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날개 달린 단어, 구문 단위
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날개 달린 단어, 어구 단위. 의미, 기원의 역사, 사용 예

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신 없이, 영감 없이

푸쉬킨 A.S.
푸쉬킨 A.S.

프라 술 로지 : 신 없이, 영감 없이.

의미 : 높은 포부와 목표가 없으면 지루하고 지루하고 희망이 없습니다.

원산지 : A. S. Pushkin의 시 "A. P. Kern"("나는 멋진 순간을 기억합니다")(1827)의 인용문, M. Glinka(1840-1804)의 음악(1857): "광야에서, 투옥의 어둠 속에서 / / 나의 나날은 조용히 흘러갔다 / 신도 영감도 없이 / 눈물도 삶도 사랑도 없이 ... "

무작위 어구:

그리고 러시아의 깊숙한 곳에서 ...

의미 :

러시아의 외딴 모퉁이의 조용하고 졸린 삶을 특징 짓습니다.

원산지 :

N. A. Nekrasov의시 "수도의 소음, 회오리 바람 천둥"(1861)의 인용문 : "그리고 거기, 러시아 깊숙한 곳에 // 수백 년 된 침묵이 있습니다."

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3D V-NAND 메모리를 사용하면 10TB SSD를 만들 수 있습니다. 30.11.2014

3D V-NAND 플래시 메모리는 이미 그 가치가 입증되었습니다. 기존 MLC 칩보다 더 많은 저장 용량을 제공할 뿐만 아니라 악명 높은 TLC와 달리 매우 안정적입니다. 3D V-NAND는 최신 세대의 기존 HDD에 필적하는 용량으로 저렴한 솔리드 스테이트 드라이브 분야에서 돌파구를 마련하려는 것 같습니다. 우리는 10TB 이상의 용량에 대해 이야기하고 있습니다.

이것이 바로 Intel Corporation이 제안한 이니셔티브입니다. 최근 Intel 투자자 회의에서 2015년 하반기에 Intel-Micron Flash Technologies 합작 회사가 256Gb 및 384Gb 다층 칩의 대량 생산을 시작할 것이라고 발표했습니다.

후자의 경우 3단계 셀이 사용됩니다. 새로운 32D-NAND 칩의 10차원 구조에는 기존 TSV(실리콘 비아를 통해)와 유사한 특수 수직 구조 어레이를 사용하여 연결된 4개의 칩 레이어가 있습니다. 이러한 용량을 가진 플래시 메모리 칩의 출현은 오늘날 사용할 수 없는 엄청난 양의 솔리드 스테이트 드라이브를 만드는 길을 열어줄 것입니다. Intel의 비휘발성 메모리 사업부 부사장인 Rob Crooke는 새로운 기술을 기반으로 하는 SSD가 향후 64년 동안 512테라바이트를 초과할 수 있다고 믿습니다. 이에 비해 기존 인플레인 기술을 기반으로 64테라바이트 SSD를 만들고자 했던 SanDisk는 128개의 엄청나게 비싼 XNUMX기가비트(XNUMXGB) eMLC 칩을 사용해야 했으며, 각 칩에는 하나의 패키지에 XNUMX개의 XNUMX기가비트 다이가 들어 있습니다. 이 칩은 최첨단 얇은 제조 공정을 사용하여 제조되므로 비용이 증가하지만 신뢰성은 전혀 추가되지 않습니다.

그러나 256 및 384 기가비트(각각 32 및 48GB) 용량의 "256차원" Intel-Micron 칩은 더 크고 훨씬 저렴한 기술 프로세스와 동시에 더 안정적인 프로세스를 사용합니다. 불행히도 인텔은 여전히 ​​어떤 종류의 프로세스 기술이 문제인지에 대해 침묵하고 있습니다. 그러나 128Gb "24D" 칩을 기반으로 하는 SSD의 작업 프로토타입이 이미 존재하며 그 중 하나가 앞서 언급한 이벤트에서 시연되었습니다. 삼성은 또한 "32차원" 플래시 메모리를 적극적으로 생산하고 있다는 점에 유의해야 합니다. 42기가비트 칩에는 86개 또는 256개의 레이어가 있으며 오늘날의 표준(XNUMX나노미터)에서 비정상적으로 큰 기술 표준을 사용합니다. 이 미세 회로의 "겉보기 용량"은 XNUMXGbit입니다. 삼성은 어떤 희생을 치르더라도 신기술에 대한 가상의 문제를 피하기 위해 안전하게 플레이하는 것 같습니다. 이러한 배경에서 XNUMX기가비트 용량으로 즉시 시작하는 Intel-Micron 프로젝트는 훨씬 더 야심차게 보이지만 이 방식으로 최종 제품의 비용은 눈에 띄게 낮아질 것입니다. 물론 일반 사용자도 이점을 누릴 수 있습니다.

그러나 Intel의 새 칩이 더 나은 가격 대 용량 비율을 갖는다고 해도 Intel-Micron 동맹의 제조 능력으로 인해 아직 NAND 시장에 대한 심각한 영향에 대해 이야기할 수 없습니다. ChinaFlashMarket.com에 따르면 IMFT 연합 공장은 한 달에 약 70개의 300mm 웨이퍼를 생산할 수 있으며 이 숫자에는 다양한 유형의 메모리가 포함됩니다. IMFS와 MTV 공장을 이용하면 한 달에 80만~40만장의 300mm 웨이퍼를 생산할 수 있지만 삼성의 생산능력에 비하면 아무것도 아니다. 새로운 유형의 플래시 메모리 생산을 위해 특별히 지어진 한국 거인의 공장 중 하나만 월 100개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 반면 동일한 목적에 적합한 삼성의 나머지 생산 시설은 400개 이상을 공급할 수 있습니다. 같은 시간에 웨이퍼.

즉, 인텔의 새로운 다층 플래시 메모리 칩이 전체 SSD 시장에 혁명을 일으키지는 않을 수 있지만 사용자가 고용량 모델에 더 쉽게 액세스할 수 있게 하고 회사가 이 마이크로일렉트로닉스 산업에서 입지를 크게 강화할 수 있도록 합니다. Intel의 NAND 및 SSD 부문은 2014년에 약 2억 달러의 매출을 달성할 것으로 예상되며 새로운 256기가비트 다층 칩의 도입으로 향후 몇 년 동안 이 수치가 증가할 것입니다.

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