램프 소리에 대해. 이론. 구성표, 설명

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진공 상태에서 소리를 냅니다. 램프 사운드 기술. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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기사에 대한 의견

최근에는 튜브 사운드 기술의 디자인이 점점 대중화되고 있습니다. 이 기사에서는 작업을 시작할 때 알아야 할 사항을 알려 드리겠습니다.

1. 해부

전자 램프의 작동 원리는 정전기장에서 하전 입자(전자)의 움직임을 기반으로 합니다. 라디오 튜브 장치를 고려하십시오. 그림은 간접 백열등의 간단한 램프(다이오드) 설계 다이어그램을 보여줍니다.

진공 상태에서 소리를 냅니다. 램프 사운드 기술. 라디오 튜브의 구조

실제로 램프는 고진공(10-5 - 10-7 Torr)이 생성된 유리 용기입니다. 고전적인 램프에서 전극의 모양은 비슷하며 동심원 "실린더"입니다. 모든 것의 의미는 음극이 가열되면 전자가 여기되어 떠나는 것입니다. 직접 가열된 음극은 일반 조명 램프에서와 같이 단순히 텅스텐 필라멘트입니다. 이러한 음극은 음극에 특별한 체제를 만들 필요가 없는 경우에 사용됩니다. 대부분의 램프는 간접적으로 가열된 음극을 사용합니다. 이 경우 필라멘트는 금속 튜브에 배치됩니다. 음극에서 약간 떨어진 곳에 전자 흐름의 "종료 정지"인 전극인 양극이 있습니다.

음극에서 양극으로 전자의 속도를 제어하기 위해 추가 전극이 사용됩니다. 그리드는 3가지 유형으로 나뉩니다. 제어, 스크린 및 보호(anti-dinatron). 그리드는 두 개의 운모 플랜지 사이에 끼워진 금속 랙(트래버스)에 나선형으로 감긴 와이어입니다. 동일한 플랜지가 양극과 음극의 트래버스를 고정합니다. 여러 전극 시스템을 포함하는 램프도 있습니다. 이러한 램프를 결합이라고합니다. 램프의 전원에 따라 램프의 전극과 본체를 다양한 재료로 만들 수 있기 때문입니다. 통과하는 전류가 증가함에 따라 소산 전력이 증가합니다.

2. 도덕

각 유형의 램프에는 고유한 매개변수와 특성이 있음이 분명합니다. 먼저 램프의 작동 모드를 알아 보겠습니다. 정상적인 전자 흐름을 생성하기 위해 램프의 전극 간 공간에 특수 정전기 전위가 생성됩니다. 이러한 전위는 전극에 작용하는 전압에 의해 결정됩니다. 주요 작동 모드를 고려하십시오.
1. 최대 허용 양극 전압(Ua max). 양극과 음극 사이의 전압을 초과하면 고장이 발생합니다. 냉음극에서는 이 전압이 더 큽니다. 그리드 전압에도 동일하게 적용됩니다.

2. 최대 허용 양극 전류(Ia max). 양극 회로에서 전류의 최대 허용 값. 본질적으로 램프를 통과하는 전류에서 그리드의 전위에 의해 "늘어나는" 작은 부분을 뺀 것입니다.

3. 가열 전압(Un). 음극이 열이온 방출에 필요한 온도에 도달하는 동시에 램프가 선언된 내구성 매개변수를 유지하는 필라멘트(히터)에 적용되는 일반적인 전압입니다.

4. 가열 전류(In). 필라멘트가 끌어당기는 전류.

또한 이 램프에 조립된 어셈블리의 매개변수에 영향을 미치는 램프 설계로 인해 여러 가지 특성이 있습니다.

1. 특성의 기울기(S). 제어 그리드의 전압 증분에 대한 애노드 전류 증분의 비율입니다. 저것들. 제어 전압이 1V 변할 때 양극 전류가 얼마나 변할지 결정할 수 있습니다.

2. 램프의 내부 저항(Ri). 해당 애노드 전류 증분에 대한 애노드 전압 증분의 비율. 어떤 면에서 이것은 트랜지스터의 전류 전달 계수와 비교할 수 있습니다. 제어(양) 전압이 증가하면 애노드 전류가 증가합니다. 겉으로는 저항이 감소한 것처럼 보입니다. 당연히 램프에는 활성 저항이 없습니다. 이는 전극간 정전용량에 의해 결정되며 본질적으로 반응성입니다.

3. 정적 이득(µ). 애노드 전류의 동일한 증분을 유발하는 제어 증분에 대한 애노드 전압 증분의 비율. 저것들. 사실, 제어 전압을 1V씩 증가시키는 것이 애노드 전압을 유사하게 증가시키는 것보다 몇 배나 더 효과적인지 보여줍니다.

3. 이름

램프의 일부 매개변수 및 설계 기능은 표시로 인식할 수 있습니다.

