비 반전 선형 증폭기. 계획, 설명

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비 반전 선형 증폭기는 그림 1과 같이 미세 회로를 켤 때 얻습니다. 0,3 (목적이 유사한 두 번째 채널의 출력 수는 괄호 안에 표시됨). 장치의 최대 입력 전압은 약 1V입니다. DC 이득은 K=3+R1/RXNUMX입니다.

비 반전 선형 증폭기

저항 R1의 최대 저항은 미세 회로의 차동 단계의 트랜지스터 V2 (0,5μA)의 기본 전류 Ib가 이런 식으로 켜질 때 결정됩니다. 저항을 통해 흐르는 전류는 최소한이어야합니다. 기본 전류의 10배. 트랜지스터 V2의 베이스 전압이 이 스테이지의 트랜지스터 V4 베이스와 같아야 한다는 점을 고려하면(1.3V) 저항 R1의 최대 저항은 공식 R1 = 1,3 / 10Ib를 사용하여 계산됩니다. 이는 260kOhm 이하여야 함을 의미합니다.

공급 전압에 따라 저항 R3의 저항은 비율 R3=(Upit/2,6-1)R1에서 결정됩니다. 가장 작은 IC 공급 전압이 9V이므로 최소 DC 이득은 약 3,5입니다. 최대값(공급 전압 30V에서)은 약 12입니다.

비반전 AC 증폭기의 이득은 Ku=1+R3/R2입니다. 25 V의 공급 전압, 20 ... 20 Hz의 주파수 범위에서 000 ... 10 내에서 만들 수 있습니다.

커패시터 C4의 커패시턴스(마이크로 회로의 보정 커패시터와 병렬로 연결됨)는 필요한 이득 및 작동 주파수 대역에 따라 달라지며 단위 이득 모드의 경우 39 ... 47 pF입니다. 이전 DC 회로에서 미세 회로를 분리하는 커패시터 C1은 0,2μF 이상의 커패시턴스를 가질 수 있으며, 전원 회로의 기생 결합을 제거하는 커패시터 C2는 0,1 ... 0,2μF입니다.

필요한 경우 비반전 증폭단의 노이즈를 둘 다 사용하지 않고 차동단의 트랜지스터 중 하나만 사용하여(약 1,4배) 줄일 수 있습니다. 이 경우 마이크로 회로의 핀 2(13)은 공통 와이어에 연결되고 분배기 RIC3R2R3은 핀 3(12)에 연결됩니다.(1μA): R5 \u4d 100 / 1Ie(0,65 - 전압 - 볼트) - 트랜지스터 V5, V0,65의 이미 터에서). 지정된 전류 비율에서 이 저항의 저항은 2kOhm 이하여야 합니다. 저항 R4의 경우 입력에서 하나의 트랜지스터를 사용할 때의 저항은 공식 R1,3 = (Upit / 3-3) R1,3로 계산됩니다.

다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기.

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