보완 트랜지스터의 전력 증폭기. 계획, 설명

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증폭된 신호의 반파장과 입력에서 이중 차동 스테이지에 대해 완전한 팔 대칭을 갖는 상보형 트랜지스터 전력 증폭기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

무료 기술 라이브러리

다음과 같은 주요 사양이 있습니다.

정격 출력 ...... 60W
고조파 왜곡 ........... 0,04%
작동 주파수 대역 ........... 20 ... 150Hz
신호 대 잡음비 ........... 88dB
공급 전압 ........... ±40 V
대기 전류 .............. 60 mA

증폭기는 보완 트랜지스터에서 완전히 만들어집니다. AB 모드에서 작동합니다. 적용된 회로 솔루션을 통해 비선형 왜곡을 최소화할 수 있었습니다. 증폭기의 주요 특징은 증폭된 신호의 두 반파에 대한 팔의 대칭입니다. 이를 통해 OOS를 도입하지 않고 증폭기의 비선형 왜곡을 줄일 수 있었습니다. 공동의 또 다른 기능. 전류뿐만 아니라 전압에서도 신호를 증폭할 수 있는 출력단 회로에 있습니다. 동시에 필요한 신호 진폭이 기존 출력 단계보다 훨씬 적기 때문에 예비 단계 트랜지스터의 작동 모드가 용이합니다.

쌀. 1 (확대하려면 클릭)

증폭기의 회로도는 그림 1에 나와 있습니다. 1. 차동 보완 트랜지스터단(VT4, VT2, VT5, VT7), 전압 증폭단(VT8, VT13), 출력단(VTIO-VT15, VT16, VT14) 및 과전류 보호 장치(VT17, VT1). 상보형 트랜지스터의 차동 입력 단계는 일반적인 단계에 비해 추가적인 이점이 있습니다. 트랜지스터 VT2 및 VT4(VT5 및 VT2)의 기본 전류가 같으면 저항 R3 및 R30과 저항 R3을 통해 전류가 전혀 흐르지 않을 수 있습니다. 이를 통해 캐스케이드의 균형을 위반하지 않고 상당히 넓은 범위 내에서 이러한 저항의 저항을 변경할 수 있습니다. 높은 열 안정성에서 전압 전달 계수를 높이고 선형성을 향상시키기 위해 트랜지스터 VT6 및 VT7의 전류 소스가 차동 스테이지 트랜지스터의 이미 터 회로에 포함됩니다. 전압 증폭 단계는 모드 A에서 작동하는 트랜지스터 VT8 및 VTXNUMX의 상보적 쌍에서 이루어집니다.

출력 스테이지의 암에는 저항 R10 및 R12(따라서 R15 및 R11)를 통해 로컬 OOS로 덮인 13개의 트랜지스터 VT16, VT25, VT29(VT26, VT31, VT34)가 포함됩니다. 이 경우 각 트랜지스터 트리오의 전압 이득은 35에 근접합니다. 로컬 피드백은 또한 출력 스테이지 암의 이득 확산을 줄여서 상보형 트랜지스터의 동일한 매개변수에 대한 요구 사항을 줄입니다. 출력단의 또 다른 특징은 다음과 같다. 트리플 트랜지스터를 덮는 로컬 OOS의 전압은 저항 R10 및 R11에서 제거되며, 이 전압은 출력 트랜지스터의 전류 변화(온도에 따라 다름 포함)에 비례합니다. 이것은 출력 트랜지스터의 대기 전류를 추가로 안정화합니다. 트랜지스터 VT9 및 VT4의 바이어스 전압은 VD20, R22-RXNUMX 요소의 분배기에 의해 설정된 트랜지스터 VTXNUMX의 이미 터 - 컬렉터 섹션의 전압 강하에 따라 다릅니다.

출력 트랜지스터가 있는 공통 방열판에 위치한 다이오드 VD4를 통한 파라메트릭 OOS는 트랜지스터 VT15, VT16의 정지 전류의 온도 안정화를 제공합니다. 온도가 상승함에 따라 VD4 다이오드 양단의 전압 강하도 감소하고 이미 터-컬렉터 전압 VT9도 감소합니다. 이 모든 기능을 통해 다양한 전력 수준과 주변 온도 변동에서 트랜지스터 출력의 대기 전류를 일정한 수준으로 유지할 수 있습니다. 전체 증폭기는 공통 OOS로 덮여 있으며 전압은 분배기 R30, RI5, C3을 통해 증폭기 출력에서 트랜지스터 VT4, VT5의베이스로 공급됩니다.

요소 C1, C5, C6, C7, C8, C9, R44, L1은 고주파에서 주파수 응답을 수정하도록 설계되었습니다. 또한 전체 OOS를 커버할 때와 가능한 부하 변경 시 앰프의 안정성을 보장합니다. 트랜지스터 VT14, VT17은 과부하 동안 출력 트랜지스터의 이미 터 접합을 분로시킵니다. 증폭기는 불안정한 바이폴라 ± 40V 소스에 의해 전원이 공급됩니다.

다이오드 VD4는 트랜지스터 VT15 또는 VT16 옆의 방열판에 배치됩니다. 증폭기는 저항 MLT, SPZ-1K(R22), 커패시터 K50-6, KM을 사용합니다. LI 코일은 저항 R45(MLT-2)에 감겨 있으며 PEV-10 2 와이어의 0,8턴을 포함합니다. 증폭기에 전원을 공급하려면 ± 40V의 전압에서 최소 2A의 전류를 제공하는 바이폴라 소스가 필요합니다.

서비스 가능한 요소로 조립 된 증폭기의 조정은 올바른 설치를 확인하고 저항 R15를 사용하여 수집기 VT16 및 VT50(70 ... 22mA)의 초기 전류를 설정하는 것으로 구성됩니다.

증폭된 신호의 반파장 및 입력에서 이중 차동 단계에 대한 완전한 암 대칭을 갖춘 보완 트랜지스터 전력 증폭기
그림. 2

정상 동작 증폭기의 진폭-주파수 및 위상-주파수 특성은 그림 2에 나와 있습니다. XNUMX.

간행물: cxem.net

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