저음역의 사실적인 사운드와 특별한 순도가 특징입니다. 전기역학적 헤드(EDG)가 있는 음향 시스템(AS)을 통해 저주파 대역에서 고품질 사운드 재생(SR)의 주요 문제 중에서 주파수 응답 및 위상 응답의 왜곡과 두 가지 주요 문제를 구별할 수 있습니다. 특히 저주파에서 비선형 왜곡(ND)이 많이 발생합니다. 첫 번째 이유는 라우드스피커 선택, 음향 디자인(AO), 청취실의 음향 특성(KdP) 및 스피커 위치에 대한 타협 때문입니다. 이러한 유형의 왜곡의 결과는 과도 응답(TR) 왜곡이며, 이는 오디오 신호 엔벨로프의 왜곡으로 표현됩니다. 특히 레벨의 급격한 변화는 일반적으로 "흐릿함", "윙윙거림" 및 "윙윙거림" 효과로 특징지어집니다. "베이스 지연". 두 번째 문제의 주된 이유는 EDH 디퓨저의 변위(스트로크)를 크게 늘려야 한다는 점입니다. 이는 특히 강성이 부족하고 추가 배음이 나타날 때 강조됩니다. 스피커의 왜곡을 줄이는 방법 아래에서는 저음 반사(FI) 및 폐쇄 상자(CH) 형태의 AO가 있는 가장 일반적인 유형의 스피커에서 이러한 문제를 극복하거나 줄이기 위해 다양한 방법을 사용할 수 있는 가능성에 대해 간략하게 설명합니다. KdP 음향의 영향과 스피커 배치. FI 형태의 AO가 있는 AS는 올바르게 구현되면 SW 대역의 하한 주파수 영역에서 주파수 응답을 크게 확장할 수 있을 뿐만 아니라 NI를 줄일 수 있으며, 특히 중요한 것은 상대적으로 SF 형태의 AS에 비해 SS의 양이 적습니다. 그러나 이러한 모든 장점에는 스피커의 주어진 기능적 목적을 고려하여 오염 물질의 품질을 평가할 때 주요 기준이 되는 PC의 상당한 왜곡이 수반됩니다. 접지 셀 형태의 AO를 갖춘 AS는 훨씬 더 나은 성능 특성을 가지지만, 이를 위해서는 오염 물질 대역의 하한 주파수가 감소하면서 AS의 부피가 크게 증가해야 합니다. 이 두 가지 유형의 AO를 갖춘 스피커를 통해 오염 물질의 품질을 향상시키기 위해 주파수 응답과 위상 응답의 공동 보정이 가장 많이 사용되며 [1], 음의 출력 임피던스를 갖는 전력 증폭기 (PA)와의 공동 사용도 [ 2] 이는 더 나은 EDH 댐핑으로 인해 주파수 응답이 크게 향상됩니다. 덜 일반적이지만 매우 효과적인 또 다른 방법은 전기 기계 피드백(EMOS)을 사용하도록 설계되었습니다. 이 경우, OS 회로가 모든 유형의 왜곡의 주요 소스인 EDH를 커버하는 것이 중요합니다. 이 방법을 사용하면 EMOS의 깊이에 비례하여 감소됩니다. EMOS 아이디어를 구현하기 위한 수많은 옵션 중에서 가장 널리 사용되는 옵션은 EDH 디퓨저 표면에 장착된 압전 센서 형태의 가속도계를 사용하는 것입니다[3-5]. EDF 디퓨저가 진동할 때 발생하고 음압에 비례하는 센서의 전기 신호는 EMOS 회로에서 소스의 원래 신호와 지속적으로 비교됩니다. 이 경우, 차이 신호로 인해 소스의 사운드 신호와 음압을 일치시키기 위해 필요한 수정이 수행됩니다. 예를 들어, 별도의 추가 보이스 코일("터치")을 센서로 사용하는 등 네거티브 피드백(NFB)을 도입하는 다른 방법을 사용하는 것도 가능합니다. 이 신호는 NFC 회로에서 수정 신호를 분리하는 데 사용됩니다. 이러한 유형의 피드백 루프를 전기역학적 피드백(EDF)이라고 하지만 EDF에 추가 코일이 있는 스피커에만 사용이 제한됩니다. 구현하기가 가장 어렵지만 가장 효과적인 방법은 EDH 디퓨저 표면에 근접하여 압력 센서로 마이크를 설치하는 방법입니다. 