첫 번째 요소 - 둥근 필라멘트 전압을 보여주는 그림

두 번째 요소는 램프 유형을 나타내는 문자입니다.
A - 두 개의 제어 그리드가 있는 주파수 변환 램프.
B - 다이오드 - XNUMX극관
B - XNUMX차 발광 램프
G - 다이오드 - 삼극관
D - 댐퍼를 포함한 다이오드
E - 전자 표시등
Zh - 특성이 짧은 고주파수 XNUMX극관. 듀얼 컨트롤 펜토드 포함
그리고 - triode-hexodes, triode-heptodes, triode-octodes.
K - 특성이 확장된 XNUMX극관.
L - 빔이 집중된 램프.
H - 이중 삼극관.
P - 출력 XNUMX극관, 빔 XNUMX극관
P - 이중 XNUMX극관(빔 포함) 및 이중 XNUMX극관.
C - 삼극관
F - XNUMX극관-XNUMX극관
X - 케노트론을 포함한 이중 다이오드
C - 수신 증폭 램프 범주에 속하는 kenotrons. (특수 정류기에는 특수 표시가 있음)
E - 사극

세 번째 요소 - 장치 유형의 일련 번호를 나타내는 숫자(즉, 이 시리즈의 램프 개발 일련 번호. 예를 들어 3볼트 핑거팁 이중 삼극관 시리즈에서 첫 번째로 개발된 램프는 1N6P임).

4번째 요소 - 램프 디자인을 특징짓는 문자:

A - 최대 직경 8mm의 유리 케이스.
B - 초소형, 최대 직경 10,2mm의 유리 케이스
G - 직경이 10,2mm 이상인 유리 대 금속 케이스의 초소형
D - 디스크 씰이 있는 유리 대 금속 케이스(주로 마이크로웨이브 기술에서 발견됨)
K - 세라믹 케이스
H - 초소형, 세라믹 메탈 케이스(누비스터)
P - 유리 케이스의 미니어처(핑거 타입)
P - 최대 직경 5mm의 유리 케이스에 초소형.
C - 직경이 22,5mm 이상인 유리 케이스.
금속 케이스에 직경이 22,5mm 이상인 4진 램프의 경우 XNUMX번째 표시 요소가 없습니다.

4. 근로조건

램프는 반도체 소자보다 설치가 까다롭다는 선입견이 있다. 실제로 EVP의 동작 조건은 반도체 소자가 요구하는 동작 조건과 크게 다르지 않다. 또한 램프는 반도체보다 열 조건에 대한 요구가 적습니다. 따라서 최대 20W의 전력을 가진 진공관 증폭기의 출력단은 반도체와 달리 강제 냉각이 필요하지 않습니다. 대부분의 램프는 특별한 종류의 커넥터인 램프 소켓에 설치됩니다. 일부 램프에는 전구 상단에 단자가 있습니다. 대부분의 경우 이들은 상대적으로 높은 전압이 적용되는 양극 또는 스크린 그리드의 리드입니다. 이것은 그것과 다른 전극의 리드 사이의 고장을 피하기 위해 수행됩니다. 작동 중에 램프가 매우 뜨거워지면 램프를 가능한 멀리 벌려 두는 것이 좋습니다. 최근에는 램프 기술의 건설에 특별한 경향이 있습니다. 램프와 변압기는 장치의 상단 패널에 배치되고 나머지 부품은 섀시의 지하에 장착됩니다. 이러한 장치는 훨씬 더 잘 냉각되며 램프 상단에 고전압 충격으로 사용자를 위협하는 양극 단자가 없다면이 접근 방식이 상당히 합리적이라고 생각합니다. 램프는 엄격하게 수직일 필요는 없습니다. 그리드가 뜨거워지고 늘어져 전극간 단락이 발생할 위험이 없는 경우 수평선에 대한 모든 경사각이 허용됩니다.

5. 발차기 및 때리기

저자는 기사에 대한 질문과 비판적인 의견을 기꺼이 받아들일 것입니다.

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저자: Pavel A. Ulitin, 이메일: Overlord7[bug]yandex.ru, ICQ #: 323-026-295; 게시: cxem.net

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파리 연구소의 과학자들의 효율성을 향상시키기 위해. Langevin은 손가락 피부 아래를 들여다보는 새로운 유형의 스캐너를 개발했습니다. 스캐너는 사람의 피부와 점막, 눈 및 치아 조직의 얇은 층을 비침습적으로 검사하는 데 사용되는 광간섭 단층촬영(OCT)을 사용합니다. OCT의 물리적 작동 원리는 초음파 연구와 유사하지만, OCT는 생체 조직을 조사하기 위해 음파가 아닌 근적외선 범위(약 1μm)의 광학 방사선을 사용합니다. 이 경우 두 개의 광선이 결합되어 하나는 표준이 되고 다른 하나는 생물학적 조직 샘플을 통과할 때 발생하는 간섭 패턴을 연구합니다. 이러한 방식으로 피부 표면 아래 XNUMX밀리미터에 위치한 "내부 지문"이 얻어지며, 이는 "실제" 지문을 온전한 형태로 정확히 반복합니다.

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