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전자기 배경과 사람에 대한 영향. 프로타세비치 E.T., 2004.
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이 튜토리얼은 전자기장에 대한 일반 정보를 제공합니다. 전자기 배경 구성 요소의 분류, 생물학적 물체의 물리적 필드 및 전자기파의 생물학적 활동에 대한 현대적인 아이디어. 건물 내부의 HF 및 마이크로파 범위의 전파 전파 특성과 전파 노출로부터 직원 및 대중 보호 문제가 공개됩니다. 교과서는 작업 영역 (인력 보호), 환경 및 생물권 보호의 인간 보호 문제를 다루는 학문 분야 "생태학"및 "생명 안전"섹션에 해당합니다. 학생, 대학원생을 위해 설계되었습니다. 교사 및 연구원, 노동 보호 부서, 기업 및 조직의 환경 부서 직원.
현대 농업에서는 식물 관리 과정의 효율성을 높이는 것을 목표로 기술 진보가 발전하고 있습니다. 수확 단계를 최적화하도록 설계된 혁신적인 Florix 꽃 솎기 기계가 이탈리아에서 선보였습니다. 이 도구에는 이동식 암이 장착되어 있어 정원의 필요에 맞게 쉽게 조정할 수 있습니다. 운전자는 조이스틱을 사용하여 트랙터 운전실에서 얇은 와이어를 제어하여 얇은 와이어의 속도를 조정할 수 있습니다. 이 접근 방식은 꽃을 솎아내는 과정의 효율성을 크게 높여 정원의 특정 조건은 물론 그 안에 자라는 과일의 종류와 종류에 대한 개별 조정 가능성을 제공합니다. 다양한 유형의 과일에 대해 2년 동안 Florix 기계를 테스트한 후 결과는 매우 고무적이었습니다. 몇 년 동안 Florix 기계를 사용해 온 Filiberto Montanari와 같은 농부들은 꽃을 솎아내는 데 필요한 시간과 노동력이 크게 감소했다고 보고했습니다.
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현미경은 과학자들이 눈에 보이지 않는 구조와 과정을 탐구할 수 있도록 함으로써 과학 연구에서 중요한 역할을 합니다. 그러나 다양한 현미경 방법에는 한계가 있으며, 그 중 적외선 범위를 사용할 때 해상도의 한계가 있습니다. 그러나 도쿄 대학의 일본 연구자들의 최근 성과는 미시세계 연구에 새로운 가능성을 열어주었습니다. 도쿄 대학의 과학자들은 적외선 현미경의 기능에 혁명을 일으킬 새로운 현미경을 공개했습니다. 이 첨단 장비를 사용하면 살아있는 박테리아의 내부 구조를 나노미터 규모의 놀라운 선명도로 볼 수 있습니다. 일반적으로 중적외선 현미경은 해상도가 낮다는 한계가 있지만 일본 연구진의 최신 개발은 이러한 한계를 극복했습니다. 과학자들에 따르면 개발된 현미경은 기존 현미경의 해상도보다 120배 높은 최대 30나노미터 해상도의 이미지를 생성할 수 있다고 한다. ...>>
농업은 경제의 핵심 부문 중 하나이며 해충 방제는 이 과정에서 필수적인 부분입니다. 심라(Shimla)의 인도 농업 연구 위원회-중앙 감자 연구소(ICAR-CPRI)의 과학자 팀은 이 문제에 대한 혁신적인 해결책, 즉 풍력으로 작동되는 곤충 공기 트랩을 생각해냈습니다. 이 장치는 실시간 곤충 개체수 데이터를 제공하여 기존 해충 방제 방법의 단점을 해결합니다. 트랩은 전적으로 풍력 에너지로 구동되므로 전력이 필요하지 않은 환경 친화적인 솔루션입니다. 독특한 디자인으로 해충과 익충을 모두 모니터링할 수 있어 모든 농업 지역의 개체군에 대한 완전한 개요를 제공합니다. "적시에 대상 해충을 평가함으로써 우리는 해충과 질병을 모두 통제하는 데 필요한 조치를 취할 수 있습니다"라고 Kapil은 말합니다. ...>>
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고속 스위칭 장치용 고전압 MOSFET
12.04.2016
Toshiba Corporation의 유럽 전자 사업부인 Toshiba Electronics Europe(TEE)은 스위칭 전압 조정기를 위한 새로운 고속 고전압 MOSFET 시리즈를 출시했습니다.
800개의 900V 및 1,9V n채널 장치는 5옴까지 낮은 일반적인 온 상태 저항(RDS(ON))이 특징입니다. 새 장치의 대상 애플리케이션은 LED 조명용 플라이백 컨버터, 보조 전원 공급 장치 및 XNUMXA 미만의 스위칭 전류가 필요한 기타 회로입니다.
새로운 향상 모드 MOSFET은 높은 수준의 집적도와 최적화된 셀 구조를 결합한 도시바의 8세대 Pi-MOS-XNUMX 평면 반도체 제조 공정을 사용하여 제조됩니다. 이 기술은 낮은 RDS(ON)의 이점을 잃지 않으면서 게이트 전하와 커패시턴스를 감소시킨다고 회사는 밝혔다.
Toshiba는 이러한 MOSFET을 DTMOS800 Super Junction 기술을 사용하는 기존 4V DTMOS IV 시리즈에 저전류 추가로 생각하고 있습니다. TK3A90E 2,5A 및 TK5A90E 4,5A 트랜지스터의 VDSS 정격은 900V이고 일반적인 RDS(ON) 정격은 각각 3,7옴 및 2,5옴입니다. 4A TK80A4,0E 및 5A TK80A5,0E 트랜지스터의 VDSS 정격은 800V이고 일반적인 RDS(ON) 정격은 각각 2,8옴 및 1,9옴입니다.
Toshiba의 새로운 MOSFET은 최대 누설 전류가 10µA(VDS = 60V)에 불과하고 게이트 전압 임계값 범위가 2,5~4,0V(VDS = 10V 및 0,4mA 드레인 전류에서)에 불과합니다. 모든 장치는 표준 폼 팩터 TO-220SIS 케이스로 배송됩니다.
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