마릴린 먼로. 가장 유명한 격언

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마릴린 먼로. 가장 유명한 격언

소녀에게는 두 가지가 아름다워야합니다. 외모와 입술입니다. 외모로 사랑에 빠질 수 있고 입술로 사랑한다는 것을 증명할 수 있기 때문입니다.
어려서부터 소녀는 발꿈치까지 올라와야 하며, 그 발뒤꿈치에서 절대로 내려오면 안 됩니다.
모든 규칙을 따랐다면 이 모든 것을 달성하지 못했을 것입니다.
여성의 매력은 자연스럽고 자발적일 때만 강합니다.
경력은 멋진 것이지만 추운 밤에 누군가를 따뜻하게 해줄 수는 없습니다.
누군가와 함께 불행한 것보다 혼자가 낫다.
수백만의 꿈은 한 사람에게 속할 수 없습니다.
남자들은 지루한 모든 것을 진심으로 존중합니다.
남편은 일반적으로 아내를 속일 때 침대에서 잘 있습니다.
우리 아름다운 여성들은 남자들을 방해하지 않기 위해 어리석게 보일 의무가 있습니다.
사랑받고 싶다면 도망쳐라.
똑똑한 소녀는 키스하지만 사랑하지 않고, 들어주지만 믿지 않고, 떠나기 전에 떠납니다.

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미니 에어컨 소니 레온 포켓 5 09.05.2024

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우주선을 위한 우주 에너지 08.05.2024

새로운 기술의 출현과 우주 프로그램 개발로 인해 우주에서 태양 에너지를 생산하는 것이 점점 더 실현 가능해지고 있습니다. 스타트업 Virtus Solis의 대표는 SpaceX의 Starship을 사용하여 지구에 전력을 공급할 수 있는 궤도 발전소를 만들겠다는 비전을 공유했습니다. 스타트업 Virtus Solis는 SpaceX의 Starship을 사용하여 궤도 발전소를 건설하는 야심찬 프로젝트를 공개했습니다. 이 아이디어는 태양 에너지 생산 분야를 크게 변화시켜 더 쉽게 접근할 수 있고 더 저렴하게 만들 수 있습니다. 스타트업 계획의 핵심은 스타십을 이용해 위성을 우주로 발사하는 데 드는 비용을 줄이는 것이다. 이러한 기술적 혁신은 우주에서의 태양 에너지 생산을 기존 에너지원에 비해 더욱 경쟁력 있게 만들 것으로 예상됩니다. Virtual Solis는 Starship을 사용하여 필요한 장비를 제공하여 궤도에 대형 태양광 패널을 구축할 계획입니다. 그러나 주요 과제 중 하나는 ...>>

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0,34nm 게이트 트랜지스터 19.03.2022

중국 과학자 그룹이 특이한 트랜지스터 설계를 생각해 냈습니다. 독특한 디자인 덕분에 게이트 길이가 0,34nm에 불과한 세계에서 가장 작은 트랜지스터를 만들었습니다. 전통적인 기술 프로세스를 사용하여 게이트 길이를 더 줄이는 것은 기본적으로 불가능합니다. 왜냐하면 우리는 하나의 탄소 원자의 너비와 동일한 게이트 길이에 대해 이야기하고 있기 때문입니다.

과학자들은 새로운 트랜지스터를 수직 측벽 트랜지스터라고 불렀습니다. 그런데 트랜지스터 채널의 수직 배열에 대한 아이디어는 우리가 한때 이야기했던 삼성과 IBM에서도 최근에 구현했습니다. 그러나 중국 개발자들은 놀랄 수 있었습니다. 새로운 트랜지스터의 게이트는 그래핀 원자 0,34층의 한 조각이며, 그 두께는 아시다시피 탄소 원자 XNUMX개의 두께 또는 약 XNUMXnm와 같습니다. 그리고 가장 놀라운 점은 이 길이의 셔터를 만드는 데 최신 석판 스캐너가 필요하지 않다는 것입니다. 필요한 모든 미세 구성 요소는 진공 증착 공정을 사용하여 생성됩니다.

어떻게 이런 일이 발생합니까? 기존의 실리콘 기판이 사용됩니다. 그녀는 재단의 역할을 합니다. 실리콘은 이론적으로 누설 전류로부터 보호할 수 있지만 어떤 식으로든 전기 프로세스에 참여하지 않습니다. 티타늄과 팔라듐의 합금으로 실리콘 층에 두 단계가 만들어집니다. 그래핀 시트가 맨 위 단계에 배치됩니다. 정밀도가 필요하지 않습니다. 이는 나중에 기존의 에칭에 의해 달성될 것입니다. 공기 중에서 미리 산화된 알루미늄 층이 그래핀 시트 위에 놓입니다. 산화물은 구조의 절연체 역할을 합니다. 따라서 알루미늄 층의 목적이 완전히 명확하지는 않지만 알루미늄은 트랜지스터의 전기 회로에 참여하지 않습니다.

알루미늄 적층 필드는 알루미늄 라이닝의 절단을 포함하여 그래핀 가장자리가 노출되는 동안 기존의 에칭을 받습니다. 이것은 정밀하게 조정된 토폴로지로 0,34nm 길이의 그래핀 게이트를 형성합니다. 그 바로 위에 알루미늄 조각이 노출되어 이미 게이트와 전기 연결을 형성할 수 있지만 직접적인 연결은 형성할 수 없습니다. 이 단계에서 절연체인 하프늄 산화물의 가장 얇은 층이 두 단계와 측벽에 적용되며, 이는 게이트와 트랜지스터 구조의 나머지 부분, 특히 트랜지스터 채널과의 전기적 연결을 배제합니다.

원자 두께에 가까운 매우 얇은 이산화 몰리브덴(MoS2) 층이 하프늄 산화물 유전체 위에 적용됩니다. 이산화 몰리브덴은 반도체이며 그래핀 조각 형태의 게이트에 의해 제어되는 트랜지스터 채널의 역할을 합니다. 그 결과 약 XNUMX개의 원자 두께와 XNUMX개의 원자 길이의 게이트가 있는 구조가 생성됩니다. 트랜지스터의 드레인과 소스는 이산화 몰리브덴에 증착된 금속 접점입니다. 무어의 법칙 문제에 대한 우아한 솔루션이며 전통적인 기술 프로세스에 대해 이야기하면 분명히 이것이 작업의 끝이 될 것입니다.

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