이 경우 이유에 관계없이 마이크에서 감지된 모든 유형의 왜곡을 가장 완벽하게 고려하는 전기 음향 피드백(EAFE)이 발생합니다. EAOS는 마이크의 전기 신호에 추가 변환이 필요하지 않기 때문에 가장 정확한 보정이 가능합니다. EAOS 사용의 낮은 보급률은 설계 구현의 어려움으로 인해 발생하지만 예를 들어 미국 Meyer Sound의 X-10 스튜디오 모니터에서 얻은 결과는 인상적입니다 [6]. 저주파에서 오염물질의 품질을 개선하기 위한 위의 모든 방법의 단점은 다양한 설계 추가가 필요하다는 것입니다. 따라서 스웨덴 회사인 Audio Pro가 1978년에 제안한 LF EDC와 PA를 "커플링"하는 기술이 큰 관심을 끌고 있습니다. ACE Bass(Amplifier Controlled Euphonic Bass)[7]라고 불리는 이 기술은 추가적인 설계가 필요하지 않으며 자연 공진 주파수인 EDC를 사용하여 스피커 캐비닛의 크기를 늘리지 않고도 오염 물질의 하한 주파수를 줄일 수 있습니다. 스피커 오염 물질의 하한 주파수보다 훨씬 높습니다. 시스템 작동 원리는 EDC가 출력 임피던스가 복잡한 복합 특성을 갖는 PA에서 여기되는 것입니다. 특정 주파수에서는 음수 또는 양수이며 복소수입니다. ACE Bass 시스템은 여러 가지 방법으로 구현할 수 있습니다. 특히 음의 출력 임피던스는 양의 전류 피드백이나 음의 임피던스 변환기를 사용하여 구현할 수 있습니다. 초기 출력 임피던스가 다른 PA에 대해 시스템 구현이 가능합니다. NI의 상당한 감소 효과는 전기 회로로 변환된 비선형 기계적 매개 변수에 비해 EDH의 선형 전기 매개 변수가 우세한 것으로 설명됩니다. ACE Bass 기술의 광범위한 보급은 상당히 많은 수의 EDC 매개변수를 고려해야 하기 때문에 방해를 받습니다. 그 중 상당 부분은 일반적으로 사양에 없습니다. PL 형태의 JSC로 NPP를 업그레이드하거나 설계할 때 EAOS 사용의 타당성을 평가하려면 세 가지 주요 기준을 사용할 필요가 있습니다. 첫 번째 기준은 오염 과정에 참여하는 기존 또는 설계의 모든 오디오 장비의 비용 증가를 평가하는 경제적입니다. 이 경우 추가 비용은 필요한 모든 기계 및 전자 요소를 구매하거나 제조하는 비용과 설치 및 조정 비용을 기준으로 계산됩니다. 두 번째 기준은 EDH 디퓨저 표면에 근접한 고정 요소가 있는 센서 마이크를 설치할 수 있는 실제 가능성을 평가하는 건설적이고 기술적인 기준입니다. 세 번째 기술적 기준은 오염물질의 질을 개선할 수 있는 실제 가능성을 평가합니다. 현대화할 때 EAOS만 추가하는 경우 저주파 영역에 대한 주파수 응답 확장은 일반적으로 6dB 이하의 양만큼 최대 음압의 비례 감소를 동반한다는 점을 고려해야 합니다. , 이는 주파수 응답의 필요한 수정에 해당합니다. EAOS를 사용한 AS 계산의 특징 EAOS를 이용하여 그라운드 셀 형태의 AO로 스피커를 설계할 때 주로 지정되는 값은 일반적으로 최대 음압(p)입니다.최대) 주어진 더 낮은 주파수에서 (fн) 선형 주파수 응답으로 SV 대역에서. 설계 과정에서 스피커 유형과 우퍼 헤드의 최적 공진 주파수(fc), 스피커에 설치된 주파수 y의 PA에서 필요한 출력 전압뿐만 아니라 모든 유형의 요소를 선택한 전체 오염 물질 시스템의 구조 및 회로도. 예를 들어 다음과 같은 설계 옵션을 고려하십시오.최대 = 2Pa(100dB), fн = KdP의 영향과 스피커 배치를 고려하지 않고 30Hz입니다. 초기 계산은 EEA의 영향을 고려하지 않고 수행됩니다. 알려진 바와 같이 [8], 음압은 다음 공식에 의해 결정됩니다. p = (х'·S·f·ρ) / r, (1) 여기서 x' = 2π f x - 디퓨저 속도; x는 EDH 디퓨저의 한 방향 변위 진폭입니다. S - 디퓨저 영역; f - 측정 주파수; ρ = 1,225kg/m3 - 공기 밀도; r은 측정 수신기까지의 거리입니다. 값 x'를 대입하여 공식 (1)을 변환합니다. 피 = (2π f2·x·S·ρ) / r, (2) 그러나 S x = V는 이동된 공기의 양입니다. 그런 다음 공식 (2)는 다음 형식으로 변환됩니다. 피 = (2π f2·V·ρ) / r, (3) r = 1m에 대해 V = p / (2π f2ρ), (4) и x = V / S = p / (2π f2·ρ·S). (5) 예를 들어, 디퓨저 표면적 S = 12cm506,7인 Eminence(미국)의 LABXNUMX EDH를 사용할 가능성을 고려해 보겠습니다.2 = 5,067 10-2 м2, p = p의 경우최대 = 2Pa 및 f = 30Hz: x =2 / (2 3,14 3021 5,067 10-2) = 0,57 10-2 m = 5,7mm, 이는 선택한 EDH의 선형 스트로크 x = ±13mm의 공칭 값보다 훨씬 작습니다. 추가 계산을 위해 여권 데이터를 사용합니다.입술 = 22Hz - AO가 없는 공기 중 공진 주파수, pо = 89,2dB - 전압 U에 해당하는 감도o = f = 2,83Hz, Q에서 PA 출력에서 11,2V(100dB)ts = 0,39 - 품질 계수. 접지 셀 형태의 AO를 사용하여 스피커 하우징에 설치되고 저주파 응답 불균일성을 보장하는 EDC의 최적 공진 주파수 값은 다음을 사용하여 [9]의 권장 사항에 따라 계산하는 것이 좋습니다. 공식 fс = (에프입술큐tc) / 문ts , (6) 어디 Qtc = 0,707 - 스피커 하우징 내 EDC의 총 품질 계수. 따라서 fс = (22 0,707) / 0,39 = 40Hz. PA에서 필요한 출력 전압 값 계산 (UO) 주파수 f에서н = p에서 30Hz최대 = 100dB는 일반적으로 주어진 AO를 사용하여 스피커 하우징에 설치된 EDC의 주파수 응답을 사용하여 생성됩니다. 이러한 주파수 응답은 f를 사용하여 XNUMX차 고역 통과 필터를 구현할 때 연습에 충분한 정확도로 모델링될 수 있습니다.c = 40Hz 및 Q = 0,707은 Sallen-Kay 체계[10]에 따라 그림 1에 표시됩니다. XNUMX.
이러한 고역통과필터의 주파수 응답과 위상 응답을 측정한 결과를 그림 2에 그래프로 나타내었다. 2. 이러한 측정은 모든 후속 측정과 마찬가지로 Neutrik의 특수 오디오 장비 "AXNUMX - 오디오 측정 시스템"을 사용하여 수행되었습니다.
U 값O U 사이의 정비례를 고려하여 마음에서O 데시벨로 표시되는 음압은 다음 공식을 사용하여 구합니다. UO = 유1 +ΔU1 , 어디서 유1 = 유o + (p최대 - 피o) = 11,2 + (100 - 89,2) = 23dB(11V) - U 값O, p에 해당최대 = f = 100Hz에서 100dB, ΔU1 = 6dB - 주파수 f에서 주파수 응답 감소의 크기(그림 2)н = 30Hz. 따라서 유O = 6 + 23 = 29dB(22V). 저자는 이득 K와 함께 PA를 사용합니다.у = 13,5dB이면 시스템의 감도는 U입니다.~ 안에 = 유1 - 에게у = 23 - 13,5 = 9,5dB(2,3V). EAOS를 사용한 오염물질 시스템의 단순화된 블록 다이어그램이 그림 3에 나와 있습니다. XNUMX, 여기서 PA는 전력 증폭기이다. AC - EDG가 있는 스피커(Gr) 및 증폭기(MU)가 있는 마이크(M) PUNC - 저주파 대역 통과 전압 증폭기; Σ - 주 신호와 EEA 신호의 합산기.
그림의 다이어그램에서 볼 수 있듯이. 도 3에서 EAOS는 센서-마이크를 통해 EOS 루프에 Gr을 포함시켜 구성된다. 그림에서 다음과 같다. 그림 3에서 PA에 대한 신호의 종단간 전압 이득이 Ku = 13,5dB = const로 유지된다면 EAOS의 깊이와 범위는 전적으로 PUNC의 특성에 따라 결정됩니다. 이 경우 EAOS의 최대 깊이는 ILF(적외선 저주파)의 안정성 한계에 의해 제한됩니다. EAOS 동작 대역의 상위 주파수는 EAOS 회로에 최소 시간(위상) 지연을 도입하는 조건에서 선택되며 마이크 센서에서 EEG 디퓨저 표면까지의 실제 거리를 고려하여 결정됩니다. 분명히, 이 거리는 최대 변위 x에 해당하는 필수 거리보다 작을 수 없습니다.최대 = ±5,7mm. 저자는 12mm의 거리를 사용합니다. 이 경우 저자는 부등식을 만족시키기에 충분하다고 생각합니다. λ ≥ 100 x, 그러나 λ = v/f, f < v/λ, 여기서 λ는 소리의 파장입니다. v - 공기 중 소리 전파 속도(340m/s); f는 소리 신호의 주파수입니다. 따라서 f ≤ 340/ /(100 12 10-3) ≤ 283Hz. EAOS가 있는 시스템의 전자 부품 그림 4은 EAOS를 이용한 오염물질 시스템의 실제 실제 블록도를 보여준다. 도 3는 도 XNUMX의 단순화된 다이어그램과 다르다. XNUMX 추가 기능 장치 도입: PU - 신호 전치 증폭기, 신호 대 잡음비 및 필요한 전압 이득의 저하를 최소화하면서 MU와의 필요한 조정을 제공합니다. CL - 큰 깊이의 EAOS 루프에서 신호의 주파수 응답 및 위상 응답에 필요한 수정을 제공하고 저주파에서 충분한 안정성 마진을 생성하는 Linkwitz 교정기. LPF - EAOS 작동 대역의 상위 주파수를 초과하는 주파수의 신호를 제한하는 저역 통과 필터. 고역 통과 필터 - 고역 통과 신호로 인한 시스템 과부하를 제한하는 고역 통과 필터입니다.
그림 4의 블록 다이어그램에 해당하는 EEA를 사용하는 오염 물질 시스템의 전체 개략도. 도 5에 도시된 바와 같다. 3.1, 여기서 시스템의 모든 요소의 상호 작용을 편의상 고려하기 위해 UM은 DA3.2 연산 증폭기의 반전 증폭기 형태로 표시되고 Gr, M 및 MU는 다음과 같은 형식으로 표시됩니다. R14 레귤레이터가 켜져 있는 출력에서 DAXNUMX의 고역 통과 필터를 사용하면 EAOS의 깊이를 변경할 수 있습니다.
DA1.1 및 C1, C2, R1, R2의 Sallen-Kay 회로에 따라 구현된 XNUMX차 고역 통과 필터로 시작하는 소스의 주 신호 경로를 고려해 보겠습니다. 차단 주파수 f 선택c EAOS를 도입하여 음압에 따른 주파수 응답을 측정한 결과를 분석한 결과 = 21,4Hz가 생성되었다. 고역 통과 필터의 출력에서 신호는 가산기 요소 중 하나인 저항 R3으로 이동한 다음 커패시터 C3을 통해 고역 통과 필터의 입력으로 이동합니다. 이 커패시터는 EAOS 회로의 고역 통과 필터 및 요소로부터 DA2.1의 비반전 증폭기의 DC 절연을 제공합니다. 회로 요소 R5С3의 공칭 값 선택은 f<10Hz에서 주파수 응답 및 위상 응답에 대한 최소 영향을 기반으로 이루어졌습니다. PUNCH는 연산 증폭기 DA2.1 및 DA2.2에서 구현되며 DA2.1의 증폭기는 EAOS의 필요한 깊이와 f를 사용하는 XNUMX차 고역 통과 필터를 제공합니다.c = DA290용 OOS 회로에 포함된 2.1Hz는 EEA 작동 대역의 상위 주파수를 설정합니다. PUNC에 대해 측정된 주파수 응답과 위상 응답이 그림 6에 나와 있습니다. XNUMX.
저항 R7/R6 및 차단 주파수 f의 저항 비율 선택c DA290의 고역 통과 필터에 대한 = 2.2Hz는 f = 40Hz의 주파수에서 최대 이득 제공을 고려하여 만들어졌습니다. 고역 통과 필터의 가파른 정도의 제한은 안정성 문제로 인해 발생합니다. PUNC 출력(점 A)에서 신호는 DA3.1 연산 증폭기의 PA 입력으로 이동한 다음 EAOS 깊이에 대한 출력(점 B)을 통해 DA3.2(그림 1 참조)의 등가 GR로 이동합니다. 레귤레이터(R14). EAOS 신호의 경로는 전압 이득 K를 사용하여 연산 증폭기 DA5.1에 구현된 PU의 대칭 입력(점 C 및 D)에서 시작됩니다.у = 1. 후속(주) 증폭은 K가 있는 DA5.2 연산 증폭기에 조립된 비반전 증폭기에서 발생합니다.у=1+R22/R20. 커패시터 C16은 이전 단계에서 DA5.2 입력까지 일정한 성분을 갖는 신호의 침투를 제거하고 EAOS의 낮은 주파수 영역에서 주파수 응답 및 위상 응답에 대한 작은 영향을 고려하여 커패시턴스를 선택합니다. . 요소 C17 및 R21은 깊은 깊이에서 EAOS 동작 대역의 상위 주파수에서 주파수 응답 및 위상 응답을 수정하는 역할을 합니다. PU 다음의 Linkwitz 교정기(CL)는 그림 7의 그래프에 표시된 주파수 응답 및 위상 응답에 필요한 교정을 수행합니다. 8. CL 요소의 계산은 EAOS 도입 전 시스템의 주파수 응답(그림 8, a)과 위상 응답(그림 XNUMX, b) 분석을 기반으로 이루어졌으며, 주파수 f에서 주파수 응답이 최대로 떨어지면서 주파수 응답의 낮은 불균일성을 보장합니다.н = 30dB 이하로 0,9Hz. EEA 신호 전송 체인의 마지막 링크는 차단 주파수 f를 선택하여 DA1.2 및 C22, C23, R29, R30의 Sallen-Kay 방식에 따라 구현된 XNUMX차 고역 통과 필터입니다.c2 = 1,05fc1= 1,05 290 = 305Hz, 여기서 fc1 - DA2.2의 PUNC에 있는 고역 통과 필터의 차단 주파수는 290Hz입니다.
입력(C 지점)에서 출력(E 지점)까지의 EAOS 신호 경로의 주파수 응답과 위상 응답을 측정한 결과가 그림 9의 그래프에 나와 있습니다. 4. EAOS의 출력 신호(E 지점)는 저항 R4를 통해 PUNC 입력의 주 신호와 혼합됩니다. 저항 R3/R2 ≒ 1.2의 선택된 저항 비율은 시스템의 감도(U)를 고려하여 DAXNUMX 출력에서 필요한 최대 전압에 대해 충분한 잡음 내성과 충분한 마진을 모두 제공합니다.~ 안에 = 2,3V) 및 깊은 EAOS.
EAOS 센서(마이크) 요구 사항 1. 0,2~1Hz 주파수 대역에서 300% 이하의 SOI 값으로 제한되는 최대 허용 측정 가능 음압 레벨은 다음 거리에서 지정된 음압 레벨보다 40dB 이상 높습니다. 1m 2. 주파수 대역 1 ... 300Hz의 고르지 않은 주파수 응답 - ± 0,2dB 이하. 3. 방향성 패턴 - 원형. 4. 실제 작동 조건에서 온도, 습도 및 환경 압력의 변화에 따라 장기간 작동 시 매개변수의 안정성이 유지됩니다. 위의 요구 사항을 충족하는 기성 측정 마이크 또는 자체 제작 마이크를 센서로 사용할 수 있습니다. 후자의 경우에는 클래식 콘덴서(예: MK-265 또는 AKG CK62-ULS) 또는 일렉트릿 마이크에서 캡슐을 구입하기만 하면 됩니다. 캡슐에는 일반적으로 다양한 간섭의 침투를 줄이기 위해 캡슐과 동일한 하우징에 배치되는 마이크 증폭기(MU)가 추가되어야 합니다. EDC 디퓨저 표면과 마이크의 가까운 위치를 고려하여 MU 출력에서 충분히 큰 신호를 수신하면 전압을 사용하여 MU 회로를 크게 단순화할 수 있습니다. 수행원. 이러한 MU 회로의 두 가지 가능한 변형이 그림 10에 나와 있습니다. 1에서는 개별 트랜지스터 또는 집적 회로가 사용됩니다. 이러한 MU의 특징은 마이크 형태의 신호 소스와 함께 작동할 때 오염 대역의 낮은 차단 주파수를 달성하기 위한 높은 입력 임피던스입니다. 이 경우에는 정전용량이 낮은 정전식 센서입니다. 이 커패시턴스는 저항 R0,5과 함께 1dB 이하의 주파수 응답 저하로 측정 대역 f ≥ 0,2...XNUMXHz의 더 낮은 주파수를 결정합니다. 그림의 MU에서 도 10a에서, 트랜지스터 VT2의 콜렉터와 VT1의 소스 연결로 인해 직류 및 교류에 깊은 전체 OOS가 사용되어 모드 안정화가 보장됩니다. 또한 MU에는 출력 1에서 저항 R1을 통해 전압 PIC가 있어 MU의 입력 저항을 R로 증가시킵니다.~ 안에 = R1/(1 - Kу), 여기서 Kу - 입력(게이트 VT1)에서 출력 1까지의 전압 전달 계수. R3의 전압 강하는 바이어스 전압(U)을 설정합니다.지) VT1의 경우 출력 1에 XNUMX 전위를 제공합니다.
저항 R4의 저항은 추가 신호 증폭을 위한 장치의 대칭 입력(그림 5 다이어그램의 PU 입력)에 대한 신호 전송 라인에 작용하는 외부 간섭(공통 모드)의 최대 감쇠에 따라 선택됩니다. 최소 간섭은 출력 1과 2의 동일한 AC 저항에 해당합니다(공통 와이어 기준). MU 출력과 후속 장치의 이러한 연결을 준대칭이라고 합니다. DA1의 안정 장치는 전원 공급 장치 -U의 리플 진폭에 대한 요구 사항을 줄이는 역할을 합니다. 그림의 MU 다이어그램에서 10, 트랜지스터 VT1은 유사한 매개변수(U의 차단 전압 및 드레인 전류)를 사용하여 다른 것으로 대체될 수 있습니다.지 = 0). 트랜지스터 VT2는 h에서 잡음 수준이 낮은 다른 해당 구조로 대체할 수도 있습니다.21e ≥ 200. 그림에 따른 MU 회로에서. 도 10b에서, 출력 1의 출력 저항은 XNUMX에 충분히 가깝기 때문에 추가 증폭 장치에 대한 준대칭 연결을 통해 공통("XNUMX") 와이어를 사용할 수 있습니다. 이 옵션에서는 잡음 및 입력 저항 R에 대한 요구 사항을 충족하는 다른 유형의 미세 회로를 사용할 수도 있습니다.~ 안에 ≥ 1010 옴. 그림의 MU 다이어그램에서 볼 수 있듯이 도 10에서, 캡슐 터미널 중 하나는 전원의 음극 회로에 연결된다. 이 경우 캡슐 본체를 전원에 연결하면 간섭 침투를 줄이는 최상의 결과를 얻을 수 있습니다. 전원의 극성은 안정기 유형 및 연결의 해당 변경에 따라 양극으로 변경될 수 있습니다. 문학
저자: A. Syritso